「p. 11」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The messaging service 15 can relay the P to P communication between one of the client 11, 13 and one framework service 16 and P to M communication between the plurality of clients 11, 13 and the plurality of framework services 16.例文帳に追加

メッセージングサービス１５は、一クライアント１１，１３と一フレームワークサービス１６間のP to P通信の中継と、複数クライアント１１，１３と複数フレームワークサービス１６間のP to M通信の中継とが行なえる。 - 特許庁

Then, a p-type clad layer 9, p-type contact layer 10, and a p-side electrode 11 are laminated on the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加

そして、ｐ型導波層７上には、順次ｐ型クラッド層９、ｐ型コンタクト層１０、ｐ側電極１１が積層されている。 - 特許庁

A first P-well area 55a is formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板11に第1Pウェル領域55aが形成されている。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 17 is formed in a semiconductor substrate 11 by introducing a p-type impurity into the substrate 11 from one main surface SA of the substrate 11.例文帳に追加

半導体基体１１の一方の主面ＳＡからＰ型不純物を導入し、Ｐ^＋型半導体領域１７を形成する。 - 特許庁

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

The first magnetic film 11 contains at least one element selected out of C, P, As, Sn, Sb, Te, and Pb.例文帳に追加

第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises a P type collector region 11 containing P type impurity such as boron.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、ボロン等のＰ型不純物を含むＰ型コレクタ領域１１を備える。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

In a moving body 11, slits 12 having respectively the width of (1/2)P are bored with an arrangement pitch of P in the moving direction.例文帳に追加

移動体１１には、移動方向に配列ピッチＰで(１/２)Ｐの幅のスリット１２が穿設されている。 - 特許庁

A P^- region 11 being a P-type body is derived onto the partial surface of a source side.例文帳に追加

Ｐ型のボディーであるＰ^-領域１１はソース側の一部表面上に導出される。 - 特許庁

As it approaches the first p-type region 11, the potential of the second p-type region 14 is decreased.例文帳に追加

そして第１のＰ型領域１１に近付くにつれて第２のＰ型領域１４の電位が低くなる。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

Subsequently, a p-electrode 12 is formed on the p-type layer 13, and the p-electrode 12 is bonded to a support substrate 10 via a metal layer 11.例文帳に追加

次に、ｐ型層１３上にｐ電極１２を形成し、ｐ電極１２と支持基板１０とを金属層１１を介して接合する。 - 特許庁

A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加

ソース領域７およびドレイン領域９は、ｎ型エピタキシャル層４に接続されている。 - 特許庁

The p-type cap layer 11 includes an alternate stack of m+1 p-type GaAs layers and m p-type GaInP layers.例文帳に追加

ｐ型キャップ層１１はｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層とｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層とが交互に積層されている。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

For example, for a memory cell 3(1, p) of address 1, sources of the NMOS transistors 11(1, p), 12(1, p) of which the gates are connected to the search bus SB(p) or XBP(p) are connected to a match line ML0 of address 0.例文帳に追加

例えば、１番地のメモリセル３（１、ｐ）については、ゲートがサーチバスＳＢ（ｐ）又はＸＳＢ（ｐ）に接続されているＮＭＯＳトランジスタ１１（１、ｐ）、１２（１、ｐ）のソースを０番地のマッチラインＭＬ０に接続する。 - 特許庁

In the second press working, the pressed body F having the corner 22 of R≤t by using a stepped punch 55 for pressing the end faces 11e in the sidewalls 11 of the pressed body P and the inside corner 12i of the pressed material P.例文帳に追加

第二のプレス加工では、プレス材Pの側壁部11の端面11eとプレス材Pの内角部12iとを押圧する段差パンチ55を用いて、R≦tの角部22を有するプレス体Fを形成する。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has an aligned lamination of a layer 12 formed of a second semiconductor showing the p-type electrical characteristic on the layers 11, 11' formed of a first semiconductor having the forbidden band width of 2.8 eV or more.例文帳に追加

本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第１の半導体から成る層１１、１１’の上に、p型の電気特性を示す第２の半導体から成る層１２が整合積層していることを特徴とする。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed on an n^+-type substrate 1, and a trench 12 is formed on the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋型基板１の上にＰ型半導体層１１を形成し、Ｐ型半導体層１１にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor substrate 11 is prepared, and an n-type semiconductor layer 12 is formed in face to face with the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１を準備し、このｐ型半導体基板１１と対向するようにしてｎ型半導体層１２を形成する。 - 特許庁

The N bus bar 12 extends in parallel with the axial direction of the P bus bar 11, and also is arranged to surround the P bus bar 11.例文帳に追加

Ｎバスバー１２は、Ｐバスバー１１の軸線方向に対して平行に延びるとともに、Ｐバスバー１１を囲むように配置される。 - 特許庁

To provide a bill processor 11 allowing prevention of a jam of a bill P when collecting bills P of a bill storage part 43.例文帳に追加

