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patterning techniqueの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 44件
PATTERNING OF CELLS ON SUBSTRATE BY INKJET PRINTING TECHNIQUE例文帳に追加
インクジェット印刷技術を用いた基板上への細胞のパターンニング - 特許庁
To provide a multiple patterning technique which provides high resolution pattern features.例文帳に追加
高解像度パターンフィーチャをもたらす多重パターニング技法を提供する。 - 特許庁
To provide an inexpensive and new patterning technique of an inorganic film effectively patterning a piezoelectric film or the like, excelling in accuracy of the shape of a pattern, and facilitating patterning.例文帳に追加
圧電膜等のパターニングに有効であり、パターン形状精度が良好で、パターニングが容易で低コストな新規な無機膜のパターニング技術を提供する。 - 特許庁
Accordingly, coils small in size and high in density are obtained by utilizing a patterning technique for example the ink jet-aided patterning technique whereby conductive pattern formation is easily accomplished.例文帳に追加
したがって、容易に導体パターンの形成が可能なパターニング技術(例えばインクジェットによるパターニング技術等)を利用して、小型で高密度のコイルを提供することが可能である。 - 特許庁
To provide a technique for manufacturing a flexible wiring board free of patterning-related troubles involving metal wirings.例文帳に追加
金属配線にパターニング不良が無いフレキシブル配線板を製造する技術を提供する。 - 特許庁
This technique can improve the line-end pattern definition and improve the manufacturability and a patterning process window.例文帳に追加
この技術は、配線の端部パターンの形成を改良し、生産性とパターニング工程ウィンドウを改善する。 - 特許庁
To provide a method for printing and patterning a molecule on a silicon surface at a high speed by using a microcontact printing technique.例文帳に追加
マイクロコンタクトプリンティグ法を用いて、分子をシリコン表面に高速でプリンティング、パターニングする方法を提供する。 - 特許庁
To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加
化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁
In a new patterning process which is different from the conventional technique of adopting a mark for matching formed in a single-patterning process, plural marks 20a-2, 20b-2 and 20c-1 matchingly formed in the mutually different patterning processes are adopted to alignment correction.例文帳に追加
新たなパターニング工程で、単一のパターニング工程で形成された整合用マークを採用する従来技術とは異なり、相互に異なるパターニング工程で形成された複数の整合用マーク20a−2、20b−2および20c−1をアライメント修正に採用する。 - 特許庁
To provide technique for manufacturing an organic EL display having high performance by carrying out high-accuracy patterning, readily and in a short time.例文帳に追加
簡便にかつ短時間で精度の高いパターニングを行い、高性能の有機EL表示体装置を製造する技術を提供する。 - 特許庁
To provide a method for simultaneously realizing a patterning technique capable of forming a large area pattern at a low cost and a fine patterning technique capable of forming a small feature pattern as a method for forming a patterned thin film layer for IC that can be utilized in manufacture of a large area electronic device.例文帳に追加
大面積の電子装置の製造に利用できるパターニングされたIC用薄膜層の形成方法として、安価に大面積のパターンを形成できるパターニング技術と、小さな特徴パターンを形成できる微細パターニング技術と、を同時に実現する方法を提供する。 - 特許庁
Therefore, an etching mask is formed, and etching can be carried out, without the use of a patterning process by a lithography technique.例文帳に追加
そのため、リソグラフィ技術によるパターニング処理を必要とせずにエッチングマスクの形成、エッチングを行うことが出来ることを特徴としている。 - 特許庁
A metallic oxide film (such as a ZnO film) is selectively formed on the first catalyst subjected to the patterning by a wet film forming technique.例文帳に追加
パターニングされた第1触媒上に、湿式成膜技術による金属酸化膜(ZnO膜など)を選択的に形成する(第3の工程)。 - 特許庁
The metallic particle patterning film having about 1 μm precision is easily and firmly formed by the lithographic technique using photomasks or laser beams, etc.例文帳に追加
フォトマスクやレーザービーム等のリソグラフィ技術により、約1μmの精度を有した金属粒子パターニング膜を容易且つ強固に形成できる。 - 特許庁
By using photolithography technique and dry etching technology, patterning is performed by anisotropical etching of the insulating film 19 up to the middle of a conductive film 4A.例文帳に追加
フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用い、絶縁膜19および導電性膜4Aの途中までは異方性エッチングによりパターニングを進める。 - 特許庁
