「memory density」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a novel memory device which is capable of greatly enhancing a storage density and which allows reduction of a read time and cut-down of a power consumption.例文帳に追加

記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that costs less and can steadily form an image in which there leaves little image density difference due to an image memory.例文帳に追加

画像メモリによる画像間濃淡差の少ない画像を安定して形成することのできる低コストの画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This mass memory storage device for reading data stored in a mass memory storage medium 22 where data are stored in an almost uniform density includes a support 20 constructed so as to accept a medium and to support the medium.例文帳に追加

略一様な密度でデータが記憶されている大容量メモリ記憶媒体２２に記憶されたデータを読取る大容量メモリ記憶デバイスが、媒体を受入れて支持するように構成された支持装置２０を含む。 - 特許庁

Therefore, the nonuniformity which occurs between the MTJ memory cells MC in the central part and boundary part of the array 10 at the time of manufacturing a thin film magnetic storage device due to the arranging density of the memory cells in the periphery can be eliminated.例文帳に追加

したがって、ＭＴＪメモリセルアレイ１０の中心部および境界部にそれぞれ位置するＭＴＪメモリセル間で、周囲のメモリセル密度粗密に起因する製造時の不均一性を解消できる。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with a communication abnormality detection part 208 to detect a communication state with a memory in the process cartridge, and a toner density abnormality detection part 209 to detect the normality/abnormality of the output value of the toner density detecting sensor in the process cartridge.例文帳に追加

プロセスカートリッジ内のメモリとの通信状態を検出する通信異常検知部２０８と、プロセスカートリッジ内のトナー濃度検出センサの出力値の正常／異常を検出するトナー濃度異常検知部２０９とを設ける。 - 特許庁

Pixels on a prescribed scan line of a variable density image which is picked up by a camera and stored in a photographic image storage memory are successively set as a noticed pixel, and a density value of the noticed pixel is inputted to an edge strength operation part.例文帳に追加

カメラにより撮像され、撮影画像格納メモリに格納された濃淡画像の所定の走査線上にある画素を順次注目画素に設定し、この注目画素の濃度値をエッジ強度演算部に入力する。 - 特許庁

The charge density of impurities in a semiconductor region 10b located under the memory gate electrode MG and the insulating film 21 is lower than the charge density of impurities in a semiconductor region 10a located under the selection gate electrode SG and the insulating film 17.例文帳に追加

メモリゲート電極ＭＧおよび絶縁膜２１の下に位置する半導体領域１０ｂは、選択ゲート電極ＳＧおよび絶縁膜１７の下に位置する半導体領域１０ａよりも、不純物の電荷密度が低い。 - 特許庁

In a monitoring server 40, an arrangement density calculation unit 413 calculates arrangement density in a school area about a location related to rushing cooperator current location information stored in a rushing cooperator current location memory 403.例文帳に追加

監視サーバ４０は、駆けつけ協力者現在位置記憶部４０３に記憶された駆けつけ協力者現在位置情報に係る位置についての、校区内における配置密度を配置密度計算部４１３により計算する。 - 特許庁

A control program stored in a memory 116 is performed by a CPU 113, and several patch images are formed while changing developing bias, and the image density of the patch images is respectively detected by a patch sensor 17, so that it is discriminated whether the image density is saturated or not by comparing the image density.例文帳に追加

ＣＰＵ１１３は、メモリ１１６に格納された制御プログラムを実行することで、現像バイアスを変化させながら複数のパッチ画像を形成し、そのパッチ画像の画像濃度をそれぞれパッチセンサ１７により検出し、それらの画像濃度を比較して当該画像濃度が飽和したか否かを判別する。 - 特許庁

This memory managing system is provided with at least one request queue constituted to hold the request of access to a memory, a queue/ memory handler configured to provide memory access to the request of the queue, and a queue level signal configured to generate a signal showing the density of requests remained in the queue.例文帳に追加

