「inversion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily improve density inversion in an outermost layer even when using a conventional ink distribution determining means.例文帳に追加

従来のインク配分決定手段を用いた場合でも、最外郭層における濃度逆転を容易に改善する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device configured by utilizing an inversion layer induced by fixed charges, which has excellent characteristics.例文帳に追加

固定電荷により誘起した反転層を利用した構成の光電変換装置において優れた特性を有する光電変換装置を提供する。 - 特許庁

A rugged pattern of the type that is the inversion of the desired rugged pattern is formed on the surface of the synthetic resin layer 5.例文帳に追加

合成樹脂層５の表面には所望の凹凸状模様の反転タイプの凸凹状模様が形成されている。 - 特許庁

The speed-controlling belt is coated with a protecting tube in order to protect a sealed film layer on a surface of the lining material 30 after inversion.例文帳に追加

反転後のライニング材３０の表面密封フィルム層の保護のため速度調節ベルトを保護チューブにより被覆する。 - 特許庁

The impurity concentration of the inversion layer 209 is twice or higher that of the photodiode 208.例文帳に追加

ここで、反転層２０９の不純物濃度はフォトダイオード２０８の不純物濃度の２倍以上である。 - 特許庁

Thereby a part of the semiconductor layer 22 in the vicinity of the surface of the active region is inverted to a P type and a shallow inversion area 23 is formed.例文帳に追加

それによって、半導体層２２の活性領域の表面近傍がＰ型に反転し、反転領域２３が浅く形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

An inversion layer 110 induced by a voltage applied to the gate electrode 103 is contracted due to the expansion of the depletion layers 108a and 108b produced by a negative voltage applied to the second gate electrodes 106a and 106b, and the inversion layer 110 is turned into a quantum fine wire 107.例文帳に追加

ゲート電極１０３の電圧によって生じた反転層１１０が、第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂの負電圧によって形成される空乏層１０８ａ、１０８ｂの拡大により収縮し、反転層が量子細線１０７となる。 - 特許庁

There is provided a method of calculating a mobility of an inversion layer formed in a transistor, wherein the mobility in the inversion layer is calculated depending on a change in a measured value of a drain current when a gate voltage of the transistor is changed.例文帳に追加

トランジスタに形成される反転層の移動度を計算する方法であって、反転層内における移動度を、トランジスタのゲート電圧を変化させたときにおけるドレイン電流の測定値の変化に応じて計算することを特徴とする移動度の計算方法を提供する。 - 特許庁

The nonlinear optical crystal 3 presents a disk shape whose center coincides with the center of concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5 and the incident end surface 3a and emitting end surface 3b of the nonlinear optical crystal 3 have shapes along the concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5.例文帳に追加

非線型光学結晶３は、その中心が分極反転層５の同心円状パターンの中心と一致する円板形状を呈しており、非線型光学結晶３の入射端面３ａ及び出射端面３ｂは、分極反転層５の同心円状パターンに沿った形状を有している。 - 特許庁

The photo mask 30 comprises a transparent substrate 14, a phase inversion light-transmitting layer 15 which covers the whole surface of the transparent substrate 14 and a plurality of small size light-transmitting holes 21, 22, 23, 24 which are formed on specified regions selected beforehand of the phase inversion light-transmitting layer 15, at dense intervals and in a group.例文帳に追加

本発明によるフォトマスク（30）は、透明基板（14）と、透明基板（14）の全面を覆う位相反転透光層（15）と、位相反転透光層（15）の予め選択された特定の領域で、密な間隔で且つ集団で形成された複数の小寸法透光ホール（21,22,23,24）とを含む。 - 特許庁

When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204.例文帳に追加

ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。 - 特許庁

A printed resin layer 2a that is the resin layer patternized by an inversion printing method is formed on a substrate 6 on which a color filter layer is installed, and an ITO membrane 7 is film-formed on the printed resin layer 2a thus formed.例文帳に追加

カラーフィルタ層が設けられた基板６上に、反転印刷法によりパターン化された樹脂層である印刷樹脂層２ａを形成し、形成された印刷樹脂層２ａ上にＩＴＯ膜７を成膜する。 - 特許庁

An LED comprises a GaN substrate 1, an inversion layer 10, a GaN regrowth layer 11, a light emitting layer 14, a p-electrode 9b, a light emitting layer 4, a p-electrode 9a, and an n-electrode 9c.例文帳に追加

