「memory density」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device in which a TAT required from obtaining data of memory information to shipping of a ROM can be shortened while attaining high memory density per memory cell.例文帳に追加

メモリセル当りの記憶密度を高めながら、記憶情報のデータ入手からＲＯＭ出荷までのＴＡＴを短縮することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a large number of arrays can be stacked in order to form a high density memory device.例文帳に追加

更に、高密度のメモリデバイスを形成するために、多数のアレイを積み重ねることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein fuses can be arranged at higher density.例文帳に追加

より高密度にフューズを配置することを可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ultra-high density magnetic memory which overcomes drawbacks of conventional ones.例文帳に追加

従来の磁気メモリの欠点を克服する超高密度の磁気メモリを提供すること。 - 特許庁

To reduce influence of proximity effect caused by high density characteristics of the memory cell array.例文帳に追加

メモリ・セル・アレイの配列の稠密特徴が引起こす近接効果の影響を減らす。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device with high density integration especially in the bit line direction.例文帳に追加

特にビット線方向における集積度が高い強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high density, bidirectional reading/programming nonvolatile memory cell and its array.例文帳に追加

高密度な双方向性読出し／プログラム不揮発性メモリセル及び配列を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING REDUCED MEMORY LOW DENSITY PARITY CHECK (LDPC) CODE例文帳に追加

減少されたメモリの低密度パリティチェック（ＬＤＰＣ）コードを提供する方法および装置 - 特許庁

The secondary memory node layer 48d is a dielectric layer with a trap site of a predetermined density.例文帳に追加

第二メモリノード層４８ｄは、所定密度のトラップサイトを有する誘電層である。 - 特許庁

To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity.例文帳に追加

４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide high density memory cells by reducing the current when writing.例文帳に追加

書き込み時の電流を低減し、記憶セルの高密度化を実現することを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can obtain a non-volatile memory having higher integration density.例文帳に追加

より集積度の高い不揮発性メモリを実現可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

ULTRA-HIGH DENSITY DATA STORAGE DEVICE USING PHASE-CHANGE DIODE MEMORY CELLS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化ダイオードメモリセルを用いる超高密度データ記憶デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a large-capacity semiconductor memory device which can be integrated at high density with a low cost without involving an increase in the surface area of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの面積を増やすことなく高集積化し、低コストでより大容量の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This configuration enables efficient usage, which enhances the recording density of the memory, and enables the improvement of the memory lifetime.例文帳に追加

この構成により、メモリの記録密度を高めた効率的な利用が可能となり、またメモリ寿命を高めることが可能となる。 - 特許庁

To provide a technology for forming a phase variation memory having stepwise programming characteristics and for forming a phase variation memory with high density.例文帳に追加

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリを形成し、相変化メモリの高密度化をはかる手法を提供する。 - 特許庁

To provide an element structure for realizing multi-valued memory function for enhancing the recording density of a ferroelectric memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の記録密度を高めるために、メモリ機能の多値化を実現するための素子構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-density magnetic memory element having a simple structure, a magnetic memory device using the element and an information recording/regenerating apparatus using the element.例文帳に追加

単純な構成で、高密度の磁気メモリ素子、これを用いた磁気メモリデバイス、情報記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory wherein bit density is improved by three-dimensionally arranging cells, and a method for manufacturing the semiconductor memory.例文帳に追加

セルを３次元配置することでビット密度を向上させることができる半導体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In density correction, the density correcting section 153 carries out calibration processing using other dither pattern excluding the dither pattern in the memory.例文帳に追加

濃度補正部１５３は、濃度補正時に、このメモリ内にあるディザパターンを除外して、他のディザパターンを用いてキャリブレーション処理を実行する。 - 特許庁

An adjacent pixel density difference detection part 8 finds the absolute value of a density difference between a pixel of interest and an adjacent pixel in an image memory 9 and selects the density of the adjacent pixel whose value is large as density determining a threshold.例文帳に追加

隣接画素濃度差検出部８では、画像メモリ９内の注目画素と隣接画素について、濃度差の絶対値を求め、その値の大きい隣接画素の濃度を、閾値を決定する濃度として選択する。 - 特許庁

To provide a control method of an adaptive hybrid density memory storage device suitable for locating a file data in a storage device, and also to provide an adaptive hybrid density memory storage device.例文帳に追加

ファイルデータを記憶装置の中に配置することに適用される適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の制御方法、および適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for employing an optical state-change organic polymer film as an information-storage layer in a high density optoelectric memory and a high density optoelectric memory produced by the method.例文帳に追加

高密度光メモリの情報記憶層として光学状態変化有機ポリマーフィルムを利用する方法及び当該方法によって製造された高密度光メモリを提供する。 - 特許庁

The control method is characterized in that the property of data is determined by its length, and then, the data is determined to be located to the high density memory or the low density memory according to the property of the data, and the wearing level and the amount of data processed by the adaptive hybrid density memory storage device.例文帳に追加

