「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulating film 9 has a double-layer structure of first and second insulating layers 9a, 9b.例文帳に追加

層間絶縁膜９を第１、第２絶縁膜９ａ、９ｂの２層構造とする。 - 特許庁

The sealing layer 16 includes a first insulating film 16a and a second insulating film 16b.例文帳に追加

封止層１６は第１絶縁膜１６ａおよび第２絶縁膜１６ｂからなる。 - 特許庁

The second conductive semiconductor layer 15 is provided on the substrate 19.例文帳に追加

第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５は、基板１９上に設けられている。 - 特許庁

The base layer has a first surface and a second surface positioned on the opposite side of the first surface.例文帳に追加

基層は、第一面とこの第一面の反対側に位置された第二面とを有する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 4 is formed so as to cover the first conductive layer 3.例文帳に追加

第１の導電層３を覆うように第２の層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The shape of the lower end side gas passage is formed so that the amount of members of the second gas diffusion layer at the end on the downstream side is smaller than the amount of members of the second gas diffusion layer at the end on the upstream side in the second gas diffusion layer.例文帳に追加

ここで、下端側ガス流路の形状を、第２ガス拡散層のうちで下流側の端部における第２ガス拡散層部分の部材量が、上流側の端部における第２ガス拡散層部分の部材量よりも小さくなるように、構成する。 - 特許庁

The gate electrode 10 has a first polysilicon film 4 retained on a first insulating film 3, a second polysilicon layer 8 part laminated on the layer 4, and a second polysilicon layer 8 part extended on parts of second gate insulating films 6A and 6B.例文帳に追加

ゲート電極１０は、第１の絶縁膜３上に残存された第１のポリシリコン膜４と、このポリシリコン層４上に積層された第２のポリシリコン層８部分と、第２のゲート絶縁膜６Ａ、６Ｂの一部上に延在された第２のポリシリコン層８部分とから成る。 - 特許庁

The magnetic capacitor includes: a dielectric layer having a first surface and a second surface opposed to the first surface; a first electrode disposed on the first surface of the dielectric layer; and a second electrode disposed on the second surface of the dielectric layer.例文帳に追加

磁気コンデンサーは第１の表面と第１の表面に反対する第２の表面を有する誘電体層と、誘電体層の前記第１の表面に配置された第１の電極と、誘電体層の前記第２の表面に配置された第２の電極とを具備する。 - 特許庁

This method includes a step of connecting a first flexible layer and a second flexible layer to each other by a non-conductive adhesive layer arranged therebetween, and filling a first hole and a second hole with conductive paste for electrically connecting a first signal line to a second signal line.例文帳に追加

第２のフレキシブルな層とを間に配置されている非導電性の接着層により結合し、第１の信号線を第２の信号線と電気的に結合するために第１の孔と第２の孔とを導電ペーストで充填するステップを含んでいる。 - 特許庁

Impurities in the second conductivity type impurity region 13 are diffused to the first conductivity type semiconductor layer 30, and the second conductivity type impurity region 13 is extended to the first conductivity type semiconductor layer 30, and connected with the second conductivity type semiconductor layer 20.例文帳に追加

第２導電型不純物領域１３の不純物を第１導電型半導体層１３に拡散させ、第２導電型不純物領域１３を第１導電型半導体層３０まで拡張して第２導電型半導体層２０に接続させる。 - 特許庁

The soft magnetic underlayer 13 has a first soft magnetic layer 131, a second soft magnetic layer 133 and a non-magnetic layer 132 formed between the first and the second soft magnetic layers and the first and the second soft magnetic layers are anti-ferromagnetically bonded.例文帳に追加

軟磁性下地層１３は、第一の軟磁性層１３１と、第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層と第二の軟磁性層との間に形成された非磁性層１３２を有し、第一の軟磁性層と第二の軟磁性層が反強磁性的に結合した構造である。 - 特許庁

