「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device with a mixed loading memory which is capable of realizing both of the low leak property and the high-speed operating property of a memory transistor, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メモリトランジスタの低リーク性と高速動作性とを合わせて実現しうるメモリ混載半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access monitoring device and a method therefor by which memory access is efficiently monitored without performing trial-and-error approach.例文帳に追加

試行錯誤的なアプローチを行うことなくメモリアクセスの監視を効率的に行うことが可能なメモリアクセス監視装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory distributing method in the communication terminal of a mobile object for validly utilizing a memory resource to be used by a mail function.例文帳に追加

メール機能で利用されるメモリ資源を有効に活用することができる移動体通信端末におけるメモリ配分方法を提供すること。 - 特許庁

To save memory capacity and to efficiently use a memory by removing common areas for bank switching which are required for all banks in a conventional method.例文帳に追加

従来全バンク中に必要であったバンク切替用のコモン領域をなくすことで、メモリ容量を節約してメモリを効率良く使用できるようにする。 - 特許庁

To provide a memory element, in which information can be maintained for a long period even when it is manufactured at a low temperature, a manufacturing method of the memory element and an integrated circuit.例文帳に追加

低温で製造しても情報を長時間に渡って保持することができるメモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access control method and circuit, and an information processor for detecting that a memory reaches the end of life in advance.例文帳に追加

本発明は、メモリアクセス制御方法及び回路、並びに情報処理装置に関し、メモリの寿命が近い状態を事前に検知可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory whose life can be extended by averaging use state for each memory cell, and to provide a rewrite control method thereof.例文帳に追加

メモリセル単位で使用状況を平均化することにより長寿命化を図ることのできる半導体メモリ及びその書換制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory life warning device that can notify writing life expiration of a used semiconductor memory more accurately by a simpler method.例文帳に追加

使用される半導体メモリに即した書き込み寿命をより簡便な方法でより正確に通知可能にしたメモリ寿命警告装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a magnetic memory element which is free from an adverse influence on a peripheral region other than a memory cell region, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

メモリセル領域以外の周辺領域に悪影響を与えることがない、磁気メモリ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

POWER SUPPLY DEVICE, MEMORY DEVICE, PROCESSING APPARATUS, MEMORY DEVICE DECISION METHOD, SOFTWARE PROCESSING SYSTEM, PROCESSING PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM WITH THE PROCESSING PROGRAM RECORDED THEREON例文帳に追加

電力供給装置、メモリ装置、処理装置、メモリ装置判定方法、ソフトウェア処理システム、処理プログラム、並びに処理プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

To provide a method for forming a heating electrode of a variable-resistance memory device having a phase-variable matter film and a variable-resistance memory utilizing it.例文帳に追加

相変化物質膜を有する可変抵抗メモリ装置の加熱電極の形成方法とこれを利用する可変抵抗メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of obtaining the number of times of rewriting using a unified access method irrespective of a type of a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置の種類に関わらず、統一的なアクセス方法によって書き換え回数を取得することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device capable of providing a combination of both improved programming accuracy and programming speed, and a method for driving a memory system.例文帳に追加

プログラミング正確度とプログラミング速度のどちらも向上した組合せを提供できる不揮発性メモリー装置及びメモリーシステムの駆動方法の提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such that the operating speed of a cell transistor is fast and variation in threshold is small, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

セルトランジスタの動作速度が速く、しきい値の変動が小さい不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method accordingly identifies the storage location of the data in either the processor cache or memory in the node having the processor issuing the request or in a processor cache or memory of another node.例文帳に追加

従って、該要求を発行するプロセッサを持つノード内の（あるいは別のノードの）プロセッサキャッシュまたはメモリ内のデータの格納場所を識別する。 - 特許庁

To provide a memory area for a real time OS capable of reducing the load of task elimination processing and a task managing method using the memory area.例文帳に追加

タスク削除処理の負荷を軽減することのできるリアルタイムＯＳのメモリ領域及びそのメモリ領域を用いたタスク管理方法を提供する。 - 特許庁

INTERNAL CLOCK GENERATING CIRCUIT AND INTERNAL CLOCK GENERATING METHOD FOR SYNCHRONOUS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SYNCHRONOUS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE INTERNAL CLOCK GENERATING CIRCUIT例文帳に追加

同期型半導体メモリデバイス用の内部クロック発生回路及び内部クロック発生方法と、該内部クロック発生回路を有する同期型半導体メモリデバイス - 特許庁

To provide a semiconductor memory information storage device and its material data storage method that can substantially extend the lifetime of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリの寿命を実質的に増大させることが可能な半導体メモリ情報蓄積装置とその素材データ保存方法を提供する。 - 特許庁

A device and method of executing YUV (or YCrCb) video compression before decompression when a block is stored into a memory and is extracted from the memory for are provided.例文帳に追加

メモリ内への記憶及びメモリからのブロック取出し時の解凍の前にＹＵＶ（又はＹＣｒＣｂ）ビデオ圧縮を実行する装置及び方法。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE WHICH CAN PREVENT PROGRAM JUDGEMENT ERROR OF FLASH MEMORY CELL, AND CAN HAVE DISTRIBUTION OF UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE, AND ITS PROGRAM VERIFYING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁

To provide an asynchronous semiconductor memory device which can realize high speed of a system, an internal control method and a system for the asynchronous semiconductor memory device.例文帳に追加

システムの高速化を実現し得る非同期式半導体記憶装置、非同期式半導体記憶装置の内部制御方法及びシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a memory device formed from a selectively deposited PGO and a Pb_3Ge_5O_11 (PGO) thin film memory device.例文帳に追加

