「memory error」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an odd-state nonvolatile memory device for decreasing possibility of multiple bit error and a programming method for the nonvolatile memory device.例文帳に追加

マルチビットエラーの可能性を減少させる奇数状態不揮発性メモリデバイス及び不揮発性メモリデバイスのプログラミング方法の提供。 - 特許庁

The data signal DATA is input to a memory I/F section 30 via an FIFO memory 110 included in an error detection section 10.例文帳に追加

データ信号ＤＡＴＡは、エラー検出部１０が有するＦＩＦＯメモリ１１０を介してメモリＩ／Ｆ部３０に入力される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of more speeding up the error correction of data stored in the semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置内に記憶されているデータの誤り訂正をさらに高速化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an error correction device reducing access to an external memory while suppressing increase of built-in memory capacity.例文帳に追加

内蔵メモリ容量の増大を抑制しつつも、外部メモリへのアクセス量を低減することのできる誤り訂正装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory equipped with an ECC circuit which has error correcting capability suitable to a state of a memory and eliminates an unnecessary power consumption.例文帳に追加

メモリの状態に適した誤り訂正能力を有し、無駄な消費電力を省いたＥＣＣ回路を備えたメモリを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory section M having first and second memory cells for storing data bits and an error correction bits, respectively.例文帳に追加

半導体装置はデータビットを記憶する第１メモリセルおよび誤り訂正ビットを記憶する第２メモリセルを有するメモリ部Ｍを含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a memory cell array 22, a row decoder 21, a column decoder 22, an error correction circuit 26, and output circuits 27, 28.例文帳に追加

半導体記憶装置２は、メモリセルアレイ２２、行デコーダ２１、列デコーダ２２、誤り訂正回路２６および出力回路２７，２８を有する。 - 特許庁

To realize a data storage controller capable of improving utilization efficiency of the memory by fast performing error detection correction and memory access.例文帳に追加

誤り検出訂正及びメモリアクセスを高速に行い、メモリの使用効率を向上可能なデータ記憶制御装置を実現する。 - 特許庁

To provide a memory device and a driving method thereof capable of preventing a data storage error.例文帳に追加

データ記憶誤りを防止することができるメモリ装置およびその駆動方法を供給する。 - 特許庁

To improve the soft error resistance of an SRAM memory cell without increasing a chip size.例文帳に追加

チップサイズを増大させることなくＳＲＡＭのメモリセルのソフトエラーに対する耐性を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with a parity generator for error detection.例文帳に追加

本発明は、エラー検出用パリティー発生器を備えた半導体メモリ装置に関するものである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device of which the error correction efficiency is improvable.例文帳に追加

誤り訂正の効率を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Error correction when data of four bits is read and written for a memory cell is performed for each bit group.例文帳に追加

メモリセルに対して４ビットのデータを読み書きする際の誤り訂正をビットグループ毎に行う。 - 特許庁

An error detection is performed by using the first ECC51 when a memory controller has started to read data.例文帳に追加

メモリコントローラがデータを読み出すと、第１ＥＣＣ５１を利用してエラー検出が行われる。 - 特許庁

To achieve an information processor for easily correcting a memory error without using interruption.例文帳に追加

割り込みを用いずにメモリエラーを容易に訂正することができる情報処理装置を実現する。 - 特許庁

To improve error correction capability in a semiconductor storage device, having a large number of memory chips mounted thereon.例文帳に追加

多数のメモリチップを搭載した半導体記憶装置での誤り訂正能力を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for providing customizable error correction for a memory array.例文帳に追加

メモリアレイのカスタマイズ可能な誤り訂正を提供するための方法と装置を提供する。 - 特許庁

This prevents any errors in data from the unused portions of the memory from raising an error signal.例文帳に追加

これによって、メモリの未使用部分からのデータのすべてのエラーが、エラー信号を出さなくなる。 - 特許庁

As a result, the access cycle time of the semiconductor memory having the error correcting function can be reduced.例文帳に追加

