「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device suitable for, for example, improving the characteristics of a memory cell and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

１つの実施形態は、例えば、メモリセルの特性を向上することに適した不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE, HOST CIRCUIT, CIRCUIT BOARD, LIQUID RECEPTACLE, METHOD OF TRANSMITTING DATA STORED IN NONVOLATILE DATA MEMORY SECTION TO HOST CIRCUIT, AND SYSTEM INCLUDING HOST CIRCUIT AND MEMORY DEVICE DETACHABLY ATTACHABLE TO THE HOST CIRCUIT例文帳に追加

記憶装置、ホスト回路、基板、液体容器、不揮発性のデータ記憶部に格納されたデータをホスト回路に送信する方法、ホスト回路と、前記ホスト回路と着脱可能な記憶装置を含むシステム - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and its inspection method in which analysis in a memory failure is facilitated for a memory storing secret data while securing secret of data stored in the memory.例文帳に追加

機密データを格納するメモリに対して、メモリに格納されるデータの機密性を確保しつつ、メモリ不良時の解析を容易にする半導体集積回路およびその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management device suitable for solving a deficiency that a browser terminal adopting the static memory management method may get into the state that the operation is impossible because of the shortage of memory resources.例文帳に追加

スタティックメモリ管理方式を採用したブラウザ端末において、メモリリソースの不足により操作不能な状態に陥るという不具合を解決するのに好適なメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell, the manufacturing method of the memory cell, and a semiconductor storage device and electronic equipment including the memory cell contriving low consumption power in the simple configuration of a conventional DRAM average quality.例文帳に追加

従来のＤＲＡＭ並みの簡素な構成であってさらに低消費電力化を図るメモリセル、メモリセルの製造方法、そのメモリセルを含む半導体記憶装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which variation in threshold voltage of a flash memory cell can be prevented/minimized while performing a high speed program, its programming method, a memory system including it, and a computer system.例文帳に追加

高速プログラムを遂行しながらフラッシュメモリセルのしきい値電圧の変化を防止／最小化できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法、並びにそれを含むメモリシステム及びコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a distributed shared memory system which enables memory write in unit of transaction with atomicity in an operation node to be transferred to a reserve node and to provide a distributed shared memory system control method.例文帳に追加

運用ノードにおけるアトミック性を持ったトランザクション単位のメモリライトを予備ノードに転送することが可能な分散共有メモリシステム及び分散共有メモリシステム制御方法を提供する。 - 特許庁

In the method for operation of the memory cell, the memory cell has a channel area (2) in which operation is possible in a first direction and a second direction, and the memory cell is characterized by at least one effective parameter.例文帳に追加

本発明のメモリセルの動作方法において、メモリセルは第１の方向および第２の方向に動作可能なチャネル領域（２）を有し、少なくとも１つの有効なパラメータによって特徴づけられる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and the manufacturing method of the same, reduced in the affection of an interference due to a coupling capacity between neighbored memory cells and improved in the operational margin of the memory cell.例文帳に追加

隣接メモリセル間の結合容量による干渉の影響を小さくしてメモリセルの動作マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pseudo multiport memory device capable of realizing an enhanced transfer method to a reference memory under the condition where all reference areas are stored into a shared large capacity pseudo multiport memory.例文帳に追加

共用の大容量擬似多ポートメモリに全ての参照領域を記憶するという条件の下で，参照メモリに対する改良転送法を実現できる擬似多ポートメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor, a memory management method of an image processor, a memory management program of an image processor, and a recording medium which properly manage the life of a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理を適切に行う画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関する。 - 特許庁

To solve a problem that restriction in continuance of a memory area which can be explicitly secured and used and reference relation among data for use spoils the convenience of a memory, in a method for managing the memory by garbage collection.例文帳に追加

ガベージコレクションによってメモリ管理する方法において、明示的に確保、利用可能なメモリ領域の存続及び利用する際のデータ間の参照関係の制約は、メモリの利便性を損ねている。 - 特許庁

To provide a shape-memory resin composition, a shape-memory resin molding, and a method for producing a shape-memory resin molding that enhance heat resistance and allow deformation operation at low temperature.例文帳に追加

