「pn」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To allow a communication system to synchronize with even a long PN series at high speed.例文帳に追加

長いＰＮ系列に対しても高速な同期を行う。 - 特許庁

The 1st plural representative data streams are encoded (PN code) to shift their phases and then transmitted through the antenna group 24-1 and the 2nd plural representative data streams are encoded (PN code) and transmitted through the antenna group 24-2 respectively.例文帳に追加

第２の複数の代表データストリームは符号化（ＰＮ符号）され、第２のアンテナグループを通じて送信される。 - 特許庁

PN PHASE LOCKED FOLLOW-UP DEVICE FOR CDMA DEMODULATION DEVICE例文帳に追加

ＣＤＭＡ復調装置におけるＰＮ位相同期追従装置 - 特許庁

At a transmitting end, a carrier is diffused with a PN code at a low chip rate, and then is diffused by PN code at a high chip rate.例文帳に追加

送信側では、搬送波を低チップレートのＰＮ符号により拡散した後、さらに高チップレートのＰＮ符号で拡散する。 - 特許庁

PN junction is exposed to the side of the stand-like part 20.例文帳に追加

ＰＮ接合を台状部分２０の側面に露出させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR BOARD HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

Each of diodes D1-Dn converts the currents generated in the photoelectric conversion circuits P1-Pn into voltages proportional to logarithm of the current value.例文帳に追加

各ダイオードD1〜Dnは、光電変換回路P1〜Pnで発生した電流をその電流値の対数に比例する電圧に変換する。 - 特許庁

Then it moves at the teaching speed Vt from the next teaching point PN+1.例文帳に追加

つぎの教示点Ｐ_N+1からは、教示速度Ｖ_tで移動する。 - 特許庁

A PN pattern detection circuit 21 of an opposite station side detects the PN pattern from the data of its own station side and provides the output of a fact that the control signal is reset, when the PN pattern is detected and that the control signal is set, when no PN pattern is detected.例文帳に追加

対局側のＰＮパターン検出回路２１は自局側のデータからＰＮパターンを検出し、ＰＮパターンを検出した時に制御信号がオフであることを、ＰＮパターンを検出できない時に制御信号がオンであることを出力する。 - 特許庁

A plurality of PN code generating circuits 2a-2n are operated in parallel to generate nk-bit parallel PN codes and the circuit configuration of n-sets of the PN code generating circuits 2a-2n is identical to each other.例文帳に追加

ＰＮ符号発生回路２ａ〜２ｎは、複数並列に動作してｎｋビット並列ＰＮ符号を発生しており、これらｎ個のＰＮ符号発生回路２ａ〜２ｎは全て同じ回路となっている。 - 特許庁

Thus, each coma picture pn appearing by turns through the slit s is shown thinly (as fading) in the extended part pt' of the following coma picture pn+1, then the following coma picture pn+1 is displayed clearly.例文帳に追加

このため、スリットｓを介し順々に見える各コマ画ｐｎは、次のコマ画ｐｎ＋１の延びた部分ｐｔ'が薄く（ぼけているように）表示され、やがて、次のコマ画ｐｎ＋１が鮮明に表示される。 - 特許庁

To allow a PN code generator where a plurality of PN code generating circuits are operated synchronously with each other in parallel and generate parallel PN codes to detect step out between the parallel codes and to raise warning.例文帳に追加

ＰＮ符号発生回路を複数並列に同期動作させて並列化ＰＮ符号を発生させるＰＮ符号発生装置において、並列符号間の同期外れを検出し警報を発生する。 - 特許庁

A transmitting side transmits a synthetic signal obtaining by synthesizing a modulation pseudo noise (PN) signal phase-modulated in the unit of a term by a data signal and a reference PN signal synchronized with the modulation PN signal.例文帳に追加

送信側が、データ信号によって周期単位で位相変調された変調用ＰＮ信号と、変調用ＰＮ信号と同期した参照用ＰＮ信号とを合成した合成信号を送信する。 - 特許庁

This PN code generating device is provided with a PN code generater 100 for generating PN codes in the prescribed number of stage by using a primitive polynomial G (x), and for shifting the code contents in the respective stages to the post-stages according to shift clocks.例文帳に追加

