「nm」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The hollow fiber-like organic nanotube has 70-500 nm average outer diameter, 40-300 nm average inner diameter (average diameter of hollow) and about several hundred nm-several hundred μm length.例文帳に追加

その平均外径は７０〜５００ｎｍ、平均内径（中空の平均径）は４０〜３００ｎｍ、長さは数百ｎｍ〜数百μｍ程度である。 - 特許庁

The size of the crystal grains in each phase 1 and 2 is 5 to 100 nm, preferably, 10 to 40 nm.例文帳に追加

各相１，２の結晶粒のサイズは、５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍである。 - 特許庁

The second titanium oxide coating layer suitably has ≥20 nm and ≤100 nm thickness.例文帳に追加

ここで、二次酸化チタン被覆層は厚みが２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁

This rubber composition contains fine powder silica of 5 nm to 30 nm in primary particle size.例文帳に追加

このゴム組成物は、一次粒子直径が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の微粉シリカを含んでいる。 - 特許庁

The reflection mirror 2 is configured by connecting three fiber gratings having reflection in 1,455 nm, 1,476 nm and 1,495 nm in series.例文帳に追加

反射ミラー２は、それぞれ１４５５ｎｍ、１４７６ｎｍ、１４９５ｎｍで反射を有する３つのファイバグレーティングを直列に接続して構成した。 - 特許庁

The nano fine particles are ≤100 nm fine particles.例文帳に追加

ナノ微粒子が１００nm以下の微粒子である。 - 特許庁

The filament nano titanium oxide has a diameter of 2-80 nm and length of 100 nm or more.例文帳に追加

長繊維形状の酸化チタンは、直径が２〜８０ｎｍで、長さが１００ｎｍ以上であった。 - 特許庁

It is preferable that the retardation value of the layer structure 5 is >0 nm and is ≤60 nm.例文帳に追加

層構造５のリタデーション値は、０ｎｍより大きくて６０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

A tunnel insulating film 104 is made ≤3 nm.例文帳に追加

トンネル絶縁膜１０４を３ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The fluorescent spectrum emitted from the fluorescence emitter 11 is set in the range of from 400 nm to 1,100 nm.例文帳に追加

蛍光発光部材１１が発光する蛍光スペクトルは400nm〜1100nmの範囲に設定されている。 - 特許庁

-0.494×t_Ru+4.30≤t_Si≤-0.494×t_Ru+5.70 (1), 2.5 nm≤t_Ru≤3.5 nm (2).例文帳に追加

−０．４９４×ｔ_Ru＋４．３０≦ｔ_Si≦−０．４９４×ｔ_Ru＋５．７０（１）２．５ｎｍ≦ｔ_Ru≦３．５ｎｍ（２） - 特許庁

The second laser beam used has the wavelength longer than 350 nm but shorter than 800 nm.例文帳に追加

第２のレーザビームは、波長が３５０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さいレーザビームを用いる。 - 特許庁

The ultraviolet lamp 6 irradiates an ultraviolet ray having a wavelength of 254 nm and 184 nm.例文帳に追加

紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。 - 特許庁

The band gap wavelengths of active layer and diffraction grating are about 1540 nm and about 1510 nm.例文帳に追加

活性層及び回折格子のバンドギャップ波長は、約１５３０ｎｍ、及び約１５１０ｎｍである。 - 特許庁

Furthmore, the layer thickness of the undoped GaAs buffer layer 4 is formed 10 nm to 100 nm.例文帳に追加

また、アンドープＧａＡｓバッファ層４の層厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍに形成されている。 - 特許庁

The interlayer distance d002 of a plurality of the crystallites is set to 0.388 nm≤d002≤0.420 nm.例文帳に追加

複数の結晶子の層間距離ｄ_002 は０．３８８ｎｍ≦ｄ_002 ≦０．４２０ｎｍに設定される。 - 特許庁

The ultraviolet protective agent includes a group 14 element having ≥2 nm and ≤30 nm average particle diameter.例文帳に追加

平均粒子径２ｎｍ以上３０ｎｍ以下である１４族元素からなる紫外線防御剤。 - 特許庁

A transparent conductive membrane 14 of 5 nm to 20 nm is formed on the lower part electrode 13.例文帳に追加

