「methane substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A diamond thin film 12 is stacked (Fig.5(b)) with a thickness of 1 micrometer on a diamond substrate 11 (Fig.5(a)) by using a microwave plasma CVD apparatus under conditions that methane is used as a reaction gas and the temperature of the substrate is 700°C.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。 - 特許庁

A diamond thin film 12 is layered (Fig.5(b)) by 1 micron on a diamond substrate 11 (Fig.5(a)) using a microwave plasma CVD apparatus where methane is a reaction gas and the temperature of the substrate is 700°C.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。 - 特許庁

This production method comprises forming an ambient-pressure micro-plasma jet P including at least methane, and irradiating the principal surface of the silicon substrate S with the micro-plasma jet to form silicon carbide on the surface layer part of the silicon substrate S.例文帳に追加

少なくともメタンを含む大気圧マイクロプラズマジェットＰを生成し、シリコン基材Ｓの主面上に照射して、シリコン基材Ｓの表層部分に炭化シリコンを形成する。 - 特許庁

This catalyst comprises a carrier substrate 1, a methane-cleaning catalyst layer 2 formed on the surface of the substrate 1, and a hydrophobic coating layer 3 formed on the surface of the catalyst layer 2.例文帳に追加

担体基材１と、担体基材１の表面に形成されたメタン浄化触媒層２と、メタン浄化触媒層２の表面に形成された疎水性コート層３と、から構成した。 - 特許庁

In a second etching process, a mixed gas of the sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride is used, and at the same time, overetching is conducted by low substrate bias power.例文帳に追加

第２プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用い、かつ、低い基板バイアス電力によりオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

The steam-reforming catalyst 1 of methane consists of a non-noble metal alloy, and the reforming catalytic body is obtained by supporting the steam-reforming catalyst to a porous substrate.例文帳に追加

非貴金属合金からなる、メタンの水蒸気改質用触媒１及びこれを多孔質基材に担持してなる改質触媒体である。 - 特許庁

(1) Methane gas is mass-produced by partially oxidizing an organic waste at a high temperature to give carbon monoxide gas, letting a strong base act on the carbon monoxide gas under high pressure at high temperature to give a formate (or formic acid) and making good use of the formate as a substrate for a methane-producing bacterium.例文帳に追加

１）有機系廃棄物を高温で部分酸化処理して得た一酸化炭素ガスに強塩基を高温高圧で作用させて生じた蟻酸塩（若しくは蟻酸）をメタン生成菌の基質として活用しメタンガスを大量生産する。 - 特許庁

The above coating film is formed by subjecting the contact lens substrate to plasma polymerization treatment in a mixed gas atmosphere comprising methane and humid air followed by subjecting the resultant substrate to plasma treatment in a nonpolymerizable gas atmosphere.例文帳に追加

前記被膜を、前記コンタクトレンズ基材を、メタンと湿潤空気との混合ガス雰囲気下でプラズマ重合処理し、次いで、非重合性ガス雰囲気下でプラズマ処理することにより形成する。 - 特許庁

A diamond film is formed on a silicon substrate, having an underlying film formed thereon or an underlying substrate by using a raw material gas of a mixed gas including methane gas, hydrogen gas, and oxygen gas, and then the substrate is etched away to manufacture a diamond film for lithography.例文帳に追加

下地膜を形成させたシリコン基板又は下地基板上にメタンガス、水素ガス及び酸素ガスからなる混合ガスを原料ガスとしてダイヤモンド膜を成膜させた後、該基板をエッチング除去してリソグラフィ用ダイヤモンド膜を製造する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing a photosensitive layer containing a polycarbonate resin having a constitutional unit comprising the residue of bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)methane or the residues of bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)methane and other bisphenols on an electrically conductive substrate.例文帳に追加

導電性基体上に、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタンまたはビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタンと他のビスフェノール類の残基からなる構成単位を有するポリカーボネート樹脂を含有する感光層を設けて構成された電子写真感光体。 - 特許庁

A II-VI compound semiconductor crystal substrate is etched at room temperature by reactive ion etching using mixed gas of methane (CH_4) and hydrogen (H_2) as etching gas.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体結晶基板を、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにて常温でエッチングを行う。 - 特許庁

Moreover, a substrate having such continuous projections can be manufactured by growing carbon nano-walls formed on the substrate surface by decomposing hydrocarbon gas such as methane gas in plasma and by transferring their shapes onto the substrate surface through the etching processing or the like.例文帳に追加

また、このような連続突起が配置された基板は、基板表面にメタンガスなどの炭化水素ガスをプラズマ中で分解して形成されるカーボンナノウオールを成長させ、それらの形状をエッチング加工などにより基板表面に転写することにより作製できる。 - 特許庁

