「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND WRITING AND ERASING METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリ用電圧生成回路及び不揮発性メモリの書込み及び消去の方法 - 特許庁

To provide a method for minimizing performance degradation at an access of a flash memory by using a logical/physical mapping method, a method for efficiently storing and managing information relating to logical/physical mapping in the flash memory, and the flash memory using these methods.例文帳に追加

論理・物理マッピング手法を用いてフラッシュメモリのアクセス時に性能低下を最小限に抑える方法、フラッシュメモリに前記論理・物理マッピングに関する情報を効率よく格納し管理する方法及びそれらの方法を用いたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a shape memory member where the shape recovering force in a member made of a shape memory alloy can be made high without taking high cost, and to provide a shape memory member produced by the method.例文帳に追加

形状記憶合金から成る部材における形状回復力をコストをかけることなく大きなものとすることができる形状記憶部材の製造方法と、このような方法により製造された形状記憶部材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory array device and a manufacturing method thereof, where the memory array device is capable of carrying out a read-out operation stably by a method wherein a means that is independent of the state of an adjacent EEPROM cell when the memory array device is kept in a read-out operation is provided.例文帳に追加

読み出し動作時に、隣接ＥＥＥＰＲＯＭセルの状態に依存しない手段を講じることにより、安定した読み出し動作を実現する半導体メモリアレイ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a non-volatile memory in which connection can be confirmed by an easy method without changing the hardware of a general purpose ROM writer and a rewriting method for the non-volatile memory.例文帳に追加

汎用ＰＲＯＭライターにて、ソケット付きの変換アダプターを使用してフラッシュメモリ内蔵の半導体装置と接続する場合、狭ピッチの場合接続不具合が起こる場合があるが、検出する手段がないため、対応が遅れる。 - 特許庁

To provide a method for predicting and eliminating an OTP (on time programmable) memory of a high write-failure rate, a method for setting a voltage which is optimal for writing on a memory element, and an OTP memory to which the methods are applicable.例文帳に追加

書き込み不良率の高いＯＴＰメモリを予測し排除する方法、またメモリ素子の書き込みに最適な電圧を設定する方法、そしてそれらの方法を適用しうるＯＴＰメモリを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a maintenance operating method and a maintenance system for a memory which uses an operation program while continuing maintenance operation of the memory.例文帳に追加

メモリの保守操作を継続しながら運用プログラムを使用することができるメモリの保守操作方法および保守システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling operation of a dynamic random access memory(DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加

ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムの動作を制御する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method specifying a production date or production lot of a memory card with a flash memory without using a serial number.例文帳に追加

シリアル番号を使用することなく、フラッシュメモリを搭載したメモリカードの製造日や製造ロットを特定することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a product and associated method and system for disabling defective flash memory dies in a device containing a plurality of flash memory dies.例文帳に追加

複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a data management method for a memory capable of performing a perfect registering of a trigger phenomenon, always catching the newest trigger phenomenon with a high resolution, in the memory of long data recording length.例文帳に追加

長いデータ記録長のメモリで、高い分解能で最新のトリガ事象を常に捕捉し、トリガ事象の完全な記録を行う。 - 特許庁

To provide a method for updating a counter in an associative memory speeded up in the processing even when there are lots of word memory to be hit by retrieval.例文帳に追加

検索でヒットするワードメモリが多数の場合であっても、処理の高速化が図られた連想メモリ内のカウンタ更新方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, having an improved resistance distribution in a high resistance state and capable of increasing its capacity, and its operation method and a memory device.例文帳に追加

高抵抗状態の抵抗分布を改善し、大容量化が可能な記憶素子およびその動作方法、並びに記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a memory management method according to the present invention, at first memory capacity is allocated to a first program and a second program operating on a computer.例文帳に追加

本発明に係るメモリ管理方法では、初めに計算機上で稼動する第１プログラムおよび第２プログラムにメモリ容量を割り当てる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a manufacturing method, where bit lines which are narrower in line width and in gap than the wavelength of light for exposure can be realized without sacrificing the semiconductor memory device in productivity.例文帳に追加

露光の波長より狭い幅，間隔のビット線が生産性を犠牲にしないで実現する製法および構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for managing an in-place memory for an FFT operation, in which all two data points need only one memory read cycle.例文帳に追加

全ての2つのデータポイントが1つのメモリ読出しサイクルのみを必要とするFFT演算のインプレースメモリ管理の方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an improved solid eletrolyte memory element which can increase the switching speed, and a method for manufacturing the solid electrolyte memory element.例文帳に追加

スイッチング速度を早くすることのできる改善された固体電解質メモリー素子および固体電解質メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a shape-memory spring washer which can correspond to a mass-production and obtains the shape-memory spring washer having good shape.例文帳に追加

量産に対応でき、かつ、形状が良好な形状記憶スプリングワッシャが得られる形状記憶スプリングワッシャの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for an active termination control in a memory by a module register providing an active termination control signal to the memory.例文帳に追加

メモリーに能動終端制御信号を与えるモジュール・レジスタによりメモリーの能動終端制御を行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus associated with transferring data from a remote device to a recipient device having a first memory space and a second memory space.例文帳に追加

遠隔装置から第１のメモリスペースおよび第１のメモリスペースを有する受入装置へのデータ転送に関連する方法および装置を得る。 - 特許庁

METHOD FOR CONFIGURING MEMORY USING FIXED RESOURCE SET TO SATISFY MEMORY REQUIREMENT FLUCTUATING ON PROGRAMMABLE PLATFORM DEVICE例文帳に追加

プログラム可能なプラットフォーム・デバイス上において変動するメモリ要件を満足するように資源の固定された組を用いてメモリを構成する方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which malfunction can be suppressed and an operating method for a memory cell consisting of ferroelectric capacitors.例文帳に追加