原始多項式Ｇ（ｘ）を使用して所定段数のＰＮ符号を発生しシフトクロックにしたがって各段の符号内容を後段へシフトさせるＰＮ符号発生部１００を備える。 - 特許庁

To reduce pn junction leakage at a low voltage in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低電圧でのｐｎ接合リークを低減する。 - 特許庁

An electronic part Pn is image picked up by a recognizing camera 16, and the electronic part Pn is recognized by a recognition processing part 33, based on the image.例文帳に追加

認識カメラ１６が該電子部品Ｐｎを撮像し、その像に基づき電子部品Ｐｎが認識処理部３３で認識処理される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a pn homojunction in a nanostructure.例文帳に追加

ナノ構造体内にｐｎ接合を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Each of the PN code generating circuits 2a-2n outputs a reference PN code that is a parallel code in addition to the output patterns.例文帳に追加

各ＰＮ符号発生回路２ａ〜２ｎ毎に、出力パターンとは別に、並列符号である基準ＰＮ符号が出力されている。 - 特許庁

A PN code phase delay element 31 generates a PN code in which E_PN, P_PN, and L_PN have shifted phases by 1/2τ chip each other.例文帳に追加

ＰＮコード位相遅延器３１で、ＰＮコードであり、互いに１／２τチップだけ互いに位相をずらしたＥ_ＰＮ，Ｐ_ＰＮ，Ｌ_ＰＮを得る。 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE WAFER HAVING pn JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

In a step S25, processes based upon the PN of an object component to be disposed of as a reference key are carried out for databases 1A to 1D in parallel.例文帳に追加

ステップＳ２５では、廃番の対象の部品のPNを参照キーとして、データベース１Ａ〜１Ｄに対して処理を並列的に実行する。 - 特許庁

At the same time, the bundle of sheets Pn is stiffened by separating the bundles of sheets Pn with the rib 11, and loading performance and aligning performance can be thereby improved.例文帳に追加

同時にリブ１１によるシート束Ｐｎの分離によって、シート束Ｐｎに腰つけを行って積載性や整合性を高める。 - 特許庁

A backlight chassis 131 to support the diffusion sheet 25 includes projecting pieces PN, PN fitted in the apertures HL, HL, on a support surface 35u.例文帳に追加

拡散シート２５を支えるバックライトシャーシ１３１は、支持面３５ｕに、開孔ＨＬ・ＨＬに嵌る突出片ＰＮ・ＰＮを含む。 - 特許庁

A PN junction 43 of the second drain region 35 and the first body region 36 is exposed on one main surface of the semiconductor base.例文帳に追加

第２のドレイン領域３５と第１のボデイ領域３６とのPN接合４３は半導体基体の一方の主面に露出している。 - 特許庁

Therefore, the waveform of the voltage command by the inverter 15 becomes higher than the PN voltage and the peak-cut operation is performed in the area exceeding the PN voltage.例文帳に追加

従って、インバータ１５の電圧指令の波形がＰＮ電圧よりも高くなり、ＰＮ電圧を超えた領域でピークカットされる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, PN DIODE, IGBT AND THESE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置、ＰＮダイオード、ＩＧＢＴ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２と、導電層３２と、前記ＰＮ接合１２と前記導電層３２との間に挟まれた誘電体層３０を備える様にし、ＰＮ接合12は、ほぼ平坦な表面を有し導電層32はＰＮ接合12のほぼ平坦な表面を覆うようにする。 - 特許庁

To prevent deterioration of an electrical insulation property of a PN junction part caused by impingement of light on the PN junction part, in a photoconductive type imaging device using a field emission type negative electrode having a PN junction part.例文帳に追加

ＰＮ接合部を有する電界放出型陰極を用いた光導電型撮像装置において、ＰＮ接合部に光が当たることによってＰＮ接合部の電気的絶縁性が劣化するのを防止する。 - 特許庁

PN-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING SAME例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法 - 特許庁

Further, since two cell strings share one page buffer (P1 to Pn, PB1 to PBi) for instance, expansion of the chip size is prevented, and area efficiency is improved.例文帳に追加