After performing a substrate arranging process to arrange a substrate 404 on the surface of a negative electrode 402 on its positive electrode side, a prescribed amount of a mixed gas consisting of methane gas and hydrogen gas is supplied from a gas feed part 406 into a chamber 401 and the temperature of the substrate 404 is adjusted to be at a prescribed temperature by using a heater 407.例文帳に追加

陰極４０２の陽極側の表面に、基板４０４を配置する基板配置工程を行った後、ガス供給部４０６からメタンガスと水素ガスから成る混合ガスを所定量チャンバー４０１内に供給すると共に、ヒーター４０７を用いて基板４０４の温度を所定の温度に調整する。 - 特許庁

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23.例文帳に追加

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 - 特許庁

A substrate 1 that is a solid solution phase consisting of a transition metal oxide and a nonreducible metal oxide is heated up in a methane gas and then the transition metal oxide is reduced and the transition metal is formed on the surface of the substrate and then the carbon nanofibers 2 are precipitated from this transition metal.例文帳に追加

遷移金属の酸化物および難還元性金属酸化物との固溶体相からなる基体１をメタンガス中で加熱することで、前記遷移金属の酸化物を還元し、前記基体表面に遷移金属を形成すると共に、この遷移金属からカーボンナノファイバー２を析出させる。 - 特許庁

By using normal chain hydrocarbon gas such as methane, ethylene and acetylene, a carbon atom beam is generated, and a diamond-like carbon film is formed on the surface of a solid target such as a silicon substrate by a covalent bond.例文帳に追加

原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。 - 特許庁

A compound semiconductor substrate is etched and acid-cleaned as a pre-process for forming an epitaxial growth layer on the surface of the compound semiconductor substrate, and the compound semiconductor substrate which is pre-processed is placed in a gas comprising carbon atom such as atmosphere, carbon dioxide, methane gas, so that the accumulated layer of carbon atom is formed on the surface of the compound semiconductor substrate before epitaxial growth.例文帳に追加

化合物半導体基板の表面にエピタキシャル成長層を形成する前処理工程として、化合物半導体基板にエッチングと酸洗浄を行い、かかる前処理を行った化合物半導体基板を、大気、炭酸ガス、メタンガス等の炭素原子を含む気体中に置いて、エピタキシャル成長前に、化合物半導体基板の表面に炭素原子の蓄積層を形成するようにした。 - 特許庁

By bias based high density plasma CVD applying a high frequency power to the substrate, the gap between the wirings is filled with a silicon oxide film 108 and an amorphous SiC film 109 is formed thereon using silane, methane and argon as a material (b).例文帳に追加

基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマＣＶＤ法により、配線間をシリコン酸化膜１０８で埋め込み、その上にシラン、メタン、アルゴンを原料としたアモルファスＳｉＣ膜１０９を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Further, a methane fermentation treatment is carried out while a carrier holding electrode equipped with a hydrophobic carrier capable of carrying a microorganism on at least a part of an electrode surface and a methane fermentation solution including an organic substrate are brought into contact with each other and the potential of the carrier holding electrode is controlled to +0.3 V based upon a potential at which reduction reaction is caused by the carrier holding electrode or a silver/silver chloride electrode potential.例文帳に追加

また、電極表面の少なくとも一部に微生物を担持し得る疎水性の担体を備えた担体保持電極と有機性基質を含むメタン発酵液とを接触させ、担体保持電極の電位を担体保持電極にて還元反応が生じ得る電位または銀・塩化銀電極電位基準で＋０．３Ｖに制御しながらメタン発酵処理を行うようにした。 - 特許庁

A carbon feed gas such as methane, ethylene or acetylene and hydrogen gas are used as introduction gases and carbon nanotubes are oriented in the perpendicular direction relatively to the substrate surface and prepared on the substrate surface of Ni, Fe, Co or an alloy composed of at least two kinds of the metals thereof by a plasma chemical vapor deposition(CVD) method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により、メタン、エチレン、アセチレン等の炭素供給ガスと水素ガスとを導入ガスとして用い、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ又はこれらの金属の少なくとも２種類からなる合金の基板表面上に、カーボンナノチューブを基板表面に対して垂直方向に配向させて作製する。 - 特許庁

The method for mass-producing methane gas involves utilizing, as a substrate for methanogenic bacteria, dry biomass and incompletely combusted gas from organic wastes (e.g. carbon monoxide gas, hydrogen gas, carbon dioxide gas) or chemicals obtained using the above as feedstocks (e.g. formates, methanol).例文帳に追加

