「interlayer insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulation film 12 is formed on a substrate plane 10a of a semiconductor substrate 10 in such a manner as to cover lower layer interconnections 11, and interconnection trenches 13 are formed in the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

半導体基板１０の基板面１０ａ上に、下層配線１１を覆って層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２に配線溝１３を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring structure where an inter-wiring capacity is reduced while keeping a mechanical strength or breakdown voltage of an interlayer insulation film, in an interlayer insulation film including a low permittivity insulating material.例文帳に追加

低誘電率絶縁材料を含む層間絶縁膜において、層間絶縁膜の機械的強度や耐圧を維持しつつ配線間容量を低減した配線構造を提供する。 - 特許庁

To prevent hydrogen from being diffused under a capacitive element through a first interlayer insulation film from an opening for a conductive plug made in the first and second interlayer insulation films.例文帳に追加

水素が第１及び第２の層間絶縁膜に形成される導電性プラグ用開口部から第１の層間絶縁膜の内部を拡散して容量素子の下方に至る事態を防止する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 118 is formed on the insulating hydrogen anti-permeation film 116 and a third conductive plug 119 is embedded in the second interlayer insulation film 118.例文帳に追加

絶縁性水素透過防止膜１１６の上には第２の層間絶縁膜１１８が形成され、第２の層間絶縁膜１１８には第３の導電性プラグ１１９が埋め込まれている。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 104 is accumulated on a lower metal wiring 103 formed on a semiconductor substrate 100, a through-hole 105 is formed on the interlayer insulation film 104.例文帳に追加

半導体基板１００の上に形成された下層の金属配線１０３の上に層間絶縁膜１０４を堆積した後、層間絶縁膜１０４にスルーホール１０５を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation 16 is formed on the semiconductor substrate 11 so that the ferro- electric capacitor is covered, and electrode wiring 17 is formed on the interlayer insulation 16.例文帳に追加

半導体基板１１の上には、強誘電体キャパシタを覆うように層間絶縁膜１６が形成され、層間絶縁膜１６の上には電極配線１７が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 23 is formed on the first principal surface of the silicon substrate 10 and on the through electrode 36, and an internal electrode 32 is formed on the interlayer insulation film 23.例文帳に追加

シリコン基板１０の第１の主面上及び貫通電極３６上に層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３上に内部電極３２が形成される。 - 特許庁

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加

下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁

A semiconductor device according to this invention includes: a first copper alloy wiring disposed in a first interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component; a second interlayer insulation film formed on the first interlayer insulation film; and a second copper alloy wiring disposed in the second interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。 - 特許庁

To provide a device and method for producing an insulation wire, saving energy and capable of allowing an insulation layer to have good insulation characteristics and interlayer adhesion.例文帳に追加

省エネルギーで、絶縁層の絶縁特性および層間密着性を良好にできる絶縁電線の製造装置および絶縁電線の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, a second interlayer insulating film 14 extended from the integrated circuit region 31 covers the three dummy insulation film patterns 20, and three dummy insulation film patterns 21 are formed at a fixed interval also in the second interlayer insulation film 14.例文帳に追加

また、集積回路領域３１から延びた第２層間絶縁膜１４が３つのダミー絶縁膜パターン２０を覆っており、第２層間絶縁膜１４にも、３つのダミー絶縁膜パターン２１が一定間隔で形成されている。 - 特許庁

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁

Damascene trenches reaching the lower interconnections are made in the interlayer insulation film with the minimum dimensions of lithograph.例文帳に追加

層間絶縁膜に、下部配線に到達するダマシン溝をリソグラフの最小寸法で形成する。 - 特許庁

Between the third interlayer insulation film 14 and the drain interconnection 15, a gap 16 is formed.例文帳に追加

第３層間絶縁膜１４とドレイン配線１５との間には、隙間１６が生じている。 - 特許庁

To provide a laminated glass having an excellent noise insulation and excellent adhesive strength with glass and an interlayer film.例文帳に追加

遮音性に優れ、ガラスと中間膜との接着力に優れた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

Then, after an interlayer insulation film is formed, a contact hole reaching the first wiring is formed.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜を形成した後、第１の配線に達するコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びマイクロレンズ、並びにそれらの製造方法 - 特許庁

A dummy pattern 41 is formed in a third interlayer insulation film in a peripheral region 2 of a wafer 1.例文帳に追加

ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。 - 特許庁

The contact hole 30h is partitioned by sidewalls 31 of the interlayer insulation films 20, 30.例文帳に追加

コンタクトホール３０ｈは層間絶縁膜２０および３０の側壁３１によって規定されている。 - 特許庁

To provide a resin composition that has excellent electric characteristics and laser processability of an interlayer insulation layer.例文帳に追加

電気特性・層間絶縁材層のレーザー加工性に優れる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Metal wiring 5 is formed on an interlayer insulation film 1 so as to be in contact with the plug 3.例文帳に追加

プラグ３に接触するように、層間絶縁膜１の上にメタル配線５を形成する。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film without any gap in an area narrow in the interval of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の間隔が狭い領域においても、層間絶縁膜を隙間無く形成する。 - 特許庁

An aperture for via-hole 42 is formed on an interlayer insulation layer 40 on a core board 30.例文帳に追加