ＬＥＤは、ＧａＮ基板１と、反転層１０と、ＧａＮ再成長層１１と、発光層１４と、ｐ電極９ｂと、発光層４と、ｐ電極９ａと、ｎ電極９ｃとを備えている。 - 特許庁

The method executes an electroforming process to obtain a master substrate which is a metal board having an uneven pattern corresponding to transfer information transferred to its surface from an inversion mold having the inversion uneven pattern, and forms a magnetic layer on the uneven pattern of the master substrate.例文帳に追加

反転凹凸パターンを有する反転型より電鋳工程によって表面に転写情報に対応する凹凸パターンが転写された金属盤であるマスター基板を得、マスター基板の凹凸パターン上に磁性層を成膜した磁気転写用マスターディスクの製造方法である。 - 特許庁

A channel stopper 20 is formed between a diffusion layer 12 and a diffusion layer 13 of an ESD protective circuit 10A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing the leak current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０Ａの拡散層１２と拡散層１３との間にチャンネルストッパー２０を形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。 - 特許庁

To prevent magnetization inversion of a fixed layer due to external stress in a magneto-resistance effect type head having a multilayer ferrimagnet type fixed layer which uses IrMnCr as an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

ＩｒＭｎＣｒを反強磁性層として用いた積層フェリ型固定層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、外部ストレスによる固定層の磁化反転を防止する。 - 特許庁

So, an inversion bias voltage is applied, and even if a depletion layer reaches the n+ layer 103, the abrupt enlargement-stop with the depletion layer is suppressed, resulting in suppressed voltage oscillation.例文帳に追加

これにより逆バイアス電圧が印加され、空乏層がｎ^+層１０３に到達しても、空乏層の拡大停止が急激となることが抑制でき、電圧振動が抑制される。 - 特許庁

With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加

このような構造では、第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂのうちの第１ゲート電極８ａのみをオンさせることで、ｐ型ベース領域３に対して反転層を形成しながらも、その反転層がｎ^-型ドリフト層２とｎ^+型不純物領域４とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁

The gold layer 2 excites a surface plasmon resonance light with the visible laser light V, an organic dyestuff layer 3 is excited through irradiation with an optical pulse P_7 from an optical pulse generator 7 go into a population inversion state which changes with time, and the extinction coefficient k_3 of the organic dyestuff layer 3 is made negative, according to the change in the population inversion state with the time.例文帳に追加

金層２において可視レーザ光Vによって表面プラズモン共鳴光を励起し、光パルス発生器７から光パルスP_7を照射して有機色素層３を励起して時間的変化する反転分布状態にし、反転分布状態の時間的変化に応じて有機色素層３の消衰係数k_3を負とする。 - 特許庁

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.例文帳に追加

電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁

A translucent electrode 20 formed of ITO is formed on the polarity inversion layer 16, and an electrode 30 is formed on an exposed surface of the n-contact layer 11.例文帳に追加

極性反転層１６の上にはＩＴＯから成る透光性電極２０が、ｎコンタクト層１１の露出面上には電極３０が形成されている。 - 特許庁

The device comprises an inversion layer 209 on boundary parts of a defect-suppressing layer 205, provided on the sidewalls of trenches 203 for isolating pixels and a photodiode 208.例文帳に追加

画素分離のためのトレンチ２０３の側壁に設けられた欠陥抑制層２０５とフォトダイオード２０８との境界部分に反転層２０９を設ける。 - 特許庁

The active layer 20 includes a body region 22 in which an inversion layer 29 is formed in the region contacting the gate oxide film 30 by applying a voltage to the gate electrode 40.例文帳に追加

活性層２０は、ゲート電極４０に電圧が印加されることによりゲート酸化膜３０に接触する領域に反転層２９が形成されるボディ領域２２を含む。 - 特許庁

Since the coercive force Hc of the fixed magnetic layer 23 can be increased by the constitution, magnetization inversion of the fixed magnetic layer 23 can be suppressed properly even if mechanical stress is generated.例文帳に追加

上記構成により前記固定磁性層２３の保磁力Ｈｃを増大させることができるので、メカニカルストレスの発生があっても前記固定磁性層２３の磁化反転を適切に抑制できる。 - 特許庁

The GaN regrowth layer 11 is formed contiguously to the inversion layer 10 at a position separated therefrom when viewed from the GaN substrate 1 and has a surface composed of Ga face.例文帳に追加