The through-hole 3 is provided with a second insulating layer 7 which fills the expansion portion 4 and covers the inner wall surface, and is provided with a second connection layer 8 connected to the first connection layer 6 through openings of the first and second insulating layers 5 and 7.例文帳に追加

貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

The multilayer printed-wiring board 1 includes: a first conductive layer 12 provided to a first substrate 11; a second conductive layer 22 provided to a second substrate 21; and a through-hole 2 passing through the second substrate 21 and having a first conductive layer 12 as its bottom.例文帳に追加

多層プリント配線板１は、第１の基板１１に設けられた第１の導電層１２と、第２の基板２１に設けられた第２の導電層２２と、第２の基板２１を貫通するとともに第１の導電層１２を底面とする貫通孔２とを備えている。 - 特許庁

The MOS device, further has at least one electrically conductive trench that is formed in the second layer between the gate and the second source/drain region, and the trench is formed near the top surface of the semiconductor layer, thus extending approximately vertically with respect to the substrate by way of the second layer.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスはゲートと第２のソース／ドレイン領域の間の第２の層に形成された少なくとも１つの導電性トレンチをさらに備え、トレンチは半導体層の上面の近傍に形成され、第２の層を通って基板までほぼ垂直に延びる。 - 特許庁

The transistor includes: a first semiconductor 1003; a second semiconductor layer 1004 having a first region and a second region; a first p-type semiconductor layer 1005 formed on a region excluding the first and the second regions in the second semiconductor layer 1004; and a second p-type semiconductor layer 1006 formed on the first p-type semiconductor layer 1005 which are sequentially formed in the upper part of a substrate.例文帳に追加

トランジスタは、基板の上方に順に形成された第１の半導体層１００３および第１の領域と第２の領域とを有する第２の半導体層１００４と、第２の半導体層１００４のうち第１の領域と第２の領域とを除く領域の上に形成された第１のｐ型半導体層１００５と、第１のｐ型半導体層１００５上に形成された第２のｐ型半導体層１００６とを備えている。 - 特許庁

A dielectrics layer 4 is so formed as to comprise a recessed part 16 on its surface by forming a dielectrics layer 4a, a first layer, over which a dielectric layer 4b of a second layer is formed in pattern using a mask 20.例文帳に追加

誘電体層４を、第一層目の誘電体層４ａを形成し、その上に、マスク２０を用いてパターン状に第二層目の誘電体層４ｂを形成することによって表面に凹部１６を備えるように形成する。 - 特許庁

A printed wiring board 101 includes an insulator layer 102, a first wiring layer 121 laminated on one surface of the insulator layer 102, and a second wiring layer 122 laminated on the other surface of the insulator layer 102.例文帳に追加

プリント配線板１０１が、絶縁体層１０２と、絶縁体層１０２の一方の面に積層された第１の配線層１２１と、絶縁体層１０２の他方の面に積層された第２の配線層１２２と、を備えている。 - 特許庁

To provide an analyte test strip for accepting diverse bodily fluid sample volumes, including a first insulating layer, a second insulating layer disposed above the first insulating layer, and a third insulating layer disposed below the first insulating layer.例文帳に追加

種々の体液サンプル量を受容するための検体試験片であって、第１の絶縁層と、その第１の絶縁層の上に配置される第２の絶縁層と、その第１の絶縁層の下に配置される第３の絶縁層とを備える。 - 特許庁

An encapsulating cap (1) has at least two kinds of glass layers having different compositions.The first layer (2) is a continuous layer called a bottom layer, and at least the second layer (3, 6) being a non-continuous layer defines the hole (4, 5) or a step.例文帳に追加

封入蓋（1）は、少なくとも2種類の組成の異なるガラス層を有し、第1の層（2）は底部層と呼ばれる連続層であって、少なくとも第2の層（3、6）は不連続層であって、当該蓋の孔部（4、5）または段差部を定める。 - 特許庁

When a first layer 6a with low concentration and a second layer 6b with high concentration are formed in order, the first layer 6a is thick on the side of the trench 5b where the layer 6b is narrow in width and thin on the side of the trench 5a where the first layer 6a is wide in width.例文帳に追加

