「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A connection confirming bump 13 rises from the surface of an interlayer insulation film 23 facing the through hole 27, and projects from the surface protective film 25 at a projection quantity smaller than the projection quantity of the functional bump 12, piercing the through hole 27.例文帳に追加

また、接続確認用バンプ１３は、貫通孔２７に臨む層間絶縁膜２３の表面から隆起し、貫通孔２７を貫通して、表面保護膜２５上に機能バンプ１２の突出量よりも小さな突出量で突出している。 - 特許庁

Then, a titanium nitride film 6 is formed on the entire inner wall of the connection hole 4 and on the interlayer insulation film 3, and the titanium nitride film 6 is formed at the bottom of the connection hole 4 and the lamination film of the titanium film 5/titanium nitride film 6 is formed at a side wall part.例文帳に追加

次に、接続孔４の内壁一面及び層間絶縁膜３上に窒化チタン膜６を成膜し、接続孔４の底部には窒化チタン膜６、側壁部にはチタン膜５／窒化チタン膜６の積層膜が形成されている状態にする。 - 特許庁

To provide a method of polishing a metal laminated film, which polishes the film without thinning of an interlayer insulation film, after the surface of the metal laminated film is relieved of irregularities by filling the recessed parts of the metal laminated film with resin.例文帳に追加

金属積層膜の凹部を樹脂で充填し表面の凹凸を軽減してから研磨することにより、層間絶縁膜を削りすぎること（シニング）なく研磨前に凹凸を解消した金属積層膜を研磨する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate sheet containing a polyarylate resin and a polyphenylene sulfide resin as main components, excellent in dimensional stability, flame retardancy, interlayer adhesiveness, heat resistance and surface smoothness, while keeping an electric insulation property, and reduced in anisotropy of a mechanical property.例文帳に追加

ポリアリレート樹脂およびポリフェニレンサルファイド樹脂を主成分とし、電気絶縁性を維持しつつ、寸法安定性、難燃性、層間接着性、耐熱性および表面平滑性に優れ、機械特性の異方性が少ない積層板を提供する。 - 特許庁

A substrate is prepared wherein the surface of an embedded wiring formed inside an interlayer dielectric is selectively covered with a wiring protective film, the surface of the substrate is pre-cleaning by wet processing using a cleaning liquid, and then an insulation film is formed on the surface of the pre-cleaned substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a metal film is formed on the semiconductor thin film 5, with an interlayer insulation film interposed in between to block the source region side and drain region side, and the metal film is patterned to make wirings 8D, 8S and 8Z so that the channel region does not become blocked.例文帳に追加

更に、半導体薄膜５の上に層間絶縁膜を介して金属膜を成膜し、ソース領域側及びドレイン領域側を遮閉する一方、チャネル領域を遮閉しない様に金属膜をパタニングして配線８Ｄ，８Ｓ，８Ｚに加工する。 - 特許庁

Next, an interlayer insulation film 108 is formed so as to form porosities 107 relative to the first metal layer 103 as the first wiring, and the surface is flattened to form a second wiring connected to a plug composed of the second metal layer 104.例文帳に追加

その後、第１の配線である第１の金属層１０３の間に空孔１０７が形成されるように層間絶縁膜１０８を形成し、その表面を平坦化して第２の金属層１０４からなるプラグに接続される第２の配線を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component packaging structure, in which an electronic component is embedded in an interlayer insulation film on a wiring substrate, for easily eliminating difference in level resulting from the thickness of the electronic component to obtain a flat surface.例文帳に追加

電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化することができる電子部品実装構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a permanent pattern forming method by which permanent patterns such as a protective film, an interlayer insulation film and a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition, by improving exposure performance without incurring a cost increase of an apparatus and a reduction of exposure speed.例文帳に追加

装置のコストアップや、露光速度の低下を招くことなく、露光性能を向上させることにより、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能な永久パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which allows the relatively easy formation of a silica-based film usable as an interlayer insulation film, is excellent in storage stability, and makes a formed silica-based film excellent in heat resistance, crack resistance, resolution and transparency.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ保存安定性に優れると共に、形成されるシリカ系被膜が耐熱性、クラック耐性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The luminescence region 45 of the organic EL elements constituting the array of the organic EL elements 40, is characteristic in that the width M of each luminescent element in the direction where the elements are arrayed, is not less than 2.5 times the film thickness of an interlayer insulation layer, and not more than 83% of the array pitch P of the elements.例文帳に追加

有機ＥＬ素子アレイ４０を構成する有機ＥＬ素子の発光領域４５について、発光素子が並ぶ方向における幅Ｍを、層間絶縁層の膜厚の２．５倍以上であり、かつ、発光素子の配列ピッチＰの８３％以下とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, that can improve coverage of a wiring layer formed at a contact hole aperture in a plurality of contact holes which are formed close to the interlayer insulation film and obtain a contact structure having higher reliability.例文帳に追加

層間絶縁膜中に近接して形成された複数のコンタクトホールにおいて、コンタクトホール開口部に形成する配線層の被覆性を向上させ、高信頼性を有するコンタクト構造を得ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior storage stability, radiation sensitivity, and melt flow-proofness, and high various performance such as surface hardness, refractive index, heat resistance, transparency, or low dielectric property.例文帳に追加

