「inversion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent inversion of magnetization of a record layer by disturbance magnetic field.例文帳に追加

記録層の磁化が外乱磁場によって反転することを防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor capacitance device in which an inversion layer is easily formed.例文帳に追加

反転層が形成され易い半導体容量装置を提供する。 - 特許庁

To prevent n type inversion, and to reduce inter-n type diffusion layer leakage currents.例文帳に追加

ｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

An inversion layer in the silicon substrate is prevented from being formed by phosphorous.例文帳に追加

リンによってシリコン基板における反転層の形成を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor which can reduce burrs occurring in the edge of an inversion pattern in an inversion gate layer.例文帳に追加

反転ゲート層における反転パターンの縁部に生じるバリを減少させることが可能な電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a phase inversion layer can be interposed between the light-transmissive substrate and the chromium light shielding layer.例文帳に追加

投光基板とクロム遮光層間に位相反転層がさらに形成されうる。 - 特許庁

The antireflection film 1 includes an insulating layer 4 for phase inversion on the light-shielding metal film 3, a surface metal layer 5 on the insulating layer 4 for phase inversion, and a protection film 6 on the surface metal layer 5.例文帳に追加

反射防止膜１は、遮光用金属膜３の上層にある位相反転用絶縁層４と、この位相反転用絶縁層４の上層にある表層金属層５と、表層金属層５の上層にある保護膜層６と、を備える。 - 特許庁

The polarity inversion layer 16 has the unevenness formed by wet etching.例文帳に追加

極性反転層１６はウエットエッチングにより形成された凹凸を有している。 - 特許庁

The inversion layer is formed on a surface of a semiconductor substrate and provided with a negative temperature characteristic.例文帳に追加

前記反転層は半導体基板の表面に形成され、負の温度特性を有する。 - 特許庁

INNER BAG FOR BAG-IN-BOX, WHICH FACILITATES INVERSION OF INNER LAYER BAG, AND METHOD FOR TAKING OUT CONTENT例文帳に追加

内層袋の反転が容易なバッグインボックス用内袋、及び、内容物の取り出し方法 - 特許庁

In the laser projection apparatus, a polarization inversion layer 3 is formed on a LiTaO_3 substrate 1 and then an optical waveguide is formed thereon.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ_３基板１に分極反転層３を形成した後、光導波路を形成する。 - 特許庁

In this laser apparatus, a polarization inversion layer 3 is formed on a LiTaO_3 substrate 1 and then an optical waveguide is formed thereon.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ_３基板１に分極反転層３を形成した後、光導波路を形成する。 - 特許庁

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42.例文帳に追加

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。 - 特許庁

The invention relates to a nonvolatile magnetic memory in which a magnetization inversion layer of a ferrimagnetic structure antiferromagnetically coupled weakly with a stationary layer is reversed by a magnetic field from magnetization inversion control layers and the magnetization directions of the magnetization inversion control layers are fixed being faced to both sides of the magnetization inversion layer.例文帳に追加

本発明は、固定層と接して弱く反強磁性結合しているフェリ磁性構造の磁化反転層を磁化反転制御層からの磁場で反転させる構造とし、磁化反転制御層の磁化方向を磁化反転層の両サイドに互いに向き合った状態に固定させたことを特徴とする不揮発性磁気メモリに関する。 - 特許庁

For offsetting the negative temperature characteristic of the inversion layer, a voltage having the positive temperature characteristic is given to the gate electrodes of the control transistors which form the inversion layer.例文帳に追加

反転層の負の温度特性を相殺するのに、反転層を形成する制御トランジスタのゲート電極には正の温度特性を有する電圧を与える。 - 特許庁

A first p-type inversion area 5a is formed in the first window layer 4a, and a second inversion area 5b is formed in the second window layer 4b.例文帳に追加

第１の窓層４ａ内には第１のｐ型反転領域５ａが形成され、第２の窓層４ｂ内には第２のｐ型反転領域５ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a polarity inversion equipment for a layered electric double layer capacitor which can prevent an excess voltage drop of the electric double layer capacitor cell in which the self-discharge is large in the polarity inversion and extend the lifetime.例文帳に追加