そして、低濃度となる第１層６ａと高濃度となる第２層６ｂを順に形成すると、第１層６ａは幅の狭いトレンチ５ｂ側において厚くなり、幅の広いトレンチ５ａ側において薄くなる。 - 特許庁

In the coating roll (11), a Ni plating layer (13) having thickness of 10-3,000 μm is formed on a surface of the roll (12) made of steel as a first layer and a Cr plating layer (14) having thickness of 10-30 μm is formed on the first layer as a second layer.例文帳に追加

鋼製ロール（１２）表面に、第１層として厚さ１０〜３０００μｍのＮｉめっき層（１３）と、前記第１層の上に第２層として厚さ１０〜３０μｍのＣｒめっき層（１４）を形成してなる塗布ロール（１１）。 - 特許庁

An optical disk 1 is constituted by successively laminating rugged information (pits) 3, recording layer 4, reflection layer 5, protective layer 6, second printing layer 7 and ink receptive layer 8 on a substrate 2 of a transparent resin, such as polycarbonate.例文帳に追加

光ディスク１は、ポリカーボネート等の透明合成樹脂の基板２上に凹凸情報（ピット）３、記録層４、反射層５、保護層６、第２の印刷層７、インキ受容層８を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁

A p-type impurity is doped in a first barrier layer nearer to the p-type semiconductor layer, among the first barrier layer and a second barrier layer included in the quantum well adjacent to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 - 特許庁

A semiconductor layer laminate ST including a first cladding layer 11, an active layer 12, and a second cladding layer 13 is formed on a substrate 10; and an irregularity formation layer 16 is formed with the light output surface on the laminate.例文帳に追加

基板１０上に、第１クラッド層１１、活性層１２及び第２クラッド層１３を含む半導体積層体ＳＴが形成されており、その上に、光取り出し面を有する凹凸形成層１６が形成されている。 - 特許庁

A soft rubber layer 29 is provided on the inner side in the tire width direction from the belt edge cushion rubber layer 31 between the second belt layer 13 and the third belt layer 15, and has a lower elastic modulus than that of the belt edge cushion rubber layer 31.例文帳に追加

軟質ゴム層２９は、第二ベルト層１３と第三ベルト層１５との間の、ベルトエッジクッションゴム層３１よりもタイヤ幅方向内側に設けられ、ベルトエッジクッションゴム層３１の弾性率より低い弾性率を有する。 - 特許庁

An element separating and insulating film 3a is provided on an N well layer 2 while a first P+layer 4 and a second P+layer 5, apart from the first P+layer 4, are formed on the N well layer 2 surrounded by the element separating and insulating film 3a.例文帳に追加

Ｎウェル層２上に素子分離絶縁膜３ａを設け、素子分離絶縁膜３ａで囲まれたＮウェル層２上に第１のＰ＋層４と、第１のＰ＋層４と離間した第２のＰ＋層５を形成する。 - 特許庁

This is an integrated circuit having a wiring layer 104 including a first barrier layer 106, a layer 108 with aluminum as a base overlapped on the first barrier 106, and a second barrier layer 110 with aluminum as a base overlapped on the layer 108.例文帳に追加

第１の障壁層（１０６）と、第１の障壁層（１０６）に重なるアルミニウムをベースとした層（１０８）と、アルミニウムをベースとした層（１０８）に重なる第２の障壁層（１１０）を含む配線層（１０４）を有する集積回路。 - 特許庁

A section from the second intermediate layer 22 to an upper section (the p-type contact layer 37) is brought to the N polarity, and the active layer 34 has the indium composition ratio, and the crystal quality higher than the active layer 34 is formed on the layer having the Ga polarity.例文帳に追加

第２中間層２２より上部（ｐ側コンタクト層３７まで）がＮ極性となり、活性層３４は、Ｇａ極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 - 特許庁