To obtain an apparatus and the like of measuring eccentricity of a patterning disk capable of highly accurately measuring eccentricity of a fine recording pattern of the patterning disk and measuring eccentricity of the patterning disk by only small change of a measuring device utilizing a conventional image processing technique without using an expensive and complicated device.例文帳に追加
パターニングディスクの記録パターンが微細化しても高精度にその偏芯量の測定が可能であり、かつ高価で複雑な装置を用いなくても従来の画像処理の手法を利用した測定装置の小変更のみでパターニングディスクの偏芯量の測定が可能なパターニングディスクの偏芯測定装置等が得ること。 - 特許庁
The waffle structure and patterning provide the conventional advantage, such as the high clearness and high throughput of embossing and lifting-off technique, and conquers the conventional restriction that the maximum size is limited in the embossing and lifting-off technique.例文帳に追加
このワッフル構造、パターニングは、エンボス加工およびリフトオフ技法の高鮮明度および高スループットという従来からの利点を提供し、エンボスおよびリフトオフ技法について最大サイズが制限されるという従来からの制約を克服する。 - 特許庁
The surface of the exposed section of a crystal 1 is removed by an etching in a trace quantity by an etchant after a patterning using a photolithographic technique after the formation of a resist film.例文帳に追加
レジスト膜形成後のフォトリソグラフィ技術等を利用したパターンニングを行った後に、エッチャントによって結晶1の露出部分の表面を微量にエッチング除去する。 - 特許庁
To provide a technique for sharpening the edge of a boundary section when patterning two adjacent regions on a substrate by switching strength.例文帳に追加
基板上の隣接する2つの領域について、強度を切り換えてパターンニングする際に、境界部分のエッジを鋭利にするための技術を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a pattern formation method with which it becomes possible to precisely and simply inspect the quality of a process for patterning a photosensitive resin film using a semiconductor lithography technique.例文帳に追加
半導体リソグラフィ技術を用いて感光性樹脂膜をパターニングする工程の良否を正確且つ簡易に検査することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which patterning of a silicon oxide film by photolithographic technique is possible without requiring hydrophobic treatment.例文帳に追加
本発明は、疎水化処理を要することなく、フォトリソグラフィー技術による酸化シリコン膜のパターニングが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for easily forming microscopic patterns exceeding the limit of exposure in the patterning technique utilizing the photolithography method in the vacuum deep ultraviolet ray region.例文帳に追加
真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、露光限界を越えての微細なパターン描画を簡単に行う方法の確立が課題である。 - 特許庁
As shown in figure (f), a patterning mask 7 consisting of SiO2 is formed on a region, facing a recessed part 3 on the surface of a metal wiring film 6 by a photolithographic technique.例文帳に追加
図1(f) に示すように、金属配線膜6の表面の凹部3と対向する領域に、フォトリソグラフィ技術によって、SiO_2からなるパターニング用マスク7を形成する。 - 特許庁
To provide a substrate for applying an ink discharge system to be processed by a new patterning technique in a method for forming a thin film pattern on the substrate by using the ink discharge system.例文帳に追加
インク吐出方式を用いて基板上に薄膜パターンを形成する方法においおて、新規なパターニング技術で処理された、インク吐出方式を適用するための基板を提供する。 - 特許庁
First masks 6 having lattice type regular patterns in first opening sections (holes) 61 are manufactured by using a double patterning technique for forming the contacts 3 for the sub-lithographic.例文帳に追加
サブリソグラフィックのコンタクト3を形成するために、第1の開口部(ホール)61の格子型の規則正しいパターンを有する第1のマスク6をダブルパターニング技術を用いて製造する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method of a semiconductor element, which can simultaneously form patterns having a variety of widths, and can increase a pattern density in part of regions by double patterning technique.例文帳に追加
多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The intersecting point array is manufactured in a roll-to-roll environment utilizing a plastic web in accordance with an improved embossing lithographic technique which provides required high precision and high throughput and conquests the normal limit of the conventional patterning technique.例文帳に追加
