「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can realize rapid operation by a simple method by reducing interlayer capacitance in a wiring layer and the inter-wiring capacitance on the same layer by forming a low dielectric interlayer insulation film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a film-forming composition and an insulation film-forming material capable of forming a silicious film having small specific dielectric constant, excellent crack resistance, mechanical strength and adhering ability for use as an interlayer insulation material in a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、クラック耐性や機械的強度や密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

A DRAM 100 has a source/drain region 3; interlayer insulation films 20, 30 having a contact hole 30h reaching the surface of the source/drain region 3; and a bit line 110 covered with the insulation films 20, 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、ソースおよびドレイン領域３と、ソースおよびドレイン領域３の表面に達するコンタクトホール３０ｈを有する層間絶縁膜２０および３０と、層間絶縁膜２０および３０によって被覆されたビット線１１０とを備える。 - 特許庁

After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film which is excellent in film properties such as permittivity and Young's modulus, capable of forming a film having a proper uniform thickness and suitable for using as an interlayer insulation film of semiconductor devices and the like.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio.例文帳に追加

この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でＴｉ膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant interlayer insulation material for a printed wiring board which is suitable for high-density mounting of electronic devices such as semiconductor elements, and for high-speed propagation of signals, and also to provide a multilayered board or electronic component which is formed of this insulation material.例文帳に追加

半導体素子など電子デバイスを高密度に実装し、信号の高速伝播に適した低誘電率のプリント配線基板用層間絶縁材料、およびこの絶縁材料を構成素材とする多層基板又は電子部品を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition suitable for the use as an insulation layer of a multi-layer printed circuit board, and achieving the insulation layer (interlayer insulation layer) of which roughened surface exhibits high close adhesion against a plated conductor even though the roughness of the roughened surface after the roughening is relatively small.例文帳に追加

多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass which prevents the deterioration of sound insulation properties with a temperature rise due to sunlight irradiation or the like, and is also excellent in light shielding properties, and to provide laminated glass.例文帳に追加

太陽光の照射等による温度上昇に伴う遮音性の低下を防止するともに、遮光性にも優れた合わせガラス用中間膜および合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The interlayer insulation films 4-6 each consist of an SiOC film having a relative permittivity of 3.0 or below formed by plasma CVD method, and are formed at a temperature of 300°C or higher (not exceeding 450°C or around).例文帳に追加

層間絶縁膜４〜６は、プラズマＣＶＤ法で形成された比誘電率３．０以下のＳｉＯＣ膜で構成され、３００℃以上（上限は４５０℃程度）の温度で形成される。 - 特許庁

After forming a reformed layer 200 on an exposed portion of the interlayer insulation film 103, the reformed layer 200 is removed and roundnesses 105b, 105a, and 104a are formed.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１０３の露出している部分に改質層２００を形成した後、改質層２００を除去し、丸み１０５ｂ、丸み１０５ａ及び丸み１０４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for easily arranging a dummy pattern relative to a conventional one, and preventing an interlayer insulation film from being thinned in a formation region of a semiconductor chip adjacent to a scribe region.例文帳に追加

従来よりも簡単にダミーパターンを配置し、スクライブ領域に隣接した半導体チップの形成領域において、層間絶縁膜が薄くなるのを抑制する方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

To provide a nonhalogenous flame-retardant resin used, e.g. for an interlayer insulation layer of a multilayered printed circuit board; a flame- retardant resin composition containing the same; and a multilayered printed circuit board having a cured film formed from the composition.例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁層用等のノンハロゲン材料の難燃性樹脂、難燃性樹脂組成物性及びその硬化膜を有する多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

After the photoresist pattern 6 is removed, an interlayer insulation film is formed, and then, by subjecting it to dry-etching with the P-SiN 15 as an etching stopper, a through-hole(TH) to the aluminum wring layer 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を除去した後、層間絶縁膜を形成し、Ｐ−ＳｉＮ１５をエッチングストッパーとして、ドライエッチングすることによりアルミ配線層４ｂへのＴＨを形成する。 - 特許庁

A hard pad is employed and slurry containing silica 5 treated to have a hydrophobic surface is used as the repair component of an interlayer insulation film 2 in which a Cu wire 4 is buried.例文帳に追加