メモリ管理システムは、メモリへのアクセスの要求を保持するように構成される少なくとも１つの要求待ち行列と、前記待ち行列の要求にメモリアクセスを提供するように構成される待ち行列・メモリハンドラと、前記待ち行列に残っている要求の濃度を示す信号を生成するように構成される待ち行列レベル信号器と、を含む。 - 特許庁

To eliminate a vacant space formed when an open bit line system is adopted and a construction wherein sense amplifiers are arranged concentrically is employed, in a semiconductor memory device, in which a memory cell is integrated so as to have a high density (256 Mbit).例文帳に追加

メモリセルを高密度（２５６Ｍｂｉｔ）に集積化した半導体メモリ装置において、オープンビット線方式を採用すると共に、センスアンプを集中的に配置する構成を採った場合に生じる空きスペースを無くすことである。 - 特許庁

To provide the non-volatile semiconductor memory device of low cost and high density reduced in the element separate width of a memory cell and improved in work controllability by reducing the embedding aspect of an element separate insulating film and a producing method therefor.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくするとともに加工制御性に優れた、低コスト高密度の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce power required for programming or erasing a memory and to achieve a small pitch at a high density by providing a nonvolatile flash memory capable of saving two bits per cell in one NAND array.例文帳に追加

1つのＮＡＮＤアレイにおいてセルあたり２つビットを保存することが可能な不揮発性フラッシュメモリを提供することによって、メモリをプログラミングあるいは消去するのに必要な電力を低減し、高密度で小さなピッチを達成する。 - 特許庁

To provide a high-density high-speed dynamic random access memory(DRAM) by satisfying the cut-off characteristics of transistors and high-level write compensation in the memory cell area of the DRAM and, at the same time, improving transistor driving forces in the peripheral circuit area of the DRAM.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するとともに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速ＤＲＡＭの実現を図る。 - 特許庁

Each memory element can be switched between a low impedance state and a high impedance state indicating respective binary data states by applying a write-in signal in the form of the prescribed current density through the memory element.例文帳に追加

各メモリエレメントは、そのメモリエレメントを介した所定の電流密度の形をとる書込み信号を印加することにより、それぞれ二値データ状態を表す低インピーダンス状態と高インピーダンス状態との間で切り替えられ得る。 - 特許庁

When a density correction performing condition is satisfied in the midst of printing for a certain job (job A), the density correction processing in a simple mode is performed after printing for the job A when printing waiting jobs (jobs B and C) stored in the image memory exist at such a time.例文帳に追加

あるジョブ（ジョブＡ）の印字中に濃度補正実施条件が満たされた場合、その時点で、画像メモリに記憶されている印字待ちジョブ（ジョブＢ，Ｃ）が存在する場合には、簡易モードでの濃度補正処理をジョブＡの印字後に実施する。 - 特許庁

To provide the image input device having an image sensor consisting of chips that can make steps of the density at chip borders less prominent with a small capacity of a correction memory.例文帳に追加

複数チップで構成されているイメージセンサを有する画像入力装置において、少ない補正メモリ用でもってチップ境界の濃度の段差を目立たなくすること。 - 特許庁

As a result, when securing the same surface recoding density as before on a memory medium, the magnetoresistance change ratio (MR ratio) of the magnetoresistive effect film 44 is increased than before.例文帳に追加

その結果、記憶媒体で従来と同様の面記録密度が確保される場合に、磁気抵抗効果膜４４の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は従来に比べて増大する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device capable of achieving high density recording and decrease of an operating current while preventing a short circuit between upper and lower electrodes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上下部電極間の短絡を防止しながら、高密度記録と動作電流低減を実現する不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for reproducing the density of medium tone by utilizing dots that can carry out processing with comparatively high accuracy with less memory capacity and less processing load.例文帳に追加

網点を利用して中間調の濃度を再現する画像形成装置において、メモリ容量や処理負荷が少なく比較的高精度に処理できるようにする。 - 特許庁

To provide a high-density nonvolatile semiconductor storage device capable of reducing an element isolation width of a memory cell by reducing the embedding aspect of an element insolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくすることが可能な高密度不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a disk memory device that can realize head positioning with a sufficient accuracy without causing reduction in track density even when a data track width is made variable.例文帳に追加

