「magneto-resistive effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MAGNETIC SHIELD TYPE MAGNETO-RESISTIVE EFFECT MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気シールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT WITH SPACER LAYER INCLUDING NON-MAGNETIC CONDUCTOR PHASE例文帳に追加

スペーサ層が非磁性導体相を含む磁気抵抗効果素子 - 特許庁

TUNNEL MAGNETO-RESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT OF CPP STRUCTURE, AND MAGNETIC DISK SYSTEM例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT SENSOR AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ及び該センサを有する薄膜磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETIC DISK UNIT USING MAGNETIC HEAD HAVING MAGNETO- RESISTIVE EFFECT FILM例文帳に追加

磁気抵抗効果膜を有する磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING MAGNETO RESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT SENSOR AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ及び該センサを有する薄膜磁気ヘッド - 特許庁

VACUUM TREATMENT SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING TUNNEL JUNCTION MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

真空処理装置、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETO RESISTIVE EFFECT REPRODUCING HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING MAGNETIC HEAD USING MAGNETO- RESISTIVE EFFECT ELEMENT TO MAGNETIC RECORDER例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドの磁気記録装置への適用方法 - 特許庁

The thin-film layer detects outside magnetic field, thereby the reluctance of the magneto-resistive effect element is changed.例文帳に追加

薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive effect magnetic head exhibiting good reproducing properties stably.例文帳に追加

安定して良好な再生特性を示す磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE HEAD BASED ON SPIN VALVE EFFECT AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ効果に基づく磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - 特許庁

Magneto-resistive effect layers 24-27 constituting a TMR element 2 are held between the magnetic shield layers 21 and 31.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層２４〜２７は、磁気シールド層２１，３１間に挟まれる。 - 特許庁

A tunnel junction magneto-resistive effect element having a high MR ratio can be produced.例文帳に追加

ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive effect element which does not use a layered structure of a pin layer, a spacer layer or a free layer.例文帳に追加

ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To secure high sensitivity and high stability in a magneto-resistive sensor using a magneto-resistive sensor film of a GMR effect film or a TMR effect film and a magnetic flux guide.例文帳に追加

ＧＭＲ効果膜又はＴＭＲ効果膜の磁気抵抗センサ膜と磁束ガイドを用いた磁気抵抗センサにおいて、高い感度と高い安定性を確保する。 - 特許庁

This magnetic recording head is provided with an upper shield layer 31, a lower shield layer 32, a magneto-resistive effect film 10 disposed therebetween, and a pair of electrodes 31, 32 electrically joined to the magneto-resistive effect film 10.例文帳に追加

上部シールド層３１と，下部シールド層３２と，これらの間に配置された磁気抵抗効果膜１０と，磁気抵抗効果膜１０に電気的に接合された一対の電極３１，３２とを有する。 - 特許庁

To provide a magneto resistive film which is useable in an environment where a temperature change is large, and which has a smaller temperature coefficient of a magneto resistive ratio (MR ratio), and exhibits greater magneto resistive effect with the MR ratio of 5% or more, and further which has a higher electric resistivity of 10^4 μΩcm or more.例文帳に追加

本発明は，温度の変化が大きな環境で用いることが可能な，磁気抵抗比（ＭＲ比）の温度係数が小さく，且つＭＲ比の値が５％以上の大きな磁気抵抗効果を示し１０^４μΩｃｍ以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする． - 特許庁

In the magnetic head of a multichannel magneto-resistive effect type constructed in such a manner that a plurality of magneto-resistive reproducing magnetic head elements arrayed in parallel between opposing first and second magnetic shields also serving as electrodes 11 and 12, reproducing magnetic head elements by ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements are arrayed in parallel with respect to at least the ferromagnetic tunnel magneto- resistive elements.例文帳に追加

相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極１１および１２間に、磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド素子が複数個並置配列されてなるマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、その少なくとも第１の磁気シールド兼電極に対して強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子による再生磁気ヘッド素子を並置配列する。 - 特許庁

To enable performing highly accurate and high speed read-out by preventing destruction of bias effect and tunnel barrier when voltage applied to a magneto resistive element is kept at a low level and a tunnel type magneto resistive element is used as a storage element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に印加する電圧を低く保ち、トンネル型磁気抵抗素子を記憶素子に用いたときの、バイアス効果、トンネルバリアの破壊を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しを可能にする。 - 特許庁

