「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an abrasive and a polishing method, which enable the high speed polishing and a high flatness level in a CMP technology, which can plavarize an interlayer insulation film and a shallow trench isolating insulation film, without producing abrasive flaws.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生することなく高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

The warpage of an array substrate is reduced by mitigating stress of the array substrate while eliminating a part or the whole (7a, 9a) of an interlayer insulation layer 7 and a protective film 9 being the insulating thin films of an area where insulation is electrically unnecessary.例文帳に追加

電気的に絶縁不要な領域の絶縁性薄膜の層間絶縁層７と保護膜９の一部または全部（７ａ，９ａ）を除去することにより、応力を緩和し、アレイ基板の反りを低減する。 - 特許庁

On the insulation film 22 containing the interconnections 23 in the semiconductor substrate 21 including the interconnections 23 on the insulation film 22, a thin protection film 24 is formed without applying a substrate bias voltage, and thereafter the interlayer insulating film 25 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２２上に配線２３を有する半導体基板２１に配線２３を含む絶縁膜２２上に、基板バイアスを印加させることなく薄い保護膜２４を形成してから、層間絶縁膜２５を形成する。 - 特許庁

The projected part of the interlayer insulating film 3 between the approximated contact holes is planarized with CMP method or the like, and thereby the interlayer insulation film 3 between the approximated contact holes, where the projected part is eliminated and the plug 6 from which the upper surface are planarized can be formed.例文帳に追加

近接コンタクトホール間層間絶縁膜の尖り部分がなくなるまでＣＭＰ法等により平坦化し、尖りのとれた近接コンタクトホール間層間絶縁膜および上表面が平坦化されたプラグを形成する。 - 特許庁

To provide a configuration capable of achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of an interlayer insulation film to be polished in a liquid crystal panel substrate having a stacked film structure consisting of interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

This capacitive element has a lower electrode 22 formed on a substrate 10 through an interlayer insulation film 12, an upper electrode 24 opposed to the lower electrode 22 through the interlayer insulation film 12, and a lower wiring layer 14 that is formed between the substrate 10 and the lower electrode 22 and electrically connected with the upper electrode 24.例文帳に追加

基板１０上に層間絶縁膜１２を介して形成された下層電極２２と、下層電極２２に対して層間絶縁膜１２を介して対向する上層電極２４と、基板１０と下層電極２２の間に形成され、上層電極２４に電気的に接続された下部配線層１４とを有する。 - 特許庁

The interlayer insulation films 47 are formed by screen printing in a fine line shape after forming a high surface free energy region on the wettability changing layer by irradiating a region where the interlayer insulation films 47 are formed in the terminal part 40 with DeepUV rays at a wavelength 254 nm through a photomask with a pattern drawn thereon.例文帳に追加

層間絶縁膜４７は、端子部４０の層間絶縁膜４７を形成する領域にパターンが描画されたフォトマスク越しに波長２５４ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光を照射し、濡れ性変化層上に高表面自由エネルギー領域を形成した後、微細なライン形状でスクリーン印刷法によって形成する。 - 特許庁

A resin composition for a plating resist is used as a part of an interlayer insulation layer of a multilayer printed wiring board comprising the interlayer insulation layer and a conductive layer which are alternately laminated, and includes 30-90 mass% of a titanium oxide relative to a resin solid content.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる多層プリント配線板の層間絶縁層の一部として用いられるめっきレジスト用樹脂組成物であって、樹脂固形分に対して３０〜９０質量％の酸化チタンを含むことを特徴とするめっきレジスト用樹脂組成物である。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Interconnection trenches 112 are made in the second interlayer insulation film 106 by etching through the use of a hard mask 107B transferred with the openings for interconnection trenches and contact holes 111 are made in the first interlayer insulation film 104 by etching through the use of the etching stopper film 105A transferred with the opening for contact holes.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６に対して配線溝用開口部が転写されたハードマスク１０７Ｂを用いてエッチングして配線溝１１２を形成すると共に、第１の層間絶縁膜１０４に対して接続孔用開口部が転写されたエッチングストッパー膜１０５Ａを用いてエッチングして接続孔１１１を形成する。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 - 特許庁

The polishing stop film 20 remains on the semiconductor substrate 11 as a stopper of polishing (stop index) even if the interlayer insulation film 12 is removed by polishing using a CMP method when forming a conductive plug 13 in the interlayer insulation film 12 at the peripheral region of the semiconductor 11.例文帳に追加

この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、層間絶縁膜１２が当該層間絶縁膜１２内に導電性プラグ１３を形成する際のＣＭＰ法による研磨によって除去された場合においても、当該研磨のストッパー（停止指標）となって半導体基板１１上に残る。 - 特許庁