制御方法は、データ長によって当該データの性質を判断し、その後、当該データの性質と適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の摩損レベルとデータ量処理の状況によって、当該データを高密度メモリに配置するか低密度メモリに配置するかを決定する。 - 特許庁

When the density of the patch image detected by the density sensor 224 is thinner than target toner density stored in a target toner density memory 122, and a value of difference between them is equal to or above a predetermined value V1, a toner supply stop flag stored in a toner supply stop flag memory 124 is updated.例文帳に追加

濃度センサ２２４で検出されたパッチ画像の濃度が、目標トナー濃度メモリ１２２に記憶された目標トナー濃度よりも薄く、その差分値が所定値Ｖ１以上の場合に、トナー供給停止フラグメモリ１２４に記憶されたトナー供給停止フラグを更新する。 - 特許庁

To provide a memory cell device which can achieve high memory density and different resistance values exceeding two, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

記憶密度が高く、２を越える数の異なる抵抗値を得ることができるようなメモリセル装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM and its manufacturing method whereby the layout area of its memory cells is saved to make increasable the integration density of its memory cells.例文帳に追加

メモリセルのレイアウト面積を節約して、集積度を増加させることができるＤＲＡＭおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device by which memory cells are arranged with high density and a high speed operation becomes possible.例文帳に追加

メモリセルを高密度に配置することが可能になるとともに高速動作が可能になる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory which is satisfactorily adaptive to high density by recording and reproducing multivalue information using a single memory cell.例文帳に追加

一つのメモリセルで多値の情報の記録再生を行うことで、高密度化に良好に対応することができる磁性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a memory capable of stably executing recording operation, and also, capable of realizing high density.例文帳に追加

安定して記録動作を行うことができ、高密度化を図ることができるメモリを提供する。 - 特許庁

To realize lower power consumption rewriting and high density of information in a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリにおける情報の低消費電力書き換え及び高密度化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus wherein the density of memory cells is easily increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メモリセルの高密度化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device and a manufacturing method of the same, which increase a memory density.例文帳に追加

記憶密度を高めた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To more improve recording density in a magnetic recording medium and a memory device.例文帳に追加

磁気記録媒体及び記憶装置において、記録密度を更に向上することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 16M.例文帳に追加

１６Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 64M.例文帳に追加

６４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a one-time programmable (OTP) memory with high density at the low cost, and to provide a method for its programming.例文帳に追加

高密度、低コストのワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）メモリと、そのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

To realize an integrated circuit which is operated with low power consumption and in which memory cells are arranged in high density.例文帳に追加

低消費電力で動作し、メモリセルを高密度に配置した集積回路を実現する。 - 特許庁

To perform high-density recording which exceeds the diffraction limit, while retaining the convenience of conventional optical memory.例文帳に追加

従来の光メモリの利便性を保持しながら回折限界を越える高密度な記録を行う。 - 特許庁

The memory cells can be arranged in high density and the array occupancy area can be reduced accordingly.例文帳に追加

メモリセルを高密度で配置することができ、応じてアレイ占有面積を低減することができる。 - 特許庁

FUNCTIONAL MATERIAL HAVING NANO STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD AND FLEXIBLE SUPERHIGH DENSITY MEMORY USING THIS MATERIAL例文帳に追加

ナノ構造を有する機能材料、その製造方法及びそれを用いたフレキシブル超高密度メモリ - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR HIGH-DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING LAMINATABLE STRUCTURE例文帳に追加

積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のための方法および装置 - 特許庁

A computer system 100 includes at least one high-density logic device 106 and a controller which connects the high-density logic device to a memory bus.例文帳に追加

コンピュータシステム１００は、少なくとも１つの高密度ロジックデバイス１０６及びメモリバスに高密度ロジックデバイスを接続するコントローラを備える。 - 特許庁

A density reproduction start value and a density reproduction saturation value are set by an operation of an operation section 7, and manually set density conversion table data TM corresponding to them are generated and stored in a density conversion table memory 40.例文帳に追加

操作部７の操作によって、濃度再現開始値および濃度再現飽和値を設定することができ、これに対応した手動設定濃度変換テーブルデータＴＭが作成されて、濃度変換テーブルメモリ４０に記憶される。 - 特許庁

When a user operates a prescribed call key of the operation section 70, the manually set density conversion table data TM are called from the density conversion table memory 40 and a density conversion processing section 35 conducts density conversion processing accordingly.例文帳に追加

操作部７から所定の呼び出しキーを操作することで、濃度変換テーブルメモリ４０から、手動設定された濃度変換テーブルデータＴＭが呼び出され、これに従って、濃度変換処理部３５による濃度変換処理が行われる。 - 特許庁