To solve the problems such as the decline of the magneto-resistive conversion efficiency according to the decline of magnetic field induction efficiency caused by that the magnetic combination between a magneto-resistive effect element and a magnetic flux guide becomes insufficient, and the deterioration of reliability of the defective products occurring rate.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁束ガイドとの磁気的結合が不十分となることによる磁場誘導効率の低下による磁気抵抗変換効率を低下、不良品の発生率信頼性の低下等の問題を解決する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor for a pointing device having almost no constraints in layouts of a giant magneto-resistive effect element (a GMR element) and a magnet.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）や磁石のレイアウト上の制約が少ないポインティングデバイス用の磁気センサを提供すること。 - 特許庁

MAGNETO RESISTIVE EFFECT SENSOR, MANUFACTURE THEREOF AND POTENTIOMETER AND ENCODER USING THE SAME AND MANUFACTURE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子センサと、これを使用するポテンショメータ並びにエンコーダ、及び磁気抵抗効果素子センサの製造方法 - 特許庁

The reading current passed through the pair of magneto-resistive effect elements 12A, 12B flows through a sense word line 31 to the ground.例文帳に追加

一対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂを流れた読出電流は、センスワード線３１を介して接地へと流れる。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element that uses a Heusler alloy with a crystal structure having high-level regularity, whose Tunnel Magneto Resistive (TMR) ratio is high.例文帳に追加

規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD FURNISHED WITH THIS SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD OF THESE SENSOR AND HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、該センサの製造方法及び該ヘッドの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THIN-FILM PATTERN, METHOD FOR PRODUCING MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a method and a device for forming a tunnel effect magneto-resistive recording junction suitable for high surface density recording.例文帳に追加

高面密度記録に適するトンネル効果磁気抵抗記録接合を設けるための方法および装置を提供する。 - 特許庁

The reproduction efficiency can be enhanced by providing a magneto-resistive effect layer 11 on the surface opposed to the magnetic recording medium 12.例文帳に追加

磁気記録媒体１２との対向面に磁気抵抗効果層１１を構成することにより、再生効率を大幅に向上することができる。 - 特許庁

To enhance withstand voltage and to prevent the deterioration of dielectric strength due to ion milling, in gap insulating films formed on both surfaces of a magneto-resistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の両面に形成するギャップ絶縁膜の絶縁耐圧を高め、かつイオンミリングによる絶縁耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a variable resistive element which is suitable for the shunt resistor of a magneto-resistance effect element, and whose resistance value can be set correspondingly to the resistor value (RA value) of the magneto-resistance effect element after it is worked as the element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。 - 特許庁

This head is provided with a longitudinal bias layer formed to be adjacently joined to the first end surface of a magneto resistive effect film, and a conductive lead overlay layer formed to cover the longitudinal bias layer and to be electrically joined to the second end surface of the magneto resistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜における第１端面と隣接接合するように形成された縦バイアス層と、この縦バイアス層を覆うと共に、磁気抵抗効果膜における第２端面と電気的に接合するように形成された導電リードオーバーレイ層とを含むように構成する。 - 特許庁

A pair of side shield layers made of parts of the upper shield layer 31 are formed in both sides of the magneto-resistive effect film 10, and a space between the side shield layer and the magneto-resistive effect film 10 is set narrower than a space which is double of a space between the upper shield layer 31 and the lower shield layer 32.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜１０の両横に，上部シールド層３１の一部からなる一対のサイドシールド層を形成し，サイドシールド層と磁気抵抗効果膜１０の間隔を，上部シールド層３１と下部シールド層３２との間隔の２倍より狭く形成する。 - 特許庁

Alternatively, the magnetic head is composed by using an resistive effect element or a huge magneto-resistive effect element almost having no inductance component, and the magnetic head is connected to the rotary coil of the rotary transformer 10.例文帳に追加

あるいはインダクタンス成分を殆どもたない磁気抵抗効果素子又は巨大磁気抵抗効果素子を用いて磁気ヘッドを構成し、該ヘッドをロータリートランスのローターコイルに接続する。 - 特許庁