誤動作を抑えることができる、強誘電体メモリ装置および強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control method and a memory controller capable of preventing excessive access even when the number of times of transfer is unknown.例文帳に追加

転送回数が不明な場合にも余分なアクセスを防ぐことが可能なメモリ制御方法及びメモリコントローラを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which data can be stably written in a memory cell which does not need a capacitor and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

キャパシタの不要なメモリセルに安定的にデータを書き込むことが可能な半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of printing on a memory medium and a tray for accommodating the memory medium, a printer, an ink suction member and a tray.例文帳に追加

記憶媒体と記憶媒体を収容するトレイを印刷する印刷方法、印刷装置、インク吸着部材及びトレイを提供すること。 - 特許庁

CARD MEDIUM WITH MEMORY IC, BANKBOOK AND THE LIKE WITH MEMORY IC, AND APPARATUS AND METHOD FOR FORMING BANKBOOK AND THE LIKE例文帳に追加

メモリＩＣ付カード媒体、メモリＩＣ付通帳類、この通帳類を作成するための通帳類作成装置、および通帳類作成方法 - 特許庁

According to the method, it is possible to accurately measure the resistance of the resistive memory element immediately after recording the data into the cell of the resistive memory element.例文帳に追加

前記方法によると、抵抗メモリ素子のセルにデータを記録した直後の抵抗メモリ素子の抵抗を正確に測定することができる。 - 特許庁

To provide a system and a method of a display driver having an internal nonvolatile memory for saving a memory storage and labor of computation of a host processor.例文帳に追加

ホストプロセッサのメモリストレージおよび計算労力を節約するために内部不揮発性メモリを有するディスプレイドライバのシステムおよび方法。 - 特許庁

To provide a configuration and method for managing usable memory resource in a digital data processing system which has a memory component.例文帳に追加

メモリ構成要素を有するデジタルデータ処理システムにおいて使用可能であるメモリ資源を管理するための構成および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory capable of easily identifying a memory cell in a state of excessive writing, and a method for testing the same.例文帳に追加

過書き込み状態のメモリセルを容易に特定することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその試験方法を提供する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL EQUIPPED WITH RESISTIVE LAYERS OF MULTILAYER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AS WELL AS, RESISTANCE VARIABLE NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device 3 which has a large storage capacity and high reliability, and to provide a method for manufacturing the semiconductor memory device 3.例文帳に追加

記憶容量が大きく、かつ、信頼性の高い半導体記憶装置３および半導体記憶装置３の製造方法を実現する。 - 特許庁

The system and method for identifying a memory modification includes assigning a first part of a first memory as read-only (54, 81).例文帳に追加

メモリ変更を識別するためのシステムおよび方法は、第１のメモリの第１の部分を読取り専用として指定することを含む（５４、８１）。 - 特許庁

To provide a method for recycling a ferroelectric memory device for easily restoring hysteresis characteristics and a ferroelectric memory module.例文帳に追加

簡便にヒステリシス特性を回復させることのできる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュールを提供する。 - 特許庁

To realize expansion of memory address space of a memory card while maintaining the interchangeability with an existing host device which does not correspond to a block addressing method.例文帳に追加

ブロック単位アドレッシング方法に対応していない既存のホスト装置との互換性を維持しつつ、メモリカードのメモリアドレス空間の拡張を図る。 - 特許庁

THIN-FILM PHASE-CHANGE MEMORY CELL FORMED ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ONE OR MORE MEMORY CELL例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成された薄膜相変化メモリ・セル、その形成方法、および１つ以上のメモリ・セルを含む集積回路 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COILED SHAPE-MEMORY ALLOY, COILED SHAPE-MEMORY ALLOY, ACTUATOR, POWER-ASSISTED DEVICE, POWER-ASSISTED DEVICE FOR ELBOW, AND LINK ACTUATOR例文帳に追加

コイル状形状記憶合金の成形方法、コイル状形状記憶合金、アクチュエータ、パワー・アシスト装置、肘のパワー・アシスト装置、及びリンク・アクチュエータ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE-TYPE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁

To provide a memory inspection method and memory inspection apparatus which reduces a test cost of a DUT by shortening a redundancy arithmetic processing time.例文帳に追加

リダンダンシ演算処理時間を短縮してＤＵＴのテストコストを削減できるメモリ検査方法およびメモリ検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory card capable of preventing data stored in a semiconductor memory installed in a lead frame from being corrupted, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

リードフレームに実装された半導体メモリに格納されたデータの破損を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing method and apparatus for increasing a compression rate of image data so as to contain the quantity of encoded image data within a memory capacity when the quantity of the encoded image data exceeds the memory capacity.例文帳に追加

符号化した画像データの量がメモリ容量を越える場合、その画像データの圧縮率を上げてメモリ容量内に収める。 - 特許庁

To provide a self-aligning method for forming a downsized memory cell having a novel structure, and to provide a memory cell array formed by using the same.例文帳に追加

サイズを減少し新規な構造を有するメモリセルを形成する自己整列型方法及びそれにより形成されたメモリセルアレーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for programming a non-volatile semiconductor memory in which programming time can be shortened and the deterioration of the characteristics of a memory cell can be prevented.例文帳に追加

プログラム時間を短縮でき、かつメモリセルの特性低下を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供すること。 - 特許庁

IMAGE FORMING DEVICE, MEMORY MANAGEMENT METHOD IN IMAGE FORMING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM IN WHICH MEMORY MANAGEMENT PROGRAM IS RECORDED IN IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

画像形成装置、画像形成装置におけるメモリ管理方法ならびに画像形成装置におけるメモリ管理プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