保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for ashing an organic resist pattern formed on an interlayer insulation film which is formed on an article being processed, while at least partially including an organic low permittivity film, an mixed gas plasma of oxygen gas and nitrogen gas is used for ashing.例文帳に追加

被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a barrier metal film made of tantalum formed in contact with a low specific permittivity interlayer insulation film with suppressed or reduced damages, and which is also suppressed with poor connection between the Ta barrier metal film and a conductor covered thereby.例文帳に追加

タンタルからなるバリアメタル膜がダメージを抑制もしくは低減された低比誘電率層間絶縁膜に接して設けられているとともに、Ｔａバリアメタル膜およびこれに覆われた導電体の接続不良も抑制されている半導体装置を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

The interlayer insulation films are prepared, e.g., by applying a borazine-based resin composition containing an organic silicon borazine-based polymer and ethylbenzene and having ≥0.5 mass% solid concentration and ≤30 ppm content of metallic impurities by spin coating and drying the same.例文帳に追加

層間絶縁膜５，７は、例えば有機ケイ素ボラジン系ポリマーとエチルベンゼンとを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であって且つ金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下とされたボラジン系樹脂組成物をスピンコートで塗布し乾燥させて得られる。 - 特許庁

Since wet etching is employed for the etching of the interlayer insulating film, the amount of the insulating film 15 on the sides of the wiring lines 10 to be etched can be reduced, and the insulation resistance between the contact plug 25 filling the contact hole 18 and the wiring line 10 can be improved.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングにウェットエッチング法を採用しているため、配線１０の側面上の絶縁膜１５に対するエッチング量が低減し、コンタクトホール１８を充填するコンタクトプラグ２５と配線１０との間の絶縁耐性が向上する。 - 特許庁

Parts (25-1, 25-2) of the metal electrode 25 extend on an interlayer insulation film 34 located on the plate electrodes 18a, 19a and the parts (25-1, 25-2) of the metal electrode and plate electrodes 18a, 19 are respectively capacitance-coupled.例文帳に追加

金属電極２５の一部（２５−１、２５−２）は、プレート電極１８ａ、１９ａの上に位置する層間絶縁膜３４上に延在しており、金属電極の一部（２５−１、２５−２）とプレート電極１８ａ、１９のそれぞれとは互いに容量結合している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer which can form a film which is usable as, e.g., an interlayer insulation film in a semiconductor element or the like, has a low dielectric constant, is excellent in mechanical strength and adhesiveness, and has a homogeneous quality; and a method for producing the polymer.例文帳に追加

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる、膜の比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ均一な膜質が得られるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。 - 特許庁

The photosensitive resin composition is used as a forming material of a coating, a printing ink, a color filter, an electronic part, an interlayer insulation film, a wiring-coating film, an optical member, an optical circuit, an optical circuit part, a reflection-preventing film, a hologram or a construction material.例文帳に追加

本発明の感光性樹脂組成物は、塗料又は印刷インキ、或いは、カラーフィルター、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光学部材、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム又は建築材料の形成材料として用いられる。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive resin composition for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide having such properties as high hardness, high resoluiton, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant.例文帳に追加

高硬度、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which excellent adhesion of a photosensitive layer to a substrate to be processed is achieved and small variation in sensitivity and excellent working efficiency are ensured, and by which a permanent pattern such as a protective film, an interlayer insulation film or a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition.例文帳に追加

被処理基体と感光層との優れた密着性が得られ、感度のばらつきが小さく、作業効率に優れ、保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細かつ効率的に形成可能なパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A first organic filling material film 7 is applied thicker than an interlayer insulation film 4 over the entire surface including the via holes 6, and then a second organic filling material film 8 having viscosity lower than that of the first organic filling material film 7 is applied.例文帳に追加

第１の有機系埋め込み材料膜７をヴィアホール６内を含む全面に層間絶縁膜４の膜厚よりも厚く塗布し、続いて第１の有機系埋め込み材料膜７よりも粘度の低い第２の有機系埋め込み材料膜８を塗布する。 - 特許庁

In an n-channel cell transistor where a control gate CG is stacked on a floating gate FG through an interlayer insulation film 8, the cell transistor is buried channel type and the floating gate FG is composed of a p-type polysilicon film 9.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ上に層間絶縁膜８を介してコントロールゲートＣＧを積み重ねたｎチャネル型セルトランジスタにおいて、このセルトランジスタを埋め込みチャネル型とし、さらに上記フローティングゲートＦＧをｐ型の多結晶シリコン膜９で構成するものである。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 20 covering the ferroelectric capacitor 19 formed on a semiconductor substrate 1 employs an insulator containing metal oxide such as a perovskite metal oxide insulator, a bismuth stratified perovskite oxide ferroelectric or the like.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can make two different conductive type impurity regions of high concentration appear in a contact hole, even if the number of masks is reduced by the utilization of an interlayer insulation film as a channel contact mask.例文帳に追加