ハードパッドを用い、かつＣｕ配線４が埋め込まれる層間絶縁膜２の修復成分として、表面が疎水性になるように処理されたシリカ５を含むスラリを使用する。 - 特許庁

Then, the insulating film 2 including the silicon wafer 1 outside the transparent substrate 20 and a protection film 18, a gate insulating film 9, an interlayer insulation film 11, and a protection film 17 are cut and eliminated.例文帳に追加

次に、透明基板２０の外側におけるシリコンウエハ１及び保護膜１８を含む絶縁膜２、ゲート絶縁膜９、層間絶縁膜１１及び保護膜１７を切断して除去する。 - 特許庁

Furthermore, when second and third interlayer insulation films 20, 30 are formed, the film formation temperature of plasma TEOS layers 23, 33 and the temperature of HDP layers 22, 32 at that time are made the same.例文帳に追加

さらに、第２および第３の層間絶縁膜２０，３０形成の際に、プラズマＴＥＯＳ層２３，３３の成膜温度とそのときのＨＤＰ層２２，３２の温度とを同一にする。 - 特許庁

On a substrate provided with a capacitor lower part interlayer insulation film 1 and a plug 3, a line pattern by an electrode forming material 6 which reaches the plug 3 is formed by using a damascene process.例文帳に追加

まずキャパシタ下部層間絶縁膜１およびプラグ３を備える基板上に、ダマシンプロセスを用いてプラグ３まで達する電極形成材料６によるラインパターンを形成する。 - 特許庁

At least a laminate of a gate insulation film 6 and a gate electrode 7, and an active region 13 are formed on a silicon substrate and then an underlying interlayer insulating film 10 is also formed.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６及びゲート電極７の積層体と、活性領域１３とを少なくとも形成し、更に下地層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To minimize deterioration in electric characteristics of a ferroelectric film to be generated in a heat treatment when a conductive film is formed on an interlayer insulation film coating a structure containing the ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜を含む構造を覆う層間絶縁膜上に導電性膜を形成する際の熱処理において生じる、強誘電体膜の電気特性の劣化を最小化する。 - 特許庁

The first metal layers 27, 28 have parts connected to the second metal layers 21, 22 at a pixel part and provided on the interlayer insulation film 25 whose edge is planarized.例文帳に追加

第１の金属層２７、２８は、画素部において第２の金属層２１、２２と接続された部分を有しかつその端部が平坦化された層間絶縁膜２５上に設けられる。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 14, a second electrode interconnection 20 is so formed as to be extended in a prescribed direction Y crossing the extended direction of the first electrode interconnection 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１４上において第１電極配線１２の伸長方向と交差する所定方向Ｙに伸長するように第２電極配線２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a touch panel member including an interlayer insulation film excellent in surface hardness and heat resistance, and/or a resin layer such as a surface protection layer, and a touch panel using the touch panel member.例文帳に追加

表面硬度および耐熱性に優れる層間絶縁膜および／または表面保護層などの樹脂層を備えるタッチパネル部材、および該タッチパネル部材を用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which is excellent in sound insulation property in a wide range of temperature and prevents an instrument display from being seen doubly when being used for a head-up display.例文帳に追加

広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、ヘッドアップディスプレイに用いたときに計器表示が二重に見えるのを防止することができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior radiation sensitivity melt flow-proofness, high heat resistance, transparency or the like.例文帳に追加

放射線感度及び耐メルトフロー性が優れると共に、高い耐熱性、透明性等を有する層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加

ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a laminated electrode consisting of a tunnel oxide film 2, a floating gate electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a control gate electrode 5 in order from a lower layer is formed.例文帳に追加

半導体基板１上に下層より順にトンネル酸化膜２、浮遊ゲート電極３、層間絶縁膜４および制御ゲート電極５からなる積層電極を形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in resistance to heat or chemicals, storage stability, and high-temperature reactivity, a transfer printing material using the same, and a method for forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

耐熱性、耐薬品、保存性、および高温反応性に優れた熱硬化性樹脂組成物、それを用いた転写材料、及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming interconnection grooves and connection holes accurately in an interlayer insulation film which uses an organic material.例文帳に追加