この結果、エラー訂正機能を有する半導体メモリのアクセスサイクル時間を短縮できる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which data can be read out with low power source voltage without an error.例文帳に追加

低電源電圧で誤りなくデータ読み出しができる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To realize stable communication by restraining a communication error made by communication with a contact type IC memory.例文帳に追加

接触型ＩＣメモリとの通信による通信エラーの発生を抑え、安定した通信を行う。 - 特許庁

To suppress deterioration in throughput of reading, by suppressing the occurrence of a memory error.例文帳に追加

メモリエラーの発生を抑制することにより、読取処理のスループットが低下するのを抑制する。 - 特許庁

It is determined whether an error is caused in read data in a selected memory block.例文帳に追加

まず、選択されたメモリブロックで読み出されたデータにエラーが発生したか否かが判別される。 - 特許庁

METHOD OF STORING DATA WITH ERROR CORRECTING CODE AND SEMICONDUCTOR MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

誤り訂正符号付きデータの記憶方法およびその方法を用いる半導体記憶装置 - 特許庁

The error location retrieval check symbol is stored in a memory with the interleave type code word.例文帳に追加

その誤り位置探知用検査記号をインターリーブ型符号ワードと共にメモリ内に格納する。 - 特許庁

The data processing apparatus includes a memory, an error detection circuit, a timing adjustment circuit, and a terminal.例文帳に追加

データ処理装置は、メモリと、誤り検出回路と、タイミング調整回路と、端子とを具備する。 - 特許庁

The data for which the error correction has been performed is written at an address of the corresponding data in the external memory 42.例文帳に追加

訂正処理されたデータは、外部メモリ４２内の対応するデータのアドレスに書き込まれる。 - 特許庁

Next, data such as error memory data are updated for each byte on the RAM by the CPU (step S132).例文帳に追加

ＣＰＵ２がエラーメモリデータ等のデータをＲＡＭ４上で１バイトごとに更新する（ステップＳ１３２）。 - 特許庁

When there is a read command from the outside, the user data and error correcting code are read from the flash memory.例文帳に追加

外部より読み出しコマンドがあればユーザデータと誤り訂正符号をフラッシュメモリより読み出す。 - 特許庁

To improve reliability of data in a ferroelectric memory mounted with an error correction circuit.例文帳に追加

誤り訂正回路を搭載した強誘電体メモリにおいて、データの信頼性を向上させる。 - 特許庁

The memory has a communication error information storage area including a first storage area and a second storage area, and a communication error counter value area.例文帳に追加

メモリは、第１記憶領域、及び第２記憶領域を含む通信エラー情報記憶領域と、通信エラーカウンタ値領域とを有する。 - 特許庁

To provide a control device for preventing data from being stored in an ECC (Error Checking and Correction) memory while the error of data is not corrected.例文帳に追加

ＥＣＣメモリに記憶されたデータの誤り訂正がされないまま蓄積されることを防止できる制御装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a data error detecting circuit for a memory and a switch circuit for facilitating a countermeasure to any bit width without adding any error check bit.例文帳に追加

エラーチェックビットを付加しないであらゆるビット巾に対応できるメモリおよびスイッチ回路のデータエラー検出回路を提供することにある。 - 特許庁

AUTONOMOUS ERROR RECOVERY METHOD, SYSTEM, CACHE, AND PROGRAM STORAGE DEVICE (METHOD, SYSTEM, AND PROGRAM FOR AUTONOMOUS ERROR RECOVERY FOR MEMORY DEVICE)例文帳に追加

自律的エラー回復方法、システム、キャッシュ、およびプログラム・ストレージ装置（メモリ装置のための自律的エラー回復のための方法、システム、およびプログラム） - 特許庁

To avoid inconveniences caused by a software error that occurs when the software error occurs in the case of writing data to a buffer memory.例文帳に追加

バッファメモリへのデータの読み書き時にソフトエラーが発生した場合に、発生したソフトエラーに起因する不都合を回避することを目的とする。 - 特許庁

Then, after the transmission/reception frame is received on the reception side, the error detection code is added and stored in the main memory, and then error detection is performed.例文帳に追加