下部電極１３の上には５ｎｍ〜２０ｎｍの透明導電膜１４が形成されている。 - 特許庁

The peak wavelength of the light is ≤380 nm.例文帳に追加

光のピーク波長が３８０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The light emitting diode 6 is a semiconductor tip 13 having the peak wave length of ≥310 nm and ≤530 nm.例文帳に追加

発光ダイオード６は、ピーク波長が３１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の半導体チップ13とする。 - 特許庁

Advantageously, the maximum in the wavelength range 1400 nm to 1650 nm is a single maximum.例文帳に追加

有利には、１４００〜１６５０ｎｍの波長範囲で波長分散の最大値が１つである。 - 特許庁

The zero dispersion wavelength is 1,350 nm-1,440 nm and the cable cut-off wavelength is less than 1,368 nm in the optical fiber transmission ways 31-33.例文帳に追加

光ファイバ伝送路３１〜３３は、零分散波長が１３５０ｎｍ〜１４４０ｎｍであり、ケーブルカットオフ波長が１３６８ｎｍ未満である。 - 特許庁

To provide an optical recording medium capable of recording at optional two wavelengths from 635 nm to 660 nm.例文帳に追加

６３５nmから６６０nmの間の任意の２波長で記録できる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

The light transmittance is detected through the use of light of the wavelength region between 640 nm and 680 nm.例文帳に追加

光透過率は、６４０ｎｍ〜６８０ｎｍの波長域内の光を利用して検出される。 - 特許庁

The fiber also presents dispersion having a slope of absolute value less than 0.03 ps/(nm^2 km) in the wavelength range 1530 nm to 1580 nm.例文帳に追加

ファイバはさらに、１５３０〜１５８０ｎｍの波長範囲で絶対値が０．０３ｐｓ／ｎｍ^２・ｋｍ未満の波長分散勾配を有する。 - 特許庁

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm.例文帳に追加

その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。 - 特許庁

A 0.3-nm probe is situated over dislocation cores in iron. 例文帳に追加

0.3nmのプローブが、鉄の転位芯に置かれている。 - 科学技術論文動詞集

The thickness of an InxGa1-xN (0<x<1) well layer is 1.5-4.5 nm, and the thickness of a barrier layer is preferably 1.5-5.0 times the film thickness of the well layer.例文帳に追加

In_xGa_1-xN(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In_xGa_1-xN(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。 - 特許庁

The amplitude of certain periodic components (with periods 0 nm-100 nm, 50 nm-250 nm, or 400 nm-4 μm) of the ruggedness of the surface of the liquid crystal alignment layer is changed by the ruggedness of a base film, conditions for rubbing and the like to control the liquid crystal alignment.例文帳に追加

液晶配向膜の表面凹凸のある周期成分（周期０ｎｍ〜１００ｎｍ、５０ｎｍ〜２５０ｎｍ又は４００ｎｍ〜４μｍ）の振幅を、下地膜の凹凸、ラビング条件等により変化させて、液晶配向の制御を行なう。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet, the flake-like material at the flat part on the plating surface has an average thickness of ≥ 3 nm and ≤ 50 nm and an average major axis of ≥ 50 nm and ≤ 1,500 nm.例文帳に追加

前記合金化溶融亜鉛めっき鋼板は、めっき面平坦部のリン片状物質は、平均厚さ３ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、平均長径５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の範囲内である。 - 特許庁

The core-shell type platinum-containing catalyst has core particles made of a non-platinum element (R_1 denotes the average particle size) and a platinum shell layer (t_s denotes the average thickness), wherein 1.4 nm≤R_1≤3.5 nm and 0.25 nm≤t_s≤0.9 nm.例文帳に追加

コアシェル型白金含有触媒は非白金元素からなるコア粒子（平均粒子径をＲ_1））と白金シェル層（平均厚さｔ_s）を有し、１．４ｎｍ≦Ｒ_1≦３．５ｎｍ、０．２５ｎｍ≦ｔ_s≦０．９ｎｍである。 - 特許庁

At t2 when the torque capacity tTc2 becomes the engine starting time target driving torque, torque capacity tTc1 of a first clutch is set to a value to achieve an engagement starting state, and control is carried out so that the number of motor revolutions Nm becomes an engine starting target number Nm.例文帳に追加

tTc2＝エンジン始動時目標駆動トルクになるt2に、第1クラッチのトルク容量tTc1を締結開始状態となる値にし、モータ回転数Nmがエンジン始動用目標Nmとなるよう制御する。 - 特許庁

