「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a metal surface treatment agent for roughening a surface of copper or copper alloy to a desired degree with a small amount of etching (amount of etching of 0.5 μm or less), so as to enhance adhesiveness between fine wires of copper or copper alloy and a resin such as a resist and an interlayer insulation material, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加

微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The substrate for interlayer insulation is composed of a polyester film specified by the followings: a centerline average roughness Ra at either surface of the film is in the range of 20-60 nm; the maximum height Rt is at most 500 nm; the thickness of the film is in the range of 20-100 μm.例文帳に追加

一方のフィルム表面の中心線平均粗さＲａが２０〜６０ｎｍの範囲であり、かつ最大高さＲｔが５００ｎｍ以下であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍの範囲であるポリエステルフィルムからなることを特徴とする層間絶縁用支持体。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition having high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, capable of forming a cured film with a pattern having high chemical resistance and good resolution, and being used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ耐薬品性が高く、良好な解像度のパターンを有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL RESIN, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP BOARD例文帳に追加

硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール樹脂の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.例文帳に追加

スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

The resistance change film 11 is arranged in a lower part of a first contact hole 17 formed by penetrating a first interlayer insulation film 16, and the current suppression layer 13 is arranged in an upper part of the first contact hole 17 and in a position facing the resistance change film 11.例文帳に追加

そして、抵抗変化膜１１は、第１の層間絶縁膜１６を貫通して形成された第１のコンタクトホール１７の下部に配置され、電流抑制層１３は第１のコンタクトホール１７の上部で、かつ抵抗変化膜１１に対向する位置に配置されている。 - 特許庁

A contact hole 103 and a recessed groove 104 for wiring are formed on an interlayer insulation film 102 being deposited on a semiconductor substrate 101, and a TiN/Ti film 105 being used as a diffusion prevention film is formed on the wall surfaces of the contact hole 103 and the recessed groove 104.例文帳に追加

半導体基板１０１の上に堆積された層間絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４を形成した後、コンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４の壁面に拡散防止膜となるＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５を形成する。 - 特許庁

Through-holes 100 are provided to a glass board 1 by sandblasting, a wiring pattern 120 and an interlayer insulation layer 110 are formed on the glass board 1, a plating wiring 101 is formed on the inner surface of the through-holes 100, or the through-holes are filled up with conductive matter for the formation of a multilayered wiring board.例文帳に追加

ガラス基板１にサンドブラストにより貫通孔１００を形成し、該ガラス基板の上に配線パターン１２０および層間絶縁層１１０を形成し、該貫通孔１００の内面にめっき配線１０１または導電性物質を充填して、多層配線基板を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material with a high resistance to heat and a low expansion coefficient, and excellent in peel-resistance at a low surface roughness after a roughening process adapted to a (semi)additive process, and well-balanced resin properties such as a coefficient of elasticity, a strength at break and an elongation at break.例文帳に追加

高耐熱で低膨張係数であり、(セミ)アディティブ工法に適合した粗化後の表面粗さが小さいところでの引きはがし強さに優れ、かつ弾性率、破断強度、破断伸びなどのバランスのとれた樹脂物性の層間絶縁材料を提供することである。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which has such properties as high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and which is for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate or an interlayer insulation film having a pattern of good resolution or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ良好な解像度のパターンを有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL COMPOUND, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP BOARDI例文帳に追加

硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール化合物の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING EPOXY RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

The photosensitive resin composition for an interlayer insulation film of a semiconductor device comprises (A) an alkali-soluble polyamic acid having a structure represented by a general formula (1), (B) a photopolymerizable compound having a urethane bond and an ethylenically unsaturated group in a molecule, and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するアルカリ可溶性のポリアミック酸と、（Ｂ）分子内にウレタン結合及びエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、を含む、半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a photocurable composition having satisfactory interlayer conductivity in a black layer of a black and white two-layer bus electrode without spoiling satisfactory blackness for enhancing the contrast of a screen, and capable of ensuring satifactory insulation between display electrodes in a black patterned layer.例文帳に追加

画面のコントラスト向上のための充分な黒さを損なうことなく白黒二層バス電極の黒層においては充分な層間導電性を有し、かつブラックパターン層においては表示電極間の充分な絶縁性を確保しうる光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To form an electroless plating film having scheduled thickness, high uniformity within the surface and high uniformity among surfaces in electroless plating treatment, for instance, for the surface of a wired material buried in an interlayer insulation film, which is one of processes for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device, for which an n-type photoelectric conversion region 303, is formed inside a p^--type well region 302, a light-shielding film 315 and a transparent conductive film 321 are formed via a second interlayer insulation film 314 on the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

Even when conductive thin lines 10 are formed in the case of forming the contact plugs 9 due to the presence of the voids 8, conductive thin wires 10 are exposed by removing the interlayer insulation film 7, and thereafter the conductive thin wires 10 are removed by etching.例文帳に追加