極性反転したときに自己放電の大きな電気二重層キャパシタセルの電圧の下がり過ぎを防止し寿命を延長することが可能な積層型電気二重層キャパシタ用極性反転装置を提供するにある。 - 特許庁

The photo-detector 15 has a p-type first impurity region (surface inversion layer) 6 formed on the semiconductor substrate 1 and an n-type second impurity region (photoelectric conversion region) 4 formed under the surface inversion layer 6.例文帳に追加

受光部１５は、半導体基板１に形成されたｐ型の第１不純物領域（表面反転層）６と、表面反転層６の下に形成されたｎ型の第２不純物領域（光電変換領域）４とを有している。 - 特許庁

To provide a method and device for evaluating a semiconductor element allowing single pulse measurement, and capable of measuring an inversion layer carrier density Ns and an inversion layer sheet resistivity ρ_ch in the same measuring system.例文帳に追加

単パルス測定が可能であり、かつ、反転層キャリア密度Nsと反転層シート抵抗率ρ_chとを同一測定系にて測定できる半導体素子評価装置および半導体素子評価方法の提供。 - 特許庁

By forming the mask layer 53 using the exposure mask 30, the inversion pattern in the inversion gate layer 32 which is obtained in a subsequent process also has curved portions in corners 32e.例文帳に追加

この露光マスク３０を用いてマスク層５３を形成すると、後の工程において得られる反転ゲート層３２における反転パターンの角部３２ｅも曲部を有することとなる。 - 特許庁

Due to this structure, when removing SiO_2 deposited on side faces of the mask layer 53, there will be no remaining SiO_2, causing no burrs in the edge part of the inversion pattern of the inversion gate layer 32.例文帳に追加

これにより、マスク層５３の側面に堆積したＳｉＯ_２を除去する際にＳｉＯ_２が残留せず、反転ゲート層３２の反転パターンの縁部にバリが生じない。 - 特許庁

In a light wavelength conversion element having a LiTaO_3 substrate of a c-plate and a periodic polarization inversion layer formed on the substrate, the period Λ of the polarization inversion layer and thickness T of the substrate satisfy a relation of T<Λ/0.01.例文帳に追加

ｃ板のLiTaO_3基板と、前記基板に形成した周期状の分極反転層を有し、分極反転層の周期Λと、前記基板の厚みＴが、Ｔ＜Λ／0.0１の関係を満足する光波長変換素子。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing hydrogen where an inversion rate in the whole catalyst layer can be enhanced by increasing average temperature in the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層の平均温度を高めて触媒層全体の転化率を高めることが可能な水素製造装置および水素製造方法を提供する。 - 特許庁

The active layer 20 includes a p-type body region 22 in which an inversion layer is formed by application of voltage on the gate electrode 40.例文帳に追加

活性層２０は、ゲート電極４０に電圧が印加されることにより反転層が形成されるｐ型ボディ領域２２を含む。 - 特許庁

Furthermore, in the storage layer, effective magnitude of an anti-magnetic field received during a magnetization inversion process is smaller than the saturation magnetization of the storage layer.例文帳に追加

さらに記憶層は、その磁化反転過程で受ける実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 - 特許庁

In order to form the inversion gate layer 32 formed of SiO_2, a mask layer 53 formed of resist is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_２からなる反転ゲート層３２を形成するために、レジストからなるマスク層５３を形成する。 - 特許庁

The defect-suppressing layer 205 is of p-type, and the photodiode 208 and the inversion layer 209 are of n-type.例文帳に追加

欠陥抑制層２０５はＰ型となっており、フォトダイオード２０８と反転層２０９とはＮ型となっている。 - 特許庁

To improve the characteristics of a memory layer such as the inversion of magnetization and the maintenance of the magnetization direction of the memory layer in a magnetoresistance effect device.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。 - 特許庁

A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.例文帳に追加

リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

In the state of forming an inversion layer 33 and a depletion layer 35 by electrodes 32 and 34, a current generated by the re-coupling of charges at the localized level existing in the area of the depletion layer 35 flows through the inversion layer 33 between the electrode 36 and the electrode 31e.例文帳に追加