Preferably, the laminated film is also constituted so that the number of layers whose thickness to the layer is ≥10 nm and <220 nm is larger than the number of the layers whose thickness to the layer is ≥220 nm and ≤320 nm.例文帳に追加

好ましくは、前記積層フィルムを、層対厚み１０ｎｍ以上２２０ｎｍ未満の層の数が、層対厚み２２０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の層の数より多くなるように構成する。 - 特許庁

Examples of the pigments suitably used include those comprising pigment particles having particle diameter distribution peaks respectively in the range of particle diameters from 1 nm to below 100 nm and in the range of particle diameters from 100 nm to 180 nm.例文帳に追加

前記顔料として、粒径１〜１００ｎｍ未満の範囲と、粒径１００〜１８０ｎｍの範囲とに、それぞれ粒度分布のピークを有する顔料粒子からなるものを好適に提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a quantum dot having a diameter of several nm - several tens nm or a quantum thin line having a width of several nm - several tens nm stably with high positional accuracy and high throughput.例文帳に追加

数ｎｍ〜数十ｎｍの直径をもつ量子ドットや数ｎｍ〜数十ｎｍの幅をもつ量子細線を位置精度良く、高スル−プットで安定して形成できる方法を提供する。 - 特許庁

The average particle size of the copper fine particles is 0.1 to 10 nm.例文帳に追加

この銅微粒子の平均粒径は0.1〜10nmである。 - 特許庁

A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加

微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、ＴiＳiシード層（２５ｎｍ）、ＣrＭo下地層（２５ｎｍ）、ＣoＮiＣrＴa磁性層（２０ｎｍ）、Ｃ保護層（１０ｎｍ）を形成した。 - 特許庁

To obtain a good pattern shape when a resist pattern is formed using light having a wavelength of 1 nm band to 30 nm band or 110 nm band to 180 nm band as light for exposure.例文帳に追加

露光光として１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯又は１１０ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。 - 特許庁

(i) The film has ≤10 nm in-plane retardation (Ret) to light having 550 nm wavelength and ≤10 nm retardation (Rth) in the film thickness direction to light having 590 nm wavelength.例文帳に追加

（ｉ）波長５５０ｎｍの光に対するフィルム面内の位相差（Ｒｅｔ）が１０ｎｍ以下であり、かつ、波長５９０ｎｍの光に対するフィルム厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）が１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A wavelength of irradiation light is within a range of 350 to 450 nm.例文帳に追加

照射光の波長が、350〜450nmの範囲にある。 - 特許庁

The retardation at 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths of the retardation film satisfies the following relation (7) and (8).例文帳に追加

Ｒ（４５０）＜Ｒ（５５０）＜Ｒ（６５０） （７） Ｌ=〔((450/550)-R(450)/R(550))^2+((650/550)-R(650)/R(550))^2〕^1/2＜0.10 （８） 〔式中、R(450)、R(550)、R(650)は、それぞれの波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍにおける高分子配向フィルムの面内位相差である。 - 特許庁

The average particle size of the metal nanoparticles 34 is from 100 nm or larger to below 200 nm, and preferably the upper limit of the metal nanoparticles 34 is 200 nm.例文帳に追加

金属ナノ粒子３４の平均粒子径は１００ｎｍ以上、２００ｎｍ未満であり、好ましくは、金属ナノ粒子３４の上限は２００ｎｍである。 - 特許庁

In the formula, λ is a Kα 1 wavelength (nm) of a characteristic X ray, and (d) is a lattice spacing of 0.8 nm to 150 nm.例文帳に追加

２θ＝２ｓｉｎ^-1（λ／２ｄ） （１）（λは特性Ｘ線のＫα１の波長（ｎｍ）、ｄは格子面間隔を表し０．８ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲である。） - 特許庁

The crystal grain size of the upper electrode and/or the tunnel insulation layer 12 is not smaller than 50 nm and not larger than 160 nm, and average surface roughness of them is not larger than 5 nm.例文帳に追加

上部電極１３および/またはトンネル絶縁層１２の結晶粒径を５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下、平均表面粗さを５ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The amount of polishing is set at 5% with respect to the entire Ir film thickness of 210 nm, that is about 10 nm, and the ultimate film thickness is set at 200 nm.例文帳に追加

ポリッシング量は全体のＩｒ膜の膜厚２１０ｎｍに対して５％、即ち、約１０ｎｍとし、最終的な膜厚を２００ｎｍとした。 - 特許庁