ボイド８の存在に起因してコンタクトプラグ９を形成する際に導電性細線１０が形成された場合であっても、層間絶縁膜７を除去することによって導電性細線１０を露出させた後に、導電性細線１０をエッチングによって除去する。 - 特許庁

Resistor paste 9 is buried into an interlayer insulation film 22, and the resistor paste 9, a conductor part 61 of a first conductor layer, and a conductor part 62 of a second conductor layer are brought into contact with the resistor paste 9, thus composing a resistance element with a part in contact with the conductor part as an electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜２２中に抵抗体ペースト９を埋設し、この抵抗体ペースト９と、第１の導体層の導体部６１と第２の導体層の導体部６２は抵抗体ペースト９に接触し、導体部と接触する部分を電極として抵抗素子を構成する。 - 特許庁

In addition, antistatic contact hole 5 is formed, an electrification protection groove 6 is formed on the interlayer insulation film on the electrification protection contact hole 5, and a cell plate electrode 7 is formed so as to cover the whole face of the memory cell part area and the antistatic capacitor part.例文帳に追加

また、帯電保護用コンタクト孔５が形成され、帯電保護用コンタクト孔５上であって層間絶縁膜に帯電保護用溝６が形成され、セルプレート電極７が上記メモリセル部領域の全面および帯電保護キャパシタ部を被覆するように形成されている。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

A fourth interlayer insulation film 44 is formed so as to cover a third relay electrode 402 therewith and to have a film thickness larger than the height of a protrusion part 201 and, thereafter, is flattened such that an extension part 402c extended to the upper surface of the protrusion part 201 among the third relay electrode 402 is exposed.例文帳に追加

第４層間絶縁膜４４は、第３中継電極４０２を覆い、且つ突部２０１の高さより厚い膜厚を有するように形成された後、第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが露出するように平坦化処理が施されている。 - 特許庁

The BPSG film 6d of a high B density is formed as an interlayer insulation film on the bit line 8, an opening part 18 is formed at the upper layer position of the bit line contact hole 7 of the BPSG film 6d, and then the opening part 18 is transformed into a void 19, whose upper part is closed by high temperature heat treatment.例文帳に追加

ビット線８上に層間絶縁膜としてＢ濃度の高いＢＰＳＧ膜６ｄを形成し、このＢＰＳＧ膜６ｄのビット線コンタクトホール７の上層位置に開口部１８を形成した後、高温熱処理により、開口部１８を上部を閉じた空洞１９に変成させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Light shielding layers LS are arranged corresponding to pixel electrodes PE between a transparent substrate SUB 1 of an array substrate AS and an interlayer insulation film ILI, and apertures are partially opened at least at the areas facing both sides of the signal lines SL and that right in front of them.例文帳に追加

アレイ基板ＡＳの透明基板ＳＵＢ１と層間絶縁膜ＩＬＩとの間に、画素電極ＰＥに対応して配列すると共に、それぞれ信号線ＳＬの両脇の領域と向き合い且つその信号線ＳＬの正面の位置で少なくとも部分的に開口した遮光層ＬＳを設ける。 - 特許庁

By short-circuiting prescribed wires 4 among different insulation plates 7a, 7b, 7c for interlayer connection while letting plural penetrating connection conductors 8 penetrate appropriately, to the plates 7a, 7b, 7c that are piled up the wire harness for vehicle of a desired harness circuit can be formed.例文帳に追加

上下に積み重ねられた複数の層間接続用絶縁プレート7a,7b,7cに複数の貫通接続導体８を適宜貫通させて異なる層間接続用絶縁プレート7a,7b,7c間の所定の電線４同士を短絡することにより、車両用ワイヤハーネス３は所望のハーネス回路を形成している。 - 特許庁

This semiconductor device has an embedded-wiring structure, and a third interlayer insulation film 6b provided in the periphery of a first embedded metal wiring 15 is formed out of a silicon carbide film, whose film quality is improved by projecting on it a gas plasma which contains nitrogen ions and ammonia ions.例文帳に追加

この半導体装置は、埋め込み配線構造を有しており、埋め込まれる第一の金属配線１５の周囲に設けられる第三の層間絶縁膜６ｂが、窒素イオンおよびアンモニアイオンを含むガスプラズマが照射されて膜質改善されたシリコン炭化膜によって形成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole and a spacer capable of preventing a contact failure due to a mask misalignment, preventing void occurrences in an interlayer insulation film of an adjacent conducive patterns and reducing a parasitic capacitance between semiconductor devices.例文帳に追加

マスク誤整列によるコンタクト不良を防止し、隣接する導電膜パターン間の層間絶縁膜内にボイドが発生することを防止でき、導電膜パターン間の寄生キャパシタンスを減少させることのできる、半導体装置のコンタクト孔及びスペーサ形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