To manufacture an element wherein a giant magneto-resistive(GMR) effect or tunnel magneto-resistance(TMR) effect is well provided by precisely controlling the thickness of a spacer, cluster electrode, or cluster electrode layer and selecting an appropriate material.例文帳に追加

スペイサ−の厚さ、あるいは、クラスタ電極の厚さ、または、クラスタ電極層の厚さを精密に制御するとともに、適切な材料選択により、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果、あるいは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

The interval d2 between the magnetic shield layers 21 and 31 near the both sides of track width direction of the magnetic resistance effect layers 24-27 is smaller than the interval d1 of the magnetic shield layers 21, 31 of a part holding the magneto-resistive effect layers 24-31 between them.例文帳に追加

磁気抵抗効果層２４〜２７のトラック幅方向の両側付近の磁気シールド層２１，３１間の間隔ｄ２は、磁気抵抗効果層２４〜２７を挟んでいる箇所の磁気シールド層２１，３１間の間隔ｄ１より小さい。 - 特許庁

To accurately form a magnetoresistive effect device including a structure wherein a magneto-resistive effect element is disposed between a pair of electrode layers disposed at an interval in the direction of thickness.例文帳に追加

厚み方向に間隔を開けて配置された一対の電極層の間に磁気抵抗効果素子が配置された構造を有する磁気抵抗効果装置を精度よく形成する。 - 特許庁

The method of evaluating the magnetic head provided with a magneto-resistive effect reproducing element in a reproducing head part includes the steps of: measuring a QST waveform of the magneto-resistive effect reproducing element; determining linearity of the QST waveform; and evaluating the magnetic head where the QST waveform has no linearity as "not stable".例文帳に追加

本発明に係る磁気ヘッドの評価方法は、再生ヘッド部に磁気抵抗効果型再生素子を備える磁気ヘッドの評価方法であって、前記磁気抵抗効果型再生素子のＱＳＴ波形を測定する工程と、前記ＱＳＴ波形の直進性の判定を行う工程と、前記ＱＳＴ波形が直進性を有しない前記磁気ヘッドを「安定性無し」と評価する工程と、を備える。 - 特許庁

This method is characterize in comprising a step of including a magnetic sensitive layer with a magnetization in plane, forming a current perpendicular to plane type magneto resistive effect film 4 which perpendicularly runs the sense current to a film plane and carrying out patterning into a component configuration, and a step of forming a magnetic yoke 12 which covers the magneto resistive effect film 4 carried out patterning into the component configuration.例文帳に追加

膜面内に磁化を有する感磁層を備え、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す面内垂直通電型の磁気抵抗効果膜４を形成し、素子形状にパターニングする工程と、素子形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜４を覆う磁気ヨーク１２を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

For this thin-film magnetic head of a yoke magneto-resistance effect type, field guidance auxiliary yokes 4A and 4B are connected at least magnetically to the side wall of the magneto-resistive element 3 of the yoke gap 6G portion of a field guidance yoke 6.例文帳に追加

ヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁界誘導ヨーク６のヨークギャップ６Ｇ部分の磁気抵抗効果素子３の側壁に磁界誘導補助ヨーク４Ａ、４Ｂのそれぞれが少なくとも磁気的に接続される。 - 特許庁

The magnetic head device, which uses a magneto-resistive element, has an insulating oxidized film 80 which is provided on a bias magnetization applying film 24 and prevents a sense current from flowing from an electrode section 23 to the bias magnetization applying film 24 to make the end section of a magneto-resistive effect film 28 into magnetically blind section.例文帳に追加

磁気抵抗素子を使用する磁気ヘッド装置であって、バイアス磁化印加膜２４上に設けられて、電極部２３からバイアス磁化印加膜２４へのセンス電流の流れを阻止して、かつ磁気抵抗効果膜２８の端部を磁気的な不感帯にするための絶縁用酸化膜８０とを有する磁気ヘッド装置が開示されている。 - 特許庁

To prevent reduction in reproduction output even in a narrow track width in a CPP-type magneto-resistive effect head to reduce magnetic noise and improve a head SNR.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドにおいて狭トラック幅においても再生出力の低下を防止し、マグノイズを低減してヘッドＳＮＲを向上させる。 - 特許庁