耐熱性を高めることができ、低い温度で変形操作を行うことができる、形状記憶樹脂組成物、形状記憶樹脂成形体、及び形状記憶樹脂成形体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory test method for a semiconductor integrated circuit in which a testing cost is reduced without providing an exclusive circuit for a memory test to perform a self-test of a memory incorporated in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路に内蔵されたメモリの自己テストのためにメモリテスト専用回路を設けることなく、低コスト化を図った半導体集積回路のメモリテスト方法を提供する。 - 特許庁

The memory system and the method for recording data in a memory device which is selectively operated between the dual DQS mode and the single DQS mode having data inversion and reading out the data from the memory device are provided.例文帳に追加

デュアルＤＱＳモードとデータ反転を有する単一ＤＱＳモードとの間で選択的に動作するメモリ装置にデータを記録し、メモリ装置でデータを読み出すメモリシステム及び方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having high reliability of information reading, a display device having such semiconductor memory device, an electronic equipment, and a manufacturing method of such a semiconductor memory device.例文帳に追加

情報読取の信頼性の高い半導体記憶装置、そのような半導体記憶装置を有する表示装置および電子機器、および、そのような半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory structure and the manufacturing method of the same, capable of reducing a time and a process necessary for manufacturing the memory structure and capable of manufacturing the memory structure without employing any transistor for decoding.例文帳に追加

メモリ構造を製造するのに必要な時間と処理とを低減し、復号化用のトランジスタを用いることなくメモリ構造を製造することができるメモリ構造及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a memory management method, a memory management device and a storage medium recording a memory management program, in which a main program can perform processing by interrupting processing for generating continuous usable areas.例文帳に追加

メモリ管理方法、メモリ管理装置、及びメモリ管理プログラムが記録されている記録媒体において、連続した利用可能領域を生成する処理を中断して、主プログラムが処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile storage device capable of forming a memory element with a stable characteristic by a simple method even when a memory cell is finely divided.例文帳に追加

メモリセルが微細化されても、安定した特性を有するメモリ素子を、簡易な方法で形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING ERROR BY EXACTLY JUDGING POSITION OF DATA ERROR ON DATA MEMORY DISK, AND METHOD FOR CORRECTING ERROR BY EXACTLY JUDGING POSITION OF DATA ERROR ON DATA MEMORY MEDIUM例文帳に追加

デ—タ記憶ディスク上のデ—タエラ—の位置を正確に判断し、エラ—を訂正するための方法、およびデ—タ記憶媒体上のデ—タエラ—の位置を正確に判断し、エラ—を訂正するための方法 - 特許庁

To provide a memory stick card capable of transferring data by a method different from a conventional data transfer method in order to further speed up the data transfer rate of the memory stick card than heretofore.例文帳に追加

メモリスティックカードのデータ転送レートを従来のものよりも速くすることを目的とし、従来のデータ転送方法とは異なる方法でデータ転送をし得るメモリスティックカードを提供する。 - 特許庁

To provide a self-alignment method for forming a floating gate memory cell array with high programming and erasure efficiency in which the size of memory cell can be reduced, and an array formed by that method.例文帳に追加

メモリセルの小型化可能でプログラミング及び消去効率の高い浮遊ゲート・メモリセル配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造される配列が提供される。 - 特許庁

To provide a cache memory controller, a cache memory control method, a central processor, an information processor, and a central processing method, reducing a waiting time of a demand fetch process waiting a prefetch process.例文帳に追加

プリフェッチ処理を待つディマンドフェッチ処理の待ち時間を短縮するキャッシュメモリ制御装置、キャッシュメモリ制御方法、中央処理装置、情報処理装置、中央処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加

本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for employing an optical state-change organic polymer film as an information-storage layer in a high density optoelectric memory and a high density optoelectric memory produced by the method.例文帳に追加

高密度光メモリの情報記憶層として光学状態変化有機ポリマーフィルムを利用する方法及び当該方法によって製造された高密度光メモリを提供する。 - 特許庁

MEMORY CONTROL METHOD AND DEVICE, PLOTTING PROCESSING METHOD AND DEVICE, VIDEO CONTROL METHOD AND DEVICE, BUFFER CONTROL METHOD AND DEVICE AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