有機材料を用いた層間絶縁膜に対して精度良く配線溝や接続孔を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film small in curing contraction, and excellent in heat resistance, flexibility, and adhesiveness with a welded metal layer, and a curing resin composition to provide it.例文帳に追加

硬化収縮が小さく、耐熱性と可とう性、金属めっき層との接着性にも優れる層間絶縁膜およびそれを与える硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A filled via 60 formed on a lid plating layer 36a and 36d is applied with smaller stress than a filled via 160 formed in a second interlayer resin insulation layer 150 during heat cycle.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が小さい。 - 特許庁

To provide a resin excellent in development property, flexibility of cured products, heat resistance to soldering, resistance to thermal degradation and resistance to electroless gold plating and especially suitable for solder resists and for interlayer insulation films.例文帳に追加

現像性に優れ、硬化物の可撓性、半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂を提供する。 - 特許庁

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING TRANSFER MATERIAL, METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, HIGH-APERTURE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT例文帳に追加

ネガ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ネガ型感光性熱硬化性転写材料、層間絶縁膜の形成方法、ハイアパーチャー型液晶表示装置及びその製造方法 - 特許庁

A short-circuit defect is prevented by forming a second interlayer insulation layer 15 under an upper electrode power-feeding wire to be a power supply line to an upper electrode 13 of a thin-film electron source array.例文帳に追加

薄膜型電子源アレイの上部電極１３への給電線となる上部電極給電配線の下に、第二層間絶縁層１５を形成して短絡不良を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the deterioration of flatness in the case that an interlayer insulation film comprising the material of low permittivitty is directly CMP polished.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜を直接ＣＭＰ研磨する場合の平坦性の悪化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 1 has an interlayer insulation layer 2 and a conductive layer 3 which are sequentially laminated on a substrate 10, and a plurality of pieces 11 having conductor circuits 31 are formed.例文帳に追加

基板１０上に順次積層された層間絶縁層２と導電層３とを有し，導体回路３１を有する個片１１を多数形成した多層プリント配線板１。 - 特許庁

After that, the titanium film 5 being formed at the bottom of the connection hole 4 and on the interlayer insulation film 3 is eliminated while leaving only the titanium film 5 being formed at the side wall part of the connection hole 4.例文帳に追加

その後、接続孔４の側壁部に形成されているチタン膜５のみを残して接続孔４底部及び層間絶縁膜３上に形成されているチタン膜５を除去する。 - 特許庁

Thereafter, an opening 124 is formed in the polysilicon film 121 and, thereafter, the etching of a second interlayer insulation film 118 is effected, employing the polysilicon film 121 as a mask to form a contact hole 125.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜１２１に開口１２４を形成した後、ポリシリコン膜１２１をマスクにして、第２の層間絶縁膜１１８のエッチングを行い、コンタクトホール１２５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that suppresses effect to copper wirings or interlayer insulation films due to moisture in atmosphere during the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において大気中の水分による銅配線や層間絶縁膜への影響を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition for forming a film having excellent heat resistance, a permittivity as low as 2.5 or below (in terms of a specific permittivity), and excellent cracking resistance and suited for use as an interlayer insulation film of,e.g. a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、耐熱性、比誘電率２．５以下の低誘電性、クラック耐性に優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

A light reflection layer 109 connected to the TFT, a plurality of patterned color filters 110 and a transparent electrode 112 are laminated on the interlayer insulation film 108 in this order.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８上には、ＴＦＴに接続された光反射層１１２、パターニングされた複数のカラーフィルタ１１０、および透明電極１１２がこの順序で積層されている。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with an insulative etching stopper layer (401) formed on the scanning line and an interlayer insulation film (41) which is formed on the layer (401) and has a groove (411) that reaches the layer (401).例文帳に追加

また、走査線上に形成された絶縁性のエッチングストッパー層（４０１）と、この上に形成されており、これに至る溝（４１１）が掘られた層間絶縁膜（４１）とを備える。 - 特許庁

A film thickness of an interlayer insulation film at a part on a channel region is thicker than that of a surrounding area, and capacitance is created at this part between a capacitance electrode and a gate electrode facing each other.例文帳に追加

チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。 - 特許庁