This polyester film substrate for interlayer insulation is used as the substrate on which a thermosetting resin is applied to form an interlayer insulation layer, wherein a degree of thermal shrinkage of the film in a width direction after 120°C×5 min is in a range of 0-1.0%, and thickness of the film is in a range of 20-100 μm.例文帳に追加

層間絶縁層を形成する熱硬化性樹脂を塗布するための支持体として使用されるポリエステルフィルムであって、１２０℃×５分におけるフィルムの幅方向の熱収縮率が０〜１．０％の範囲であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍの範囲であることを特徴とする層間絶縁用支持体ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

The semiconductor device has first level conductor layers 111-115 and a second level conductor layer 101 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulation film interposed between the first and second level conductor layers, and a plurality of through holes 121, 122 formed by opening the interlayer insulation film and applying the conductor therein.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１のレベルの導体層１１１〜１１５および第２のレベルの導体層１０１と、それらの第１、第２のレベルの導体層の間に介在する層間絶縁膜と、層間絶縁膜を開口して形成され、導電体が埋め込まれた同一レベルの複数のスルーホール１２１、１２２とを有する。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

Since through holes 35 made through the core board 30 and the lower interlayer resin insulation layer 50 can be desmeared with an oxidizing agent comprising chromic acid or permanganic acid simultaneously with roughening of the lower interlayer resin insulation layer 50, production process is reduced and a multilayer printed wiring board can be produced inexpensively.例文帳に追加

このため、クロム酸又は過マンガン酸からなる酸化剤で、コア基板３０及び下層層間樹脂絶縁層５０に形成したスルーホール用貫通孔３５のデスミヤ処理と、該下層層間樹脂絶縁層５０の粗化処理とを同時に行うことが可能となり、工程を削減することで、多層プリント配線板を廉価に製造できる。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film that is suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor element device, or the like, can form a film having an appropriate and uniform thickness, and has improved film characteristics of permittivity, Young's modulus, or the like, and to provide an insulation film manufacturing method.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The fabrication method comprises a step for forming a metallization containing Cu by filling the trench of the interlayer insulation film with a metal containing Cu, and a step for forming an insulation film of an insulation material containing no oxygen selectively on the metallization containing Cu.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部にＣｕを含む金属を埋め込んでＣｕを含む金属配線を形成する配線形成工程と、上記Ｃｕを含む金属配線に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を選択的に形成する絶縁膜形成工程とを有する。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having interconnection or plugs buried in an insulation film in which an oxide film can be removed from the surface of a lower interconnection while preventing intrusion of copper from a via hole or a trench into an interlayer insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に埋め込まれる配線又はプラグを有する半導体装置の製造方法に関し、ビアホール又は溝から層間絶縁膜への銅の侵入を防止しながら下側の配線の表面の酸化膜を除去すること。 - 特許庁

To improve reliability in the interlayer insulation and insulation to the ground of an electromagnetic coil that is composed of a strand conductor to energize an AC and is used under environment exposed by radiation, and to provide a method for reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

交流を通電するためにストランド導体で構成され、放射線に曝される環境で用いられる電磁コイルの、層間絶縁と対地絶縁の信頼性を向上し、製造コストを低減する方法を提供すること。 - 特許庁

The structure minimizes variations caused in the manufacturing processes of the circuit board, dimension changes of the insulation base material or the insulation base material for the interlayer connection, and the like and improves the positioning accuracy of the lamination of the circuit board having the multilayer structure.例文帳に追加

これにより、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材の寸法変化等を最小にし、多層構造の回路基板の位置決め積層精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an insulation film-forming material forming a coating film having proper and uniform thickness as interlayer insulation films of semiconductor elements, excellent in heat stability, hardly generating cracks and excellent in dielectric constant characteristics.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性に優れた膜形成用形成材料を提供する。 - 特許庁

As a result, outflow of resin after impregnation need not be considered, thus interposing a sufficient amount of resin between the conductors by using the resin having low viscosity, hence improving interlayer insulation and insulation to the ground.例文帳に追加

このため、含浸後の樹脂の流出を考慮する必要がないので、低粘度の樹脂を用いることで導体の間に十分な量の樹脂を介在させることが可能となり、層間及び対地絶縁特性が向上する。 - 特許庁

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第１磁性層、トンネル絶縁膜、および第２磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a stator in which an interlayer insulating material is not damaged easily at the coil end during a coil end shaping process or a lacing process and high insulation performance can be ensured, and to provide an insulation method between the coil phases in the stator.例文帳に追加

コイルエンドの成形工程やレーシング工程などの際に、コイルエンドにおける相間絶縁材が破損を生じ難く、高い絶縁性能を確保することのできるステータと該ステータにおけるコイル相間の絶縁方法を提供する。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 121 of an underlying metallization layer (not shown), a capacitor element C1 is formed of a capacitor insulation film 14 and an overlying metal pattern 15 in a specified region on a specified metallization metal 13.例文帳に追加