交点アレイは、必要とされる高精細度および高スループットを提供し、さらに従来技術のパターニング技法の通常の制限を克服する、改善されたエンボス加工リソグラフィ技法に従って、プラスチックウェブを利用するロール・ツー・ロール環境において製造される。 - 特許庁
A semiconductor fine patterning technique is used for a ceramic or organic substrate to meander or U-shape line patterns of an unbalanced-side transmission line 50ubl and balanced-side transmission lines 50bl-a, 50bl-b.例文帳に追加
セラミックや有機基板等に半導体微細パターニング技術を用いて、不平衡側伝送線路50ublと平衡側伝送線路50bl-a,50bl-bの線路パターンをメアンダ形状やコの字形状等とする。 - 特許庁
To provide a nano gap electrode having a gap width of ≤100nm, ≤50nm in particular, by using technique of patterning precision of a micron order degree without using a wet process of light exposure, electronic beam exposure, etc.例文帳に追加
光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、100nm以下、特に50nm以下のギャップ幅のナノギャップ電極を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film patterning method for obtaining narrower isolated trench width, without having to depend on the formation technique of a resist pattern, manufacturing method of a thin-film device, and to provide a manufacturing method of a thin-film magnetic head.例文帳に追加
レジストパターンの形成技術に依存することなく、より狭い孤立トレンチ幅を得ることができる薄膜パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a simple and easy method by which pattern edges can be sharply exposed at a user's request in a patterning technique by photolithography in the vacuum deep UV region, therefore a fine pattern can be accurately formed.例文帳に追加
真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、パターン端が所望通りに綺麗に露光でき、もって微細なパターンを正確に描画できる簡便な手法の確立が課題である。 - 特許庁
To provide dense contact hole pattern formation technique of a semiconductor device by using self-align double patterning technology so as to form a high-density hole pattern which is twice or three times higher than that formed by lithography technology.例文帳に追加
半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの2倍、あるいは3倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。 - 特許庁
To form a nano-structure layer through a mask comprising a block copolymer finely patterned in a temperature atmosphere lower than the glass transition temperature of a workpiece, and to contribute to the fine patterning technique field.例文帳に追加
加工対象物のガラス転移温度よりも低い温度雰囲気下にて微細パターン化されたブロック共重合体から成るマスクを介してナノ構造層を形成することができ、微細パターン化技術分野に貢献する。 - 特許庁
By using the material subjected to spin-on processing to the hard mask, a process can be executed by using a single tool, and usage of a single curing step is enhance, which is not normally used in a patterning process of the conventional technique, in which a CVD hard mask is used.例文帳に追加
ハード・マスクにスピンオンされた材料を使用すると、プロセスが単一のツールで実施でき、CVDハード・マスクが使用される従来技術のパターニング・プロセスで通常使用されない単一の硬化ステップの使用が可能になる。 - 特許庁
To provide a resin composition, an adhesive film and a resin varnish which are excellent in the precision in the registering for the application of a resin composition when applied on a substrate and besides which is improved in the resolution in a patterning treatment in the photolithographic technique.例文帳に追加
基板上に適用したときに、樹脂組成物の適用のための位置合わせ精度に優れる上に、フォトリソグラフィ技術におけるパターニング処理の解像度を向上させる樹脂組成物、接着フィルム及び樹脂ワニスを提供する。 - 特許庁
The patterning employing the photolithography technique is capable of controlling the fine processing of less than 1 μm (in the degree of several 10 nm even at minimum) with a high accuracy whereby the remarkably fine dam can be formed stably compared with same dam formed through solder plating method.例文帳に追加
フォトリソグラフィ技術を用いたパターン加工は、1μm以下(最小でも数十nm程度)の微細加工を高精度に制御可能であるため、はんだめっき法に比べて著しく微細なダムを安定して形成することが可能となる。 - 特許庁