ＧａＮ再成長層１１は、ＧａＮ基板１から見て反転層１０よりも離れた位置に、反転層１０に隣接して形成されており、表面がＧａ面により構成されている。 - 特許庁

A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving.例文帳に追加

画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。 - 特許庁

The insulating layer 4 for phase inversion is formed to a film thickness of approximately λ/4n, where (n) is a refractive index thereof and λ is a target wavelength, and the surface metal layer 5 is formed to have a sheet resistance of approximately 100 to 450 Ω/sq.例文帳に追加

また、位相反転用絶縁層４は、その屈折率をｎ、対象波長の波長をλとしたときに、略λ／４ｎとなる膜厚に成膜され、表層金属層５は、シート抵抗が略１００〜４５０Ω／□となる膜厚に成膜される。 - 特許庁

A structure suppresses deterioration of the electric characteristic, which occurs due to re-coupling of an interface charge in an inversion layer just below the inactivated film and the majority carriers in the irregular levels of the high charge layer near the back electrode.例文帳に追加

本発明の構造は、不活性化膜直下の反転層に存在する界面電荷と裏面電極近傍の高電荷層不整準位内の多数キャリアとの再結合により生じる電気的特性の悪化を抑制する。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

The electronic component manufacturing method includes a step of forming a composite ink pattern layer on the mold releasing surface of a transfer board using a letterpress offset process, followed by simultaneous inversion transfer of the composite ink pattern layer onto a matter to be printed.例文帳に追加

凸版オフセット法を用いて転写板の離型性面上に、複合インキパターン層を形成した後、該複合インキパターン層を被印刷体上に同時に反転転写する工程を有する電子部品の製造方法。 - 特許庁

On the p-type layer side of the light emitting layer part 24, the oxide transparent electrode layer 30 for applying a positive polarity voltage is formed in contact with the doping layer 31 of the inversion diode part 33.例文帳に追加

酸化物透明電極層３０が正極性となるように発光層部２４に順方向駆動電圧を印加することにより、逆バイアス状態となる反転ダイオード部３３のｐ−ｎ接合をトンネル効果により通過させつつ発光層部２４に駆動電流を供給する。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

The actual magnetization of the initialization assisting layer of the optical recording medium is in parallel to a write-in layer in a temperature range of the recording process and therefore, the directions of the initial magnetization and bias magnetic field can be aligned and the initialization layer never causes the magnetization inversion any more.例文帳に追加

光記録媒体は、記録プロセスの温度範囲において、書き込み層に対して初期化補助層の正味の磁化がパラレルの状態を取る為、初期着磁と記録バイアス磁界との方向を揃えることが可能となり、初期化層が決して磁化反転を起こさなくなる。 - 特許庁

The upper electrode layer 9 has a geometric plane in such a shape that area of the plane enlarges from the incident plane side toward the outgoing plane side, to cover the polarization inversion region 5b of the core layer 5, and the lower electrode layer is connected electrically to an external electrode part 10 on the incident plane side.例文帳に追加

上部電極層９はコア層５の分極反転領域５ｂを被覆するようにして入射面側から出射面側に向かって面積が拡大する幾何学的面を有し、下部電極層は入射面側で外部電極部１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

The polarity inversion layer 20 is composed of GaN, and contains magnesium (Mg) as impurities and a polarity is inverted from a Ga polarity to an N polarity.例文帳に追加

極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。 - 特許庁

In these CMOS devices, a uniform layer of tetracene or pentacene can be used in both an N-type (inversion) device and a P-type (accumulation) device.例文帳に追加

これらのＣＭＯＳデバイスにおいては、テトラセンまたはペンタセンの一つの均質な層を、ｎタイプ（反転）デバイスおよびｐタイプ（累積）デバイスの両方で使用することができる。 - 特許庁

A driving gate electrode 8a for driving a vertical MOSFET by using a trench 6 having the same depth, and a gate electrode 8b for diode used for forming an inversion layer on the FWD side are formed.例文帳に追加

同じ深さのトレンチ６を用いて縦型ＭＯＳＦＥＴを駆動するための駆動用ゲート電極８ａとＦＷＤ側に反転層を形成するためのダイオード用ゲート電極８ｂを形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。 - 特許庁

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the coolant headers 5 are provided in the positions at a distance from the roll bite, phase inversion time of plate-out is secured and the plate-out layer is easy to form.例文帳に追加

クーラント用ヘッダー５がロールバイとより離れた位置に設置されているので、プレートアウトの転相時間を確保でき、プレートアウト層を形成しやすくなる。 - 特許庁