電極３２，３４によって反転層３３及び空乏層３５を形成した状態において、空乏層３５の領域に存在する局在準位における電荷の再結合によって生じる電流は、電極３６と電極３１ｅとの間の反転層３３を流れる。 - 特許庁

A threshold of formation of a population inversion layer between the first part of the gate insulating film and the bottom-end part of the p-type base layer is equal to or larger than a threshold of formation of a population inversion layer between the second part of the gate insulating film and the upper-end part of the p-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の第１の部分とｐ形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第２の部分とｐ形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上である。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

Using this inversion printing ink and an inversion printing method, the color filter layer, the black matrix, etc., of the liquid crystal color filter are printed.例文帳に追加

この反転印刷用インキを用いて、反転印刷方法により、液晶カラーフィルタのカラーフィルタ層やブラックマトリックスなどを印刷形成する。 - 特許庁

An inversion constraint structure 40 is provided to prevent any inversion of the conduction type on the top surface of the semiconductor layer 26 located between the switching device regions 12 and 16 lying adjacent to each other.例文帳に追加

隣接するスイッチング素子領域１２とスイッチング素子領域１６の間に位置する半導体層２６の表面の導電型が反転するのを抑制する反転抑制構造４０が設けられている。 - 特許庁

A manufacturing method of polarization inversion has a step for forming a periodic polarization inversion layer in a LiNb_xTa_1-xO_3(0≤x≤1) crystal on a c-plate and a step for irradiating the surface of the crystal with plasma.例文帳に追加

ｃ板のLiNb_xTa_1-xO_3（０≦ｘ≦１）結晶に周期状の分極反転層を形成する行程と、前記結晶表面にプラズマを照射する行程とを、有することを特徴とする分極反転の製造方法。 - 特許庁

The wavelength conversion device has a domain inversion layer 50, an n-type first clad layer 60, a waveguide layer 70, a p-type second clad layer 80, and a cap layer 85 laminated in order on a first main surface 11 of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の第１主表面１１上に、ドメイン反転層５０、ｎ型の第１クラッド層６０、導波路層７０、ｐ型の第２クラッド層８０及びキャップ層８５を順に積層して備えている。 - 特許庁

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed.例文帳に追加

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 - 特許庁

In the inversion period, supply of positive charges from the drain of the transistor to the oxide semiconductor layer is promoted.例文帳に追加

反転期間において、当該トランジスタのドレインから酸化物半導体層に対する正電荷の供給が促進される。 - 特許庁

Next, a p-type diode base region 162 is formed within the well region 121d for diode simultaneously, when an inversion preventing layer 161 is formed.例文帳に追加

次に、反転防止層１６１の形成と同時にダイオード用ウェル領域１２１ｄ内にＰ型のダイオードベース領域１６２を形成する。 - 特許庁

Thus, an inversion layer is formed directly under the regions 7, 7 containing the fixed charge and functioned as an extremely shallow source-drain extension.例文帳に追加

これにより、上記固定電荷を含む領域７,７直下に反転層が形成されて、極めて浅いソース・ドレインエクステンションとして機能する。 - 特許庁

When a bias of appropriate polarity and a sufficient size is given to the gate electrode, an inversion layer is formed in the channel.例文帳に追加

適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR SENDING AIR TO CROP USING FROST PROTECTION FAN EFFECTIVELY UTILIZING WARM AIR OF INVERSION LAYER AND CONTINUOUS AIR BLOWING例文帳に追加

逆転層の暖気と、継続する送風を有効利用する防霜ファンを利用した作物に対する送風方法 - 特許庁

The inversion layer 10 is formed on the one major surface 1a side or the other major surface 1a side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

反転層１０は、ＧａＮ基板１の一方の主面１ａまたは一方の主面１ａ側に形成されている。 - 特許庁

The fringe field of the floating gates forms an inversion layer on surfaces of the channel regions under the floating gates adjacent in the first direction.例文帳に追加

浮遊ゲートのフリンジ電界によって、第１の方向で隣り合う浮遊ゲート間の下のチャネル領域の表面に反転層が形成される。 - 特許庁