また、たとえば２つのセルストリングが１つの頁バッファ（P1〜Pn, PB1〜PBi）を共有するため、チップサイズの拡大を防止し、面積効率を向上させる。 - 特許庁

When the semiconductor layers 10 and 20 form a pn junction J50a, leakage current occurring at the pn junction J50a is extremely small because the pn junction J50a exists near an edge of the silicide layer 20s and at a location having less crystal defect.例文帳に追加

半導体層１０，２０がｐｎ接合Ｊ５０ａを形成する場合、これはシリサイド層２０ｓの端部から近く、結晶欠陥が小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。 - 特許庁

PS tries Pnr, and causes Pn to replicate repeatedly until producing a system Pn+1 more operationally efficient than the prototype.例文帳に追加

ＰＳはＰｎｒを試行的に動作させ、原型よりも効率的に動作するシステムＰｎ＋１が発生するまでＰｎに複製を繰り返させる。 - 特許庁

To provide a micro-heater array and a pn junction forming method capable of forming pn junction into the large area by forming the high-quality pn junction on an inexpensive and easily preparatory substrate such as a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板などの低価で且つ用意し易い基板上に高品質のｐｎ接合を形成することができ、ｐｎ接合を大面積化することができるマイクロヒーターアレイ及びｐｎ接合の形成方法を提供する。 - 特許庁

The position measuring unit 10 measures two measured values (P; Pn; Pn-1), and the velocity measuring unit 20 calculates the movement value (v) of an object.例文帳に追加

位置測定ユニット１０で２つの測定値（Ｐ；Ｐｎ；Ｐｎ−１）が測定され、速度測定ユニット２０で物体の移動値ｖが算出される。 - 特許庁

Transmission information and the N bits of PN signals generated from a PN generator 12 are transmitted to a low-order station by a multiplex circuit 11 and separated into the transmission information and the PN signals by a demultiplex circuit 23.例文帳に追加

伝送情報とＰＮ発生器１２より発生されたＰＮ信号のＮビットが、多重回路１１により下位局に送信され、多重分離回路２３により伝送情報とＰＮ信号に分離される。 - 特許庁

A PN code amplitude suppressive correlation part 47 finds values of correlation with an E-phase PN code or L-phase PN code as to an I signal and a Q signal supplied form a base band conversion part 42.例文帳に追加

ＰＮコード振幅抑圧相関部４７において、ベースバンド変換部４２から供給されるＩ信号およびＱ信号について、Ｅ位相ＰＮコードまたはＬ位相ＰＮコードとの相関値をそれぞれ求める。 - 特許庁

The optical amplification part 30n is provided on the slit path Pn, and optically amplifies the signal light transferred on the split path Pn for output.例文帳に追加

光増幅部３０_nは、分岐経路Ｐ_n上に設けられており、この分岐経路Ｐ_nを伝搬する信号光を光増幅して出力する。 - 特許庁

Increasing Pn also produces many Pnr.例文帳に追加

また、このように増加するＰｎは同時に多数のＰｎｒを発生させる。 - 特許庁

An angle θ2 made by the end portion 111 of the non-magnetic material 11 at the pole center side from interpole is 180/(i×Pn)≤θ2≤180×2/(i×Pn).例文帳に追加

極中心側の非磁性体１１の端部１１１が極間からなす角度θ２は１８０／（ｉ・Ｐｎ）≦θ２≦１８０・２／（ｉ・Ｐｎ）である。 - 特許庁

Furthermore, the pn junction has an inactivation layer adjacent to the edge area.例文帳に追加

さらに、ｐｎ接合が、エッジ面に隣接した不活性化層を有する。 - 特許庁

In this structure, an area of the pn-junction is reduced.例文帳に追加

このような構造では、ｐｎ接合面の面積が小さく抑えられる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁

DEVICE AND CIRCUIT OF PN SEQUENCE DETECTION, AND ITS PROGRAM例文帳に追加

ＰＮ系列検出装置、ＰＮ系列検出回路およびそのプログラム - 特許庁

A change information transfer means 14 transfers the change information p1-pn.例文帳に追加

変化情報転送手段１４は、変化情報ｐ１〜ｐｎを転送する。 - 特許庁