コア基板３０上の層間樹脂絶縁層４０に、レーザでバイアホール用開口４２を形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND INTERLAYER INSULATION FILM, MICROLENS, AND METHOD FOR PRODUCING THOSE例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズとそれらの製造方法 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS AND METHOD FOR FORMING THOSE例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法 - 特許庁

A first opening 2a is formed on the first interlayer insulation film 2, and this alignment mark M1 is constituted.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２に第１の開口２ａを形成し、アライメントマークＭ_1を構成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THOSE例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法 - 特許庁

A first interlayer insulation film 104 is formed on the semiconductor substrate to cover the transistor.例文帳に追加

次に、トランジスタを覆うように半導体基板上に第１の層間絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a highly reliable stabilized interlayer insulation film having low permittivity.例文帳に追加

信頼性が高く安定で低誘電率を有する層間絶縁膜の形成方法を与える。 - 特許庁

To suppress cracks generated on an interlayer insulation film between wiring by an impact at the time of wire bonding.例文帳に追加

ワイヤボンディング時の衝撃により配線間の層間絶縁膜に生じるクラックを抑制する。 - 特許庁

Thus, the insulation film layer of proper quality, which indicates a low dielectric constant advantageous as an interlayer insulating film is formed on the insulation film.例文帳に追加

これにより、前記絶縁膜上に、層間絶縁膜として有利な低誘電率を示す良質な絶縁膜層が形成される。 - 特許庁

Since a via conductor 34 formed on an insulation layer 32 and a via conductor 70 formed on interlayer resin insulation layer 68 are tapered in the opposite directions, directions of warpage of the insulation layer 32 and the interlayer resin insulation layer 68 are reversed, thus offsetting generated stresses.例文帳に追加

絶縁層３２に形成されるビア導体３４と、層間樹脂絶縁層６８に形成されるビア導体７０とが、テーパの方向が逆であるので、該絶縁層３２と該層間樹脂絶縁層６８とで生じる反りの方向が逆となって、発生する応力を互いに打ち消し合う。 - 特許庁

Diameter of an opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 is larger than the diameter of the opening 15a of the protective insulation film 15, and edge of the opening 15a of the protective insulation film 15 is formed in such a way that it projects toward the inside of the opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 like eaves.例文帳に追加

層間絶縁膜９の凹部１０の開口径は保護絶縁膜１５の開口部１５ａの開口径よりも大きく、且つ保護絶縁膜１５の開口部１５ａ側の端部は、層間絶縁膜９の凹部１０の側面から内側に突き出す庇状に形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 5, a contact 7 and wirings 8a, 8b are formed on MOS transistors 4a, 4b formed on a silicon board 1, and further an interlayer insulation film 9 and a contact 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたＭＯＳトランジスタ４ａ、４ｂ上に、層間絶縁膜５、コンタクト７及び配線８ａ、８ｂを形成し、更に層間絶縁膜９及びコンタクト１０を形成する。 - 特許庁

The top surface of lower wiring layer 3 is covered with interlayer insulation film 5, and lower wiring layer 3 is connected with bump pads 6 via through-holes 14 formed in the interlayer insulation film 5.例文帳に追加

下層配線層３の上面は層間絶縁膜５により覆われており、層間絶縁膜５に形成されたスルーホール１４を介して下層配線層３はバンプ用パッド６に接続されている。 - 特許庁

To provide high performance TFT characteristics by using the interlayer insulation film of a low defect density in a polysilicon TFT substrate, and to shorten the evaluation period of the TFT substrate by measuring the E' center density of the interlayer insulation film beforehand and predicting the TFT characteristics.例文帳に追加

本発明によるポリシリコンＴＦＴ基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なＴＦＴ特性を提供することを目的とする。 - 特許庁

The process of forming the top electrode comprises processes of forming an interlayer insulation film on the base film 8 and on the dielectric film 12, forming an opening existing above the dielectric film in the interlayer insulation film, depositing a conductor inside the opening and on the interlayer insulation film, and forming the top electrode by removing the conductor from above the interlayer insulation film.例文帳に追加

上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for producing a composition for forming an insulation film capable of forming an interlayer insulation film excellent in low dielectric constant, elastic modulus, etc.例文帳に追加

低比誘電率、弾性率等に優れた層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22, of the same material provided on a base film 21, is then pressed against the insulation material 20 for adhesion, while being heated at a low temperature.例文帳に追加

次に、ベースフィルム２１に設けた同一材料の層間絶縁材２２を低温度で加熱しながら密着用絶縁材２０に押圧する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 4 is formed entirely on the major surface of a semiconductor substrate 1 on which an insulation film 2 and a metal wiring 3 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２及び金属配線３が形成された半導体基板１の主面上の全面に層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 18 and each electrode are formed, a silicon nitride film is formed by plasma CVD as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

Thereafter, a silicon oxide film including at least one side of phosphorus (P) and boron (B) is formed on the protective insulation film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

その後、保護絶縁膜上に、層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する。 - 特許庁

Then, a third insulation film for an interlayer insulation film is formed after forming a second insulating film which is an amorphous compound consisting of fluorine and carbon working as an etching stopper during etching of an interlayer insulation film, on the semiconductor element.例文帳に追加

次に、前記半導体素子上に層間絶縁膜のエッチング時にエッチングストッパーとして働く、フッ素と炭素から成るアモルファス状の化合物である第２の絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