After a conductive material has been embedded in a wiring groove, when an excess portion of the conductive material is removed with a CMP method, a polishing agent is dispersed through a groove formed by the dummy pattern 41, so that polishing amounts of the conductive material and the third interlayer insulation film become uniform.例文帳に追加

配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film and an optical part such as a recording medium part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing the polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

A passivation film 3 with an opening K where an Al electrode 1 being formed via an interlayer insulation layer 2 is partially exposed is formed on a wafer, and a wiring layer 7 that is connected to the Al electrode being exposed from the opening K and is exposed onto the wafer is formed.例文帳に追加

層間絶縁層２を介して形成されたＡｌ電極１の一部を露出する開口部Ｋを有したパッシベーション膜３をウエハ上に形成し、前記開口部Ｋから露出する前記Ａｌ電極１と接続され、ウエハ上面に延在する配線層７を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photoelectric conversion device, a first electroconductor arranged in a first hole formed at the first interlayer insulation layer electrically connects a first semiconductor region to the gate electrode of an amplifying MOS transistor not through wiring included in a wiring layer.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法において、第１の層間絶縁層に配された第１のホールに配された第１の導電体によって、第１の半導体領域と増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。 - 特許庁

As a result, the pressure of evaporation gas is easily applied to a corner part of an upper part of the trimming element T and the pressure of the evaporation gas applied to a corner part of a lower part of the trimming element T decreases; thus, the occurrence of a crack 5 in the interlayer insulation film 2 in the lower part of the trimming element T can be prevented.例文帳に追加

その結果、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部に気化ガスの圧力がかかりやすくなり、トリミング素子Ｔの下辺のコーナー部にかかる気化ガスの圧力が小さくなるので、トリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２のクラック５発生を防止できる。 - 特許庁

A via hole 60A formed on a lid plating layer 36a and having the greater part of its bottom formed in a part other than on a through hole 36 is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a via hole 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａの上に形成されているバイアホール６０Ａであって、その底部の大部分がスルーホール３６上以外の部分に形成されるバイアホール６０Ａは、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるバイアホール１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; an interlayer dielectric film formed on the semiconductor substrate; a wiring disposed in the interlayer dielectric film; and a first and a second anti-fuse wiring that are connected to the wiring, face each other with a space therebetween that provides electrical insulation, and are capable of conduction through the disposition of a conductive member in the space.例文帳に追加

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に配置された配線と、前記配線に接続され、電気的に絶縁可能な間隔を有して対向し、前記間隔に導電部材を配置することにより導通可能な第１および第２の接続端部を有した第１および第２のアンチヒューズ配線と、を有する。 - 特許庁

The resin compound for the interlayer insulation layers of a multilayer circuit board manufactured by a buildup method includes an epoxy resin, a phenol-xylilene resin hardening agent, and barium sulfate as essential components, and contains a 5-15 mass parts phenol-xylilene resin hardening agent and 20-50 mass parts barium sulfate to 100 mass parts epoxy resin.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤、および硫酸バリウムを必須成分として含み、エポキシ樹脂１００質量部に対し、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤５〜１５質量部、硫酸バリウム２０〜５０質量部が含有されている、ビルドアップ工法で製造される多層回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition used for forming an interlayer insulation film or the like of a semiconductor element and for forming a thick film pattern with irradiation of radiation or the like, has photosensitiveness, and enables a development without using a crosslinking agent, and to provide the semiconductor element using the photosensive composition.例文帳に追加

例えば半導体素子の層間絶縁膜等を形成するのに用いられ、感光性を有し、架橋剤を用いることなく現象が可能であり、かつ放射線等の照射により厚みのある膜パターンを形成することが可能な感光性組成物及び該感光性組成物を用いてなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

To provide a foam sheet for polishing for a polishing pad used in surface flattening work to semiconductor device wafers for interlayer insulation film or metal wiring, in which polishing speed is high compared to conventional parts, and in which device surface flatness after polishing and uniformity in the wafer surface are balanced to realize high precision polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体のデバイスウエハの表面平坦化加工に用いられる研磨パッドにおいて、従来パッドに比べて研磨速度が速く、研磨後のデバイス表面の平坦性とそのウエハ面内均一性のバランスの良い、高精度な研磨を実現する研磨用発泡シートを提供する。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition for an organic insulating film having a wide development margin and forming an interlayer insulating film excellent in transparency, solvent resistance, heat resistance, insulation stability and fitness for ITO, an organic insulating film using the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the organic insulating film.例文帳に追加

現像マージンが広く、且つ、透明性、耐溶剤性、耐熱性、絶縁安定性、及びＩＴＯ適性に優れた層間絶縁膜を形成しうる有機絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた有機絶縁膜、該有機絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の提供。 - 特許庁