選択堆積されたＰＧＯから形成されたメモリデバイス、およびＰｂ_３Ｇｅ_５Ｏ_１１（ＰＧＯ）薄膜メモリデバイスを選択的に形成する方法が提供される。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for implementing partitioning in memory cards and modules in contrast to conventional memory cards or modules having only a single partition.例文帳に追加

単一パーティションのみを具備している従来のメモリカード又はモジュールであるメモリカード及びモジュールにおいてパーティショニングを実装する装置及び方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing an error in a data read operation and a precharge method of such a semiconductor memory device.例文帳に追加

データリード動作時における誤りを防ぐ事の出来る半導体メモリー装置、及び、そのような半導体メモリー装置のプリチャージ方法を提供する。 - 特許庁

DISK DRIVE DEVICE HAVING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR STORING DATA IN NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE IN DISK DRIVE DEVICE例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置を有するディスク・ドライブ装置及びそのディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ装置にデータを格納する方法 - 特許庁

A memory cell becomes a low-resistance condition at a first temperature in the programming method of the phase shift memory that has a high resistive state and a low resistive state.例文帳に追加

高抵抗および低抵抗の状態を持つ相変化メモリセルのプログラミング方法において、メモリセルは第１温度に加熱されて低抵抗状態になる。 - 特許庁

A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.例文帳に追加

メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁

This data access method in a multichannel flash memory comprises preparing the scheduled quantity of information channels between a plurality of flash memories and flash memory controllers at first.例文帳に追加

マルチチャンネルのフラッシュメモリにおけるデータアクセス方法は、先ず複数個のフラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラの間に予定数量の情報チャンネルを作成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device having a memory part and a logic part mixedly mounted, by which the increase of a contact resistance is prevented.例文帳に追加

コンタクト抵抗の増大を防止できるようにする、記憶部と論理部とを混載する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control method capable of efficiently using memory region while preventing overhead by copying process for generating a Java object.例文帳に追加

Ｊａｖａオブジェクトを生成するためのコピー処理によるオーバーヘッドを避け、効率的にメモリ領域を使用することができるメモリ管理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile magnetic memory which reduces characteristic irregularities between TMR elements and offer high manufacturing yield, and to provide the structure of the nonvolatile magnetic memory.例文帳に追加

ＴＭＲ素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which increases external access speed and has high reliability, and to provide a method of controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加

外部アクセス速度を高速化すると共に信頼性が高い不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の制御方法を提供すること。 - 特許庁

TEST METHOD FOR ELECTRICALLY REWRITABLE NON-VOLATILE MEMORY, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM IN WHICH TEST PROGRAM OF ELECTRICALLY REWRITABLE NON-VOLATILE MEMORY IS RECORDED例文帳に追加

電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法および電気的書換可能な不揮発性メモリのテストプログラムを記録した情報記録媒体 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory that has high-density integrated memory cells, can operate in low voltage, and is highly reliable, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルが高密度集積化され、低電圧による動作が可能で、かつ、信頼性の高い不揮発性メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is composed of split gate type memory cells having a double floating gate structure, and also to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型メモリセルで構成される不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory with a property which is hard to deteriorate during a manufacturing process and after a manufacturing and with a high reliability, and a method of manufacturing the ferroelectric memory.例文帳に追加

製造工程および製造後において特性が劣化しにくく、かつ信頼性の高い強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data management apparatus and method used for a flash memory, which can guarantee response time by expecting it at the time of data operation in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリでのデータ演算時に応答時間を予測して応答時間を保証できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a management method of a flash memory wherein the flash memory looks like a readable/writable data storage device relative to an optional location to an OS.例文帳に追加

ＯＳにとってフラッシュメモリが任意のロケーションに対する読出および書込が可能なデータ記憶装置に見えるようなフラッシュメモリの管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer capable of accelerating a plotting speed and a printing speed by simplifying memory management, its memory controlling method and a recording medium.例文帳に追加

メモリ管理を簡素化し、描画速度、印刷速度の高速化を測ることができる印刷装置及びそのメモリ制御方法ならびに記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein gates between the transistors of a CMOS part and a memory transistor of high-density memory are manufactured in a common process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ部の各トランジスタと、高密度メモリのメモリトランジスタとの各ゲートを共通の工程で製造し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory update method wherein an address translation table required for translating a logical address to a physical address so as to obtain uniform erasure/writing to a sector of a flash memory can be omitted.例文帳に追加

フラッシュ型メモリのセクタへの消去／書き込みを均一にする場合、アドレスを物理アドレスに変換するためのアドレス変換テーブルが必要である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device whose integration degree can be increased without decreasing the capacitor capacitance of a memory cell, and to provide a a method for manufacturing it.例文帳に追加

メモリセルのキャパシタ容量を減少させることなく集積度を増加させることを可能とした半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To propose a storage device and a data deduplication method which effectively uses a flash memory, while extending the life of the flash memory as a storage medium.例文帳に追加

記憶媒体としてのフラッシュメモリの長寿命化を図りながら、フラッシュメモリを有効活用し得るストレージ装置及びデータ重複排除方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory for making stable the shape of a floating gate, and making uniform erasure characteristics of each cell and the non-volatile memory.例文帳に追加

フローティングゲートの形状を安定させ、セル毎の消去特性の均一化を図った不揮発性メモリの製造方法及び不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

The method for the semiconductor memory device using a mirror mode operation, the method of the steps comprising: providing a common instruction signal to two sets of memory devices; and combining the common instruction signal with an uncommon instruction signal, which is provided for each of the memory devices.例文帳に追加

二つのメモリ装置に共通の命令信号と各装置に個別に供給される非共有命令信号のような既存の命令信号の組合せを用いることで、スタブ負荷による信号低下を防止しながらミラーモードの動作が可能である。 - 特許庁