データトラック幅を可変した場合でも、トラック密度の低下を招くことなく、十分な精度のヘッド位置決め動作を実現できるディスク記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory array which can implement high cell density and higher operation speed caused by lower bit line resistance, and is hardly influenced by disturbance to a stored content at reading and writing.例文帳に追加

高セル密度化と、ビットラインの低抵抗化による高速化が両立し、読み出し、書き込み時の記憶内容への擾乱を受けにくい不揮発性メモリアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element which has a high durability about the recording playback, operates with a low power consumption, and is durable for forming a high-density integration structure.例文帳に追加

記録再生に関する耐久性が高く、かつ低消費電力で動作し、かつ高密度集積化に耐え得るることが可能な強誘電体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

When performing density control operation for adjusting the image forming condition of the apparatus, the information is read out of the memory of the developing device and applied in the apparatus main body.例文帳に追加

装置本体では、装置の画像形成条件を調整する濃度制御動作を実行するに際して、これらの情報を現像器のメモリから読み出して適用する。 - 特許庁

To provide the new device configuration of an electronic element or an electronic device including one transistor/one capacitor type random access memory (RAM) for high speed access and high density.例文帳に追加

高速アクセスと高密度化のための１トランジスタ１キャパシタ型ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含む、電子素子又は電子装置の新規なデバイス構造を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which corresponds to fining and high density and realizes simplification of a manufacturing process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、微細化及び高密度化に対応し、かつ製造プロセスの容易化を図ることのできる、強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An LUT51 is a circuit for reading data from a memory table corresponding to the average density and outputting it, and its result is subtracted from an edge quantity by an adder circuit 52.例文帳に追加

ＬＵＴ５１は、平均濃度に応じてメモリテーブルからデータを読み出して出力する回路で、その結果は、加算回路５２によりエッジ量から減算される。 - 特許庁

Finger pattern image is created from fingerprint data memory where fingerprint image data are stored, and displayed in an LCD panel equipped with an optical sensor while adjusting its density.例文帳に追加

指紋画像データを記憶する指紋データメモリから指パターン画像を作成し、光センサを備えるＬＣＤパネルに、この指パターン画像の濃度を調節しつつ、表示する。 - 特許庁

A luminance correcting section 16 determines a correction value based on the ratio between the luminance of the pixels in the image memory 12 and the density of the ground color in reference to a correction value table 17.例文帳に追加

輝度補正部１６では、画素メモリ１２中の各画素の輝度と地色の濃度の比に基づいて補正値テーブル１７が参照され、補正値が求められる。 - 特許庁

The voltage is applied to the pixel 110 with time density corresponding to the data D3 to D5 written in the memory and the gradation signals P0 to P2 to drive the pixel 110.例文帳に追加

メモリに書込まれたデータＤ３〜Ｄ５と、階調信号Ｐ０〜Ｐ２と応じた時間密度で画素１１０に電圧を印加することにより、画素１１０を駆動する。 - 特許庁

To provide an extension type capacitor for memory allowing the capacitor with high capacity to be formed in a storage cell with a small area at a high density and a method of manufacturing it.例文帳に追加

面積の小さい記憶セル内に高い容量のキャパシターを高密度に形成させることができるメモリ用延出式キャパシター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which has stable uniformity and can be mass-produced, and in which quantum dot elements constituting memory cells respectively are integrated with high density.例文帳に追加

安定した均一性で量産可能であるとともに、それぞれがメモリセルを構成する量子ドット素子を高密度で集積した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory in which shortening a time required for write-in operation of data and improving storage density by using a multi-level for a MOS transistor can be realized.例文帳に追加

データの書き込み動作の所要時間の短縮化、及びＭＯＳトランジスタの多値化による記憶密度の向上を実現し得る不揮発性半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