メモリ制御方法及び装置並びに描画処理方法及び装置並びにビデオ制御方法及び装置並びにバッファ制御方法及び装置並びに記憶媒体 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive plug structure such as a via plug using a multitude of conductive patterns and also to provide a method of fabricating a semiconductor element including a semiconductor memory element such as the method of fabricating a phase change memory element.例文帳に追加

多数の導電層パターンからビアプラグのような導電プラグ構造体の形成方法、及び相変化記憶素子の製造方法のような半導体メモリ素子を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the spectacle frame made of a shape memory alloy consists of using the shape memory alloy material as a blank and casting the blank by a precision casting method (investment casting method).例文帳に追加

本発明の形状記憶合金製眼鏡フレームの製造方法は、形状記憶合金材料を素材として、精密鋳造法（Ｉｎｖｅｓｔｍｅｎｔ ｃａｓｔｉｎｇ法）により鋳造することを特徴とする。 - 特許庁

To achieve a ferroelectric memory device where imprinting has been prevented, and a method for operating the ferroelectric memory device for preventing characteristic deterioration due to the imprinting.例文帳に追加

インプリントが防止された強誘電体メモリ装置およびインプリントによる特性劣化を防止する強誘電体メモリ装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory module which can effectively utilize wind from a fan and can have superior heat radiating properties by removing a latch part from a connector, and also to provided a method for mounting the memory module.例文帳に追加

ボード上のソケットを介して装着されたモジュールは、ソケットのラッチ部により、ファンからの風が遮られ、モジュールの放熱効果が低下している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a flash memory element capable of improving reliability by accurately matching electric connection between a segment transistor and a memory cell area.例文帳に追加

セグメントトランジスタとメモリセル領域間の電気的接続を正確に整合させて、信頼性を向上し得るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a storage cell for a memory element, a phase change type memory element in which operating current is decreased and high integration is achieved, and its forming method.例文帳に追加

動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of improving the program disturbance characteristics and reducing the interference phenomenon among memory cells.例文帳に追加

プログラムディスターバンス特性を向上させることができ、メモリセルの間の干渉現象を減らすことができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for erasing information in an organic memory device, information stored in the memory device is erased by irradiating light.例文帳に追加

有機メモリ素子において、該メモリ素子に記憶された情報の消去を光照射で行うことを特徴とするメモリの情報消去方法である。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory that can be reduced in cell area while a capacitor area is secured with a more optimized structure, and to provide a method of manufacturing the memory.例文帳に追加

より最適化された構造をもってキャパシタ面積を確保しつつセル面積が縮小可能な強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a programming method of a multi-level, each memory region can be programmed by non-binary-number of a level, and integer of bits, for example 5, is stored in an adjacent memory region.例文帳に追加

マルチレベルのプログラミング方法では、各メモリ領域をレベルの非バイナリ数でプログラムでき、ビットの整数例えば５が隣り合うメモリ領域に記憶される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is capable of enhancing data storage capability, without increasing the element area, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

素子の面積を増加させることなしにデータの貯蔵能力を向上させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect detecting method having high detection capability with respect to a malfunction of memory cells caused by variation in manufacturing magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ素子の製造時のバラツキによって発生するメモリセルの動作不良に対し、高い検出能力を持つ不良検出技術を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device for reducing the contact region of a phase change memory layer and an electrode and increasing integration effect, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a game system capable of producing a real and high quality image while applicable memory capacity of data is restrained, an information memory medium, and a compression method.例文帳に追加

データの使用記憶容量を抑えながらもリアルで高品質な画像を生成できるゲームシステム、情報記憶媒体及び圧縮方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a refresh current consumption is minimized without decreasing substantially memory capacity, and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

メモリ容量が実質的に減少せずとも、リフレッシュによる電流の消耗を最小化する半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

In a page mode write-in method of a non-volatile memory being electrically erasable and programmable in an integrated circuit, a written page corresponds to a column of a memory array.例文帳に追加

集積回路内の電気的に消去プログラム可能な不揮発性メモリのページモード書込み方法において、書込むページはメモリアレイの列に対応する。 - 特許庁