直下のメタル配線層（図示せず）の層間絶縁膜１２１上において、所定の配線層メタル１３上の所定領域にキャパシタ絶縁膜１４及びその上のメタルパターン１５とで構成される容量素子Ｃ１を有する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, the common electrode 110 is formed on an organic passivation film 109 in a matted manner in plane, the interlayer insulation film 111 is formed on the common electrode 110, and a comb-teeth-shaped pixel electrode 112 is formed on the interlayer insulating film 111.例文帳に追加

有機パッシベーション膜１０９の上に平面ベタでコモン電極１１０が形成され、コモン電極１１０の上に層間絶縁膜１１１が形成され、層間絶縁膜１１１の上に櫛歯状の画素電極１１２が形成されている。 - 特許庁

To provide an interlayer film for a transparent laminate superior in adhesiveness to a transparent glass plate and transparent resin sheet, and, superior in noise insulation property at approximately normal temperature and a tranparent laminate made by using the interlayer film for the tranparent laminate.例文帳に追加

透明ガラス板及び透明樹脂板に対する接着性に優れるとともに、常温付近で優れた遮音性能を有する透明積層体用中間膜、及び、該透明積層体用中間膜を用いてなる透明積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a hardenable resin film and an electrically insulative material capable of simultaneously filling through-holes bored on the film and forming interlayer insulation layers and of producing built-up multi-layer printed-circuit boards by using the interlayer insulating layer in no need of grinding step.例文帳に追加

スルーホールの穴埋め及び層間絶縁層を同時に形成することができ、さらにこれを用いて、研磨工程が不必要となり、ビルドアップ多層プリント配線板を製造することができる硬化性樹脂フィルムと絶縁材料を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on the interlayer insulation film 2 by photoengraving, and a substrate is etched while the resist pattern 5 is used as a mask, so as to form a trench 6 connected with the via hole 3.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に写真製版によりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をマスクとしたエッチングによりビアホール３に接続するトレンチ６を形成する。 - 特許庁

To control inverter operation so that the occurrence of partial discharge, which leads to interlayer insulation breakdown between coil windings, is prevented in a motor drive system that drives a motor by an inverter.例文帳に追加

電動機をインバータ駆動する電動機駆動システムにおいて、コイル巻線間の層間絶縁破壊に至る部分放電の発生を防止するようにインバータ動作を制御する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor capable of preventing a short circuit due to voids in an interlayer insulation film between the wirings of the aspect ratio of 2.5 or more.例文帳に追加

アスペクト比が２．５以上の配線間において層間絶縁膜中のボイドによる短絡を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant, is free from generation of gases, including CF_x and SiF_4, and is stable, and to provide a wiring structure that includes the film.例文帳に追加

低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film 270 making up a P-channel TFT, which is a load element, is formed at the upper part of the flattened buried wiring 224 via an interlayer insulation film 268.例文帳に追加

負荷素子であるＰチャネルＴＦＴを構成するポリシリコン膜２７０は、平坦化された埋込配線２２４の上部に層間絶縁膜２６８を介して成膜される。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 118 is formed on a base plate, and thereafter, a contact hole 119, reaching a conductor plug 111b and a conductor plug 111c, is formed.例文帳に追加

基板上に、第２の層間絶縁膜１１８を形成した後、導体プラグ１１１ｂ及び導体プラグ１１１ｃに到達するコンタクトホール１１９を形成する。 - 特許庁

Next, after an SiO2 film 6 is formed on the plug 4 and the interlayer insulation film 2, a recess part 6a is formed on the SiO2 film 6 so as to expose the upper face of the plug 4.例文帳に追加

次に、プラグ４上および層間絶縁膜２上にＳiＯ_2膜６を形成した後、プラグ4の上面が露出するようにＳiＯ_2膜６に凹部６aを形成する。 - 特許庁

In a third-layer interlayer insulation film 11 formed between the second-layer metal 9 and a third-layer metal 15, a second via 13 and a second dummy via 13a are formed.例文帳に追加

第２層目メタル９と第３層目メタル１５の間に設けられた第３層目層間絶縁膜１１に第２ＶＩＡ１３と第２ダミーＶＩＡ１３ａが形成されている。 - 特許庁

At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.例文帳に追加

ドライエッチングにより層間絶縁膜２４に開口部２４ａを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層１２ａに吸収される。 - 特許庁

Then, a trench 19 is so formed as to penetrate the interlayer insulation films 17 and 18, and an interconnection 20a is so formed as to be embedded in the trench 19.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８を貫通する溝１９を設け、この溝１９内へ埋め込むように配線２０ａを形成する。 - 特許庁

Then, a metal film 14 is so formed as to cover the surface of the interlayer insulation film 12, the internal walls of the interconnection trenches 13, and the lower layer interconnections 11 by sputtering, CVD, or the like.例文帳に追加

次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。 - 特許庁