A bed layer 6 formed by laminating a first bed layer 2 composed of ruthenium (Ru) and a second bed layer 4 composed of a soft magnetic layer in this order is formed on the anti-ferromagnetic pining layer 8-side surface of the magnetoresistive film 1x.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜１ｘの反強磁性ピニング層８側表面には、ルテニウム（Ｒｕ）からなる第１下地層２と、軟磁性層からなる第２下地層４とがこの順に積層された下地層６が形成されている。 - 特許庁

The OLED element 50A includes a first electrode 310, a second electrode 320, a third electrode 330, a hole injection layer 321, a hole transport layer 322, a luminescent layer 323, an electron transport layer 324 and an electron injection layer 325.例文帳に追加

ＯＬＥＤ素子５０Ａは、第１電極３１０、第２電極３２０、第３電極３３０、正孔注入層３２１、正孔輸送層３２２、発光層３２３、電子輸送層３２４及び電子注入層３２５を備える。 - 特許庁

A laminate 1 is equipped with a base layer 2 comprising rubber or a synthetic resin, the first silicone rubber layer 4 laminated to the base layer 2 and the second silicone rubber layer 6 laminated to the first silicone rubber layer 4 and obtained by crosslinking due to hydrosilylation.例文帳に追加

ゴムあるいは合成樹脂からなる基層と、基層の上に積層される第１のシリコーンゴム層と、第１のシリコーンゴム層の上に積層され、ヒドロシリル化による架橋により得られる第２のシリコーンゴム層、とを備える積層体とする。 - 特許庁

The second adhesive layer 3 comprises an EVA type oily bond layer 3a serving as substrate layer and an acrylic type aqueous emulsion bond layer 3b formed in an island shape by disposing an offset OFS on the EVA type oily bond layer 3a.例文帳に追加

第２の接着剤層３は、下敷き層となるＥＶＡ系油性ボンド層３ａと、該ＥＶＡ系油性ボンド層３ａの上にオフセットＯＦＳを設けて島状に形成されたアクリル系水性エマルジョンボンド層３ｂとからなる。 - 特許庁

At the deep-layer side of a first layer, a second layer S2 consisting of the GaN-based semiconductor with a smaller band gap than that of the first layer is subjected to heterojunction, and electrodes P1 and P2 of both pole sides are provided in the first layer as a photoconductive element.例文帳に追加

第一層の深層側には、第一層よりも小さいバンドギャップを有するＧａＮ系半導体からなる第二層Ｓ２をヘテロ接合し、第一層に両極側の電極Ｐ１、Ｐ２を設けて光導電素子とする。 - 特許庁

The first layer 12 is the layer containing fine particles and binders mainly composing one of tin oxide, indium oxide, titanium oxide and zirconium oxide, and the second layer 13 is the layer provided so as to contact to the first layer 12.例文帳に追加

第１層１２は、酸化錫、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかひとつを主成分とする微粒子及びバインダを含む層であり、第２層１３は、第１層１２に接するようにして設けられる層である。 - 特許庁

First, an amorphous Cr alloy layer containing CrTi as a first amorphous base layer 2a and an amorphous Cr alloy layer containing CrNb as a second amorphous base layer 2b are deposited to form an amorphous base layer 2.例文帳に追加

まず、第１の非晶質下地層２ａとしてＣｒＴｉを含む非晶質Ｃｒ合金層、次に第２の非晶質下地層２ｂとして、ＣｒＮｂを含む非晶質Ｃｒ合金層を成膜し、非晶質下地層２とした。 - 特許庁

A data wiring DTL is pulled up to a new layer 301 by TiAl etc., and the new layer 301 is disposed in a second wiring layer of the layer upper than a scanning line WSL (drive wiring 200) disposed in the first wiring layer.例文帳に追加

データ配線ＤＴＬはＴｉＡｌ等により新規レイヤー３０１まで引き上げられ、新規レイヤー３０１は第１配線層に配される走査線ＷＳＬ（駆動配線２００）よりも上層の第２配線層に配される。 - 特許庁