To establish a technique for producing a decorative leather product having a high modeling degree by making a pattern on a leather by transfer printing, silk screen printing, ink-jet printing, etc., based on digital image data, integrating the patterning with a three dimensionalization.例文帳に追加
本発明は、デジタル画像データを元に転写プリント、シルクスクリーンプリント、インクジェットプリント等による模様化を皮革に施して、この模様化と立体化とを一体化させて装飾的、且つ造形度の高い皮革製品をつくる技術を確立しようとするものである。 - 特許庁
To provide a copper polyimide laminated film for improving normal adhesive power, heat-resistant adhesive power after the application of a heat load to the film, and furthermore, the adhesive power of the film subjected to electroless tin plating, and heat load application after thin line patterning in a view of the fact that the adhesive power used is insufficient as far as the copper polyimide laminated film manufactured using a conventional technique is concerned.例文帳に追加
従来技術による銅ポリイミド積層フィルムにおいては不十分であった、常態密着力、熱負荷後の耐熱密着力、さらには細線パターン後、無電解スズめっきを施したものに熱負荷を加えたものの密着力を改善することを目的とする。 - 特許庁
To avoid the problem that a shadowing effect or a patterning accuracy is deteriorated by lowering the height of a capacitive element on a substrate in a technique for forming the element particularly in which a pair of electrodes are formed of a polycrystal semiconductor.例文帳に追加
容量素子で、特にその一対の電極がいずれも多結晶半導体で形成される容量素子の形成技術において、容量素子の基板に対する高さを低くすることにより、シャドウイング効果やパターニングの精度の劣化を招来するという問題点を回避することにある。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a circuit board device manufactured by applying a manufacturing technique of multiple patterning, which improves operation reliability and product life cycle by preventing an abnormal signal voltage or corrosion of a wiring layer caused by contaminants sticking to the end face of each circuit board.例文帳に追加
多数個取りの製造技術を適用して製造される回路基板装置において、各回路基板の端面に付着した汚染物質による信号電圧の異常や配線層の腐食を防止して、動作の信頼性や製品寿命を向上させることができる回路基板装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To uniformly bring a pattern formed surface of a mold into pressure contact with the surface to be imprinted of a magnetic recording medium over the entire surfaces for forming a pattern shape which is uniform and has excellent reliability, in a process for performing patterning of a fine shape on a discrete track medium and a patterned medium using an imprint technique.例文帳に追加
インプリント技術を用いてディスクリートトラックメディアやパターンドメディアに微細な形状パターニングを行うプロセスにおいて、均一かつ信頼性に優れた形状パターンの形成を行うためには、モールドのパターン形成面と磁気記録媒体の被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが必要である。 - 特許庁
If polymethyl methacrylate is irradiated with electron beams or is subjected to irradiation with the electron beams by applying a technique of electron beam lithography and is reacted with a metal complex, the reducing power of the metal captured into the polymethyl methacrylate can be regulated; free patterning can be performed and the polymethyl methacrylate-metal cluster complex can be obtained.例文帳に追加
ポリメチルメタクリレートに対し、電子線を照射、又は電子線 リソグラフィーの手法を適用して、電子線照射を行い、これに金属錯体を反応させると、ポリメチルメタクリレート内部に取りこまれる金属の還元力を調整することができ、自由なパターニングを行うことでき、ポリメチルメタクリレート−金属クラスター複合体をえることができる。 - 特許庁
On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like.例文帳に追加
大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。 - 特許庁
To solve the problems on a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, EUV, electron beam or the like, particularly ArF excimer laser light; to provide an excellent actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which in patterning by liquid immersion exposure as well as by normal exposure, suppresses development defects, can reduce line edge roughness, and ensures a wide exposure latitude; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加
遠紫外光、EUV、電子線等、特にArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、さらには露光ラチチュードが広く、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
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