層間絶縁膜のチャネルコンタクトマスクとしての利用によりマスク数を減らしてもコンタクトホールに高濃度の異なる二つの導電型の不純物領域を出現させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in such performances as sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness and coating property, having improved adhesiveness particularly to an inorganic material, and suitable for forming an interlayer dielectric in an LCD manufacturing process.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性、平坦性、コーティング性などの性能に優れているだけでなく、特に無機質材料との接着性が顕著に向上して、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In an element substrate 10 of an electro-optic device 100, a stress relaxation film 46 formed from a doped silicon oxide film is formed between a third interlayer insulation film 44 formed from non-doped silicon oxide film and a pixel electrode 9a formed from an aluminum film or the like.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device of the embodiment includes a nickel silicide film 18 formed at a bottom 14 of a contact hole 12 formed on an interlayer insulation film 11 on a semiconductor substrate 10 containing silicon and connected with a contact plug 21 formed at the contact hole 12.例文帳に追加

実施の形態の半導体装置は、シリコンを含む半導体基板１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２の底部１４に形成され、コンタクトホール１２に形成されるコンタクトプラグ２１と電気的に接続するニッケルシリサイド膜１８を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of organic electroluminescence (EL) device and an organic EL device capable of preventing the occurrence of failure due to contact hole when using such a structure that a pixel electrode is connected with a transistor element via the contact hole formed in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子に画素電極を接続した構造を採用した際、コンタクトホールに起因する不具合の発生を防止可能な有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置を提供すること。 - 特許庁

Etching treatment is carried out, by using a photoresist pattern 11 with an opening part 11a on the fuse element 3 and an opening part 1b on the metal wiring 7 as a mask and a trimming window opening part 9a, and a through-hole 9b are formed simultaneously in the interlayer insulation film 9 (B).例文帳に追加

ヒューズ素子３上に開口部１１ａ及びメタル配線９上に開口部１１ｂをもつフォトレジストパターン１１をマスクにしてエッチング処理を施し、層間絶縁膜９にトリミング窓開口部９ａとスルーホール９ｂを同時に形成する（Ｂ）。 - 特許庁

The leaf 21B is bent toward the first transfer electrode 11 from the horizontal part 21A, and extends over the first transfer electrode 11 so as to form a space of a transparent interlayer insulation film above the leaf 21B extending over the first transfer electrode 11.例文帳に追加

枝葉部２１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部２１Ｂの上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように第１の水平部２１Ａから第1の転送電極１１に向かって折れ曲がり第1の転送電極１１上に延びる。 - 特許庁

A plurality of wiring layers include a four-layered wiring part in which a power supply layer L4, a ground layer L3, a first signal wiring layer L2 and a second signal wiring layer L1 are sequentially arranged via an insulation layer in each interlayer from one side to another side in a lamination direction.例文帳に追加

複数の配線層は、積層方向の一方側から他方側に向かって順に、電源層Ｌ４、グランド層Ｌ３、第１信号配線層Ｌ２、第２信号配線層Ｌ１の４層を層間に絶縁層を介して配置させた４層配線部を有する。 - 特許庁

To provide a purification method for obtaining a polyarylene that contains little of metal impurities and can be used for forming an interlayer insulation film excellent in relative dielectric constant characteristics and low leak current characteristics, and to provide a composition for forming a film, a film forming method and an organic film.例文帳に追加

金属不純物の含有量が少なく、かつ、比誘電率特性及び低リーク電流特性に優れた層間絶縁膜の形成に使用することができるポリアリーレンの精製方法、膜形成用組成物、膜の形成方法、ならびに有機膜を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for film formation which can form a film suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor device etc., and having an appropriate even thickness and which can give a film having excellent characteristics including permittivity and Young's modulus; and to provide an insulation film obtained from the film-forming composition.例文帳に追加

本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、適当な均一な厚さを有する膜の形成可能で、かつ誘電率、ヤング率等の特性に優れた膜を製造することができる膜形成用組成物、およびその膜形成組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress occurrence of surface defects such as dishing, erosion, scratch and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass and laminated glass which is excellent in basic performance necessary for laminated glass such as transparency, weather resistance, shock energy absorbency and adhesion with glass, prevents the degradation of TL value due to the coincidence effect and exhibits excellent sound insulation in a wide temperature range stably for a long time without impairing the moldability and handling property as the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

透明性、耐候性、衝撃エネルギー吸収性、ガラスとの接着性等の合わせガラスに必要な基本性能に優れ、合わせガラス用中間膜としての成形性及び取扱性を損なうことなく、コインシデンス効果によるＴＬ値の低下を防ぎ、且つ広い温度領域において優れた遮音性能を長期安定的に発揮できる合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film, a recording medium part and an optical part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing a polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

A transparent conductive film 42 made of ITO is formed on the entire upper surface of a second interlayer insulation film 37 having via holes 39, and a metallic film 45 reacting with a hydrochloric acid L for generating hydrogen gas P is formed in an etching region E of the conductive film 42 by applying zinc paste.例文帳に追加

ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。 - 特許庁