The optical disk can be constituted in four or more layers by laminating the phase change recording layer, the phase change material layer and layers selected from a first dielectric layer, a second dielectric layer and a reflection heat radiation layer further on a substrate.例文帳に追加

前記光ディスクは基板上に相変化記録層と相変化材料層と、さらに第１誘電体層、第２誘電体層及び反射放熱層のうちから選ばれる層とを積層して４層以上に構成してもよい。 - 特許庁

This detector 20 is constituted by layering the first electrode layer 21, a photo-conductive layer 22 for recording, a charge transport layer 23, a photo-conductive layer 24 for reading, the second electrode layer 25 having the stripe electrode 26 comprising elements 26a in this order.例文帳に追加

検出器２０は、第１電極層２１、記録用光導電層２２、電荷輸送層２３、読取用光導電層２４、エレメント２６ａから成るストライプ電極２６を有する第２電極層２５をこの順に積層してなる。 - 特許庁

A printed material 5 includes the transparent base material 51, the first image layer 52 formed on the base material 51, the intermediate layer 53 formed on the first image layer 52, and the second image layer 54 formed on the intermediate layer 53.例文帳に追加

印刷物５は、透明な基材５１、基材５１上に形成された第１画像層５２、第１画像層５２上に形成された中間層５３、および、中間層５３上に形成された第２画像層５４を備える。 - 特許庁

The protection film 21 is composed of lamination structure, a first layer 21a which is the lowermost layer is composed of silicon oxide of which the heat conductivity is ≤10 [W/mk], and a second layer 21b which is the upper layer of the first layer 21a is composed of silicon nitride having high moisture permeability resistance.例文帳に追加

この保護膜２１は、積層構造からなり、最下層の第１層２１ａが熱伝導率１０［Ｗ／ｍ・ｋ］以下の酸化シリコンで構成され、その上部の第２層２１ｂが耐透湿性の高い窒化シリコンで構成される。 - 特許庁

A channel layer 11, a spacer layer 12, a first barrier layer 13, a quantum dot 14b, a second barrier layer 15, a quantum dot 16b, and a third barrier layer 17 are successively laminated on a substrate 1, and a gate electrode 4 is provided thereon.例文帳に追加

基板１の上にチャネル層１１，スペーサ層１２，第１の障壁層１３，量子ドット１４ｂ，第２の障壁層１５，量子ドット１６ｂおよび第３の障壁層１７を順次積層し、その上にゲート電極４を形成する。 - 特許庁

The second conductor layer 29 has an electrolessly plated layer 33 formed on the first insulating layer 7 and first filled via 19, and also has an electroplated layer 37 which is formed on the electrolessly plated layer and which contains nearly uniform-sized particles.例文帳に追加

このうち第２導体層２９は、第１樹脂絶縁層７及び第１フィルドビア１９上に形成された無電解メッキ層３３と、この上に形成され、ほぼ均一な大きさのメッキ粒子よりなる電解メッキ層３７とからなる。 - 特許庁

After a contact layer 16D, a second clad layer 15D, an active layer 14D and a first type clad layer 13D are grown epitaxially on a growth substrate 100D, a first metal layer 11D is deposited to form a first wafer W1.例文帳に追加

成長基板１００Ｄ上にコンタクト層１６Ｄ、第２クラッド層１５Ｄ、活性層１４Ｄおよび第１型クラッド層１３Ｄを結晶成長させたのち、第１金属層１１Ｄを堆積させて第１ウェハＷ１を形成する。 - 特許庁

The recording/reproducing device is provided with the storage medium 7 having a second heatsink layer 62 formed of an Al film having a thickness of 50 μm, a backing layer 63, a heat barrier layer 64, a first heatsink layer 65, a magnetic recording layer 66 and a protection film 67 on a glass substrate 61.例文帳に追加

ガラス基板６１上に、厚さ５０μｍのＡｌ膜からなる第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７を備えた記録媒体７を備える。 - 特許庁