To provide a memory device having a non-volatile characteristic, realizing characteristics of high integration density and low power consumption, and inexpensively fabricated through a simple manufacturing process.例文帳に追加

不揮発性特性を有し、高集積度および低消費電力の特性を実現して製造工程が単純であるうえ、製造コストが低いメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a programmable reference used to identify a state of an array cell in a multi-density or low voltage supply flash EEPROM memory array.例文帳に追加

多密度または低電圧源一括消去型ＥＥＰＲＯＭメモリアレイにおけるアレイセルの状態を認識するのに用いられるプログラム可能基準を提供する。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to reduce the stored electric charges in the floating gate region and implement a nonvolatile memory having very low power dissipation, ultra-high density, and large capacity.例文帳に追加

したがって、浮遊ゲート領域の蓄積電荷を減らすことができ、消費電力が極めて少ない、超高密度で大容量の不揮発性メモリを実現することができる。 - 特許庁

To control unevenness of density resulting from variation in characteristics at a liquid ejecting section without lowering the print speed and without increasing the memory.例文帳に追加

液体吐出部の特性のばらつきに起因する濃度ムラを、印画速度の低下等を招くことなく、かつメモリ等の増大を招くことなく調整できるようにする。 - 特許庁

To provide an optical reader having a good reading signal S/N ratio in a high density optical memory using a proximate field light, an optical reading method and an optical recording medium.例文帳に追加

近接場光を利用した高密度光メモリにおいて、読取り信号のＳ／Ｎ比の良好な光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of achieving high density and high function by ensuring a correct process margin between a contact and a gate line in a cell array structure.例文帳に追加

セルアレイ構造においてコンタクトとゲートラインの間の正確な工程マージンが確保されることで高密度及び高機能の具現が可能な半導体メモリー素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that achieves high density mounting by double-sided mounting while suppressing deterioration of degree of freedom of design and reliability.例文帳に追加

設計自由度の低下、および信頼性の低下を抑えつつ、両面実装により高密度実装化を図ることができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To realize an image forming apparatus capable of rapidly performing density correction processing and performing appropriate printing for all the jobs stored in an image memory.例文帳に追加

濃度補正処理を迅速に行え、かつ、画像メモリに記憶されている全てのジョブに対しても適切な印字を行うことのできる画像形成装置を実現する。 - 特許庁

Since the source controller integrated circuit and the memory integrated circuit are mounted on the same side surface of the circuit board, the high-density storage device has a reduced size.例文帳に追加

ソースコントローラ集積回路及びメモリ集積回路は回路基板の同一側面に取り付けられるので、高密度記憶デバイスは、縮小された大きさを有する。 - 特許庁

To provide a technology to generate more carriers, and an efficient method to convert energy to the carriers detectable from light or an electron so as to read small sized data cells in a high density memory storage elements, and to provide a memory structure and a method to store and to read high density data so as to facilitate detection of data.例文帳に追加

高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセルを読み出すために、より多量のキャリアを生成する技術、および光あるいは電子から検出可能なキャリアにエネルギーを変換する効率的な方法が必要であり、またデータの検出がより容易に行われるように高密度データを格納し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法が必要である。 - 特許庁

If a density Ls specified by a plotting instruction is identical to a density Ld written in Ad (S6; Y), logical operation SET (F (S, D)=S) is identical to D and an operation for reading the memory in As over the entire region, performing logical operation SET and writing in the memory in Ad can be saved.例文帳に追加

描画命令により指定された濃度Ｌｓと、Ａｄ内に描画されている濃度Ｌｄが同一であれば（Ｓ６；Ｙ）、論理演算ＳＥＴ（Ｆ（Ｓ、Ｄ）＝Ｓ）がＤと同一、すなわち全領域に対してＡｓ内のメモリをｒｅａｄし、論理演算ＳＥＴを行い、Ａｄ内のメモリにｗｒｉｔｅするという動作が省略可能となる。 - 特許庁