ドライバイオマス及び有機系廃棄物の不完全燃焼ガス（一酸化炭素ガス、水素ガス、二酸化炭素ガス等）若しくはそれを原料に用いた化成品（蟻酸塩、メタノール）をメタン生成菌の基質として活用する事によってメタンガスを大量生産する。 - 特許庁

The color filter array has a blue filter layer formed on a substrate, and the blue filter layer contains a triaryl methane dye having the absorption maximum at 550 to 650 nm wavelength and has ≥70% transmittance at 450 nm wavelength and ≤5% at 650 nm wavelength.例文帳に追加

基体上に青色フィルタ層を有してなり、該青色フィルタ層は波長５５０〜６５０ｎｍに吸収極大を有するトリアリルメタン系色素を含有し、透過率が波長４５０ｎｍで７０％以上であり波長６５０ｎｍで５％以下であることを特徴とする色フィルタアレイ。 - 特許庁

Carbon nanotubes are deposited on a titanium substrate containing dispersed fine cobalt particles by plasma CVD process using a mixture of methane gas and hydrogen gas and keeping the substrate temperature at 500°C and the substrate holding the deposited carbon nanotubes is subjected to substitution reaction with boron oxide in nitrogen stream at 1500-2000°C to obtain the boron nitride nanofibers having a long-period structure consisting of 12-layer period and 24-layer period.例文帳に追加

コバルトの微粒子を分散させたチタン製基板を用いて、メタンガスと水素ガスの混合物を、基板温度を５００℃に維持して、プラズマＣＶＤ法により、カーボンナノチューブを基板上に堆積させ、次に、このカーボンナノチューブの堆積した基板と酸化ホウ素を窒素気流中で、１５００℃から２０００℃で置換反応させることにより、１２層周期および２４層周期の長周期構造を有する窒化ホウ素ナノ繊維を製造する。 - 特許庁

The application method of the hard film on a substrate surface is carried out by arc ion plating, wherein a hard film comprising titanium carbide is applied on a substrate surface by arc ion plating using a titanium target, while a bias voltage of -120 to -150V is applied on the surface and methane gas is introduced to control the inner pressure of the furnace to 2.8 Pa to 3.8 Pa.例文帳に追加

さらには、アークイオンプレーティングによる基体表面への硬質皮膜の被覆方法であって、チタンターゲットを用いたアークイオンプレーティング中には、基体に−１２０〜−１５０Ｖのバイアス電圧を印加しかつ、炉内圧力が２．８Ｐａ〜３．８Ｐａのメタンガスを導入することによって、基体表面にチタン炭化物からなる皮膜を被覆する硬質皮膜の被覆方法である。 - 特許庁

The boron nitride nanotube including the cobalt nanowire is manufactured by using a cobalt-made wafer as a substrate and by growing a cobalt-containing carbon nanotube on the substrate by a plasma CVD method using a mixture of a nitrogen gas, a hydrogen gas, and a methane gas, followed by the substitution reaction between the carbon nanotube powder and boron oxide in a nitrogen gas flow at 1,700-2,500K.例文帳に追加

コバルト製のウエハーを基板として用い、窒素ガス、水素ガスおよびメタンガスの混合物のプラズマＣＶＤ法により、コバルト含有カーボンナノチューブを基板上に成長させ、次いでこのカーボンナノチューブの粉末と酸化ホウ素を窒素気流中で１７００Ｋから２５００Ｋの温度で置換反応させることにより、コバルトのナノワイヤーを包含した窒化ホウ素ナノチューブを製造する。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

At least one kind of gas selected from the gases of fluorine- carbon compounds CR4, CHF3, C2F6, C3F8 and C4F8 is mixed into methane or ethylene as a film deposition gaseous starting material and is used, further, while light with any wavelength in the region from far infrared radiation to ultraviolet radiation is applied on a substrate face, film deposition is performed by plasma CVD.例文帳に追加

成膜原料ガスであるメタン、またはエチレン中に、フッ素炭素化合物ＣＦ_4、ＣＨＦ_3、Ｃ_2Ｆ_6、Ｃ_3Ｆ_8、及びＣ_4Ｆ_8のガスから選ばれた少なくとも一種のガスを混合して用いるとともに、基板面に遠赤外線から紫外線域までのいずれかの波長の光を照射しながら、プラズマＣＶＤにより成膜する。 - 特許庁

As to a thermal recording material provided with a thermal color developing layer which contains a colorless or light colored coloring compound and a color developing compound which makes it develop color upon heating as main components on a substrate, the thermal recording material is characterized by containing methane bisphenols as a color developing compound and a compound represented by the following formula (1).例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を主要成分として含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、顕色性化合物としてメンタンビスフェノール類と下記式（１） - 特許庁