紙幣収納部43の紙幣Ｐを回収する際、紙幣Ｐが詰まるのを防止できる紙幣処理装置11を提供する。 - 特許庁

A constant current is injected into the light gain region 3 from a first current source 11 through a p-side electrode 9 and an n-side common electrode 7.例文帳に追加

光利得領域には、p側電極9とn側共通電極7とを介して第1電流源11から定電流が注入される。 - 特許庁

When the drive available conditions of the electric O/P 11 are established before E/G restarting conditions are established, the electric O/P 11 is stopped.例文帳に追加

Ｅ／Ｇ再始動条件の成立前に、電動Ｏ／Ｐ１１の駆動可能条件外が成立すると、電動Ｏ／Ｐ１１が停止する。 - 特許庁

A suspension device (10) with first and second engagement portions (11 and 14) moors the body of a worker (P) to the horizontal member.例文帳に追加

第１及び第２係止部(11、14)を備えた懸吊装置(10)が、作業者（P）の身体を横架材に係留する。 - 特許庁

Liquid W is dropped to an abutment section and cryogenically freezed by the specimen holder 11 and the specimen P so as to fix the specimen P on the specimen holder 11.例文帳に追加

そして、標本ホルダ１１と標本Ｐの冷熱により液体Ｗを凍結させて、標本Ｐを標本ホルダ１１に固定する。 - 特許庁

Further, the liquid is transferred to a medium (P) from the coating face (11A) while the liquid is supplied to the coating face (11A) by rotating the coating roller (11) and the weighing roller (20).例文帳に追加

塗布ローラ(11)と計量ローラ(20)を回転させて塗布面(11B)に液体を供給しつつ当該塗布面から媒体（P）に液体を転写する。 - 特許庁

According to this system, a database 11 manages a password (p).例文帳に追加

本システムによればデータベース１１はパスワードｐを管理する。 - 特許庁

This lighting inspection device 11 is for performing lighting inspection on the liquid crystal panel P.例文帳に追加

液晶パネルＰを点灯検査する点灯検査装置１１である。 - 特許庁

The P-type layer 11 is connected to an emitter electrode 9.例文帳に追加

Ｐ型層１１はエミッタ電極９に接続されている。 - 特許庁

A p-side electrode 31 is formed on the ridge 11.例文帳に追加

リッジ部１１上にはｐ側電極３１が形成されている。 - 特許庁

Pixels P are arranged at the intersections of scanning lines 11 and data lines 13.例文帳に追加

画素Ｐは、走査線１１とデータ線１３との交差に配置される。 - 特許庁

A liner plate 2 is interposed between the pipe P and the support member 11.例文帳に追加

ライナプレート２が、配管Ｐと支持部材１１との間に介在する。 - 特許庁

A p+-type diffused layer 21 provided at the upper part of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にｐ^+ 型の拡散層２１を設ける。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed to the opening 9h.例文帳に追加

開口９ｈには、ｐ型半導体層１１が設けられている。 - 特許庁

A collector electrode 12 is connected to the p^+-type collector region 11.例文帳に追加

ｐ^＋型コレクタ領域１１にコレクタ電極１２が接続されている。 - 特許庁

Further, the p^+-type isolation layer 11 is in contact with the channel stopper 3.例文帳に追加

また、ｐ^+型分離層１１は、チャネルストッパー３に接する。 - 特許庁

A recessed part 11 for storing the wheel 2 of the wheelchair is provided in the platform P.例文帳に追加

プラットホームＰに車椅子の大車輪２がはまる凹部１１を設ける。 - 特許庁

The adherend P on the conveyer 11 is placed under the attachment means 12.例文帳に追加

コンベア１１上の被着体Ｐを貼付手段１２の下に配置する。 - 特許庁

The resonance frequency of the P coil 11 is different from that of the Q coil 21.例文帳に追加

Ｐコイル１１とＱコイル２１の共振周波数が異なる。 - 特許庁

A bolt contact portion 11 of approximately a belt shape is provided which contacts the hanging bolt P.例文帳に追加

吊りボルトＰに接する略帯状のボルト当接部１１を設ける。 - 特許庁

A first member 11 has a ring shape centering around an axis P.例文帳に追加

第１部材１１は軸芯Ｐを中心としたリング状の形状を有する。 - 特許庁

The sucker 11 is closely fitted to the inner surface of an assembled form P while holding the insert fitting 21 by the sucker 11, concrete C is poured into the form P, and the form P and the sucker 11 are removed after the concrete is solidified.例文帳に追加

そして、組み上げられた型枠Ｐの内面に吸盤１１を密着させ、且つインサート金具２１を吸盤１１で保持させた後、型枠Ｐの内部にコンクリートＣを流し込み、凝固後、型枠Ｐおよび吸盤１１を撤去する。 - 特許庁