その後、受信側にて送受信フレームを受信した後、誤り検出符号を付加してメインメモリに格納した後誤り検出を行う。 - 特許庁

To provide a data recovery system capable of recovering data even when an error beyond an error correction ability of own device occurs in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリに、自装置が備えるエラー訂正能力を超えるエラーが発生した場合でも修復可能なデータ修復システムを提供する。 - 特許庁

Error determination circuits 631 to 635 determine whether an error is included in the digital data read from the memory circuits 621 to 625 or not.例文帳に追加

誤り判定回路６３１〜６３５は、記憶回路６２１〜６２５から読み出した上記デジタルデータに誤りが含まれているか否かを判定する。 - 特許庁

When a control circuit 11 detects an access to the regular memory block shown by the relief information, the circuit switches the access to the regular memory block to an access to a corresponding spare memory block, and when the circuit detects occurrence of an erasure error, the circuit performs control for adding relief information which associates the memory block related to the error with the spare memory block.例文帳に追加

制御回路（１１）は、救済情報で示される正規のメモリブロックへのアクセスを検出すると正規メモリブロックアクセスを対応予備メモリブロックアクセスに切り換え、消去エラーの発生を検出したときは当該エラーに係るメモリブロックを予備のメモリブロックに対応付ける救済情報を追加する。 - 特許庁

The semiconductor memory device uses an error correction code which comprises a plurality of symbols, in which each symbol comprises a plurality of bits, and which can correct an error in a symbol unit for error detection and error correction.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置は、複数のシンボルから構成され、各シンボルが複数のビットから構成され、更にシンボル単位での誤り訂正が可能な誤り訂正符号を誤り検出及び誤り訂正に使用する。 - 特許庁

When data to be written is recorded as an ECC (error correction code) in a plurality of physical blocks constituting a nonvolatile memory and a write error occurred, a time interval between a previous write error and a current write error is detected.例文帳に追加

書き込むべきデータをＥＣＣ符号として不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックに記録し、書き込みエラーが発生した場合は、直前に発生した書き込みエラーと現書き込みエラーとの時間間隔を検出する。 - 特許庁

The memory controller has a function to add the parity to data input by host equipment and store them in the nonvolatile memory when writing data to the nonvolatile memory and, when reading the data, read the data and their parity from the nonvolatile memory to detect an error part and perform data error correction.例文帳に追加

メモリコントローラは、不揮発性メモリへのデータ書込み時は、ホスト機器から入力したデータにパリティを付加して不揮発性メモリに記憶し、データ読出し時は、不揮発性メモリからデータとそのパリティを読み出して誤り箇所を検出し、データ誤り訂正を行う機能を有する。 - 特許庁

If an error detection part 8 decides that a memory chip 14 has failed, a data allocation part 12 makes normal memory chips other than the faculty memory chip specified by the error detection part 8 hold individual data in a data write mode and reads the data out of the normal memory chips in a data read mode.例文帳に追加

エラー検出部８がメモリチップ１４は故障していると判定したとき、データ割付部１２は、データ書き込み時には、エラー検出部８が特定した故障メモリチップ以外の正常メモリチップに各データを保持させ、データ読み出し時には、正常メモリチップから各データを読み出す。 - 特許庁

User data read from a flash memory 2 are inputted to an error correction coder/decoder 24, and an error correction code read from the redundant region of the flash memory 2 is inputted through a mask circuit 25 to the error correction coder/decoder 24.例文帳に追加

フラッシュメモリ２から読出されたユーザデータが誤り訂正符号・復号器２４に入力され、フラッシュメモリ２の冗長領域から読出された誤り訂正符号がマスク回路２５を介して、誤り訂正符号・復号器２４に入力される。 - 特許庁

To provide an information processor which executes initialization of a memory as a resume error when a power source for operation of the memory is temporarily cut off during a suspend, and a resume error detection method.例文帳に追加

サスペンド中にメモリの動作電源が一時遮断されたとき、レジュームエラーとして、メモリの初期化を実行する情報処理装置およびレジュームエラー検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