「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

A current injection region 102 on an n-type InP substrate 101 is provided with a first laser active layer 103 and a second laser active layer 104 while a first current constriction layer 107 and a second lamp bulb constriction layer 108 are equipped around the current injection region 102.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上の電流注入領域１０２は、第１のレーザの活性層１０３と第２のレーザの活性層１０４を備え、その周囲には、第１の電流狭窄層１０７および第２の電球狭窄層１０８を備える。 - 特許庁

This power distribution member 10 is formed by bending and overlapping a sheet including a first layer formed of a first material and a second layer formed of a second material of which the electrical resistance is smaller than that of the first material and having the layer thickness thinner than that of the first layer.例文帳に追加

この配電用部材１０は、第１材料により形成される第１層と、第１材料より電気抵抗が小さい第２材料により形成され、第１層より層の厚さが薄い第２層とを含むシートを曲げて重ねることで形成される。 - 特許庁

Turn of a second layer coil 22 is not wound on the start turn 1000 of the first layer coil 21 of the teeth coil 2, and the turn of the second layer coil 22 on the turn next to the start turn of the first layer coil 21 constitutes the final turn 2000.例文帳に追加

この時、ティースコイル２の第一層コイル２１の開始ターン１０００の上には第二層コイル２２のターンは巻装されず、第一層コイル２１の開始ターンの次のターンの上の第二層コイル２２のターンが第二層コイル２２の最終ターン２０００を構成する。 - 特許庁

The circuit component 14 which is taller than the first resin layer 10 is mounted on the exposed mounting land, a second resin layer 20 which is not cured yet is pressed against the first resin layer to seal the circuit component 14, and the second resin layer 20 is cured.例文帳に追加

この露出した実装ランドに第１の樹脂層１０よりも背の高い回路部品１４を実装し、第１の樹脂層上に未硬化の第２の樹脂層２０を圧着することにより回路部品１４を封止し、第２の樹脂層２０を硬化させる。 - 特許庁

A phase transition type optical information recording medium having a first dielectric layer 2, a recording layer 3, a second dielectric layer 4, a reflecting layer 5 and a protective layer 6 laminated on a substrate 1 in this order comprises SiON (sialon) used in any of the first dielectric layer 2 and the second dielectric layer 4 or in the both and in a part or all of each dielectric layer.例文帳に追加

基板１上に第１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、保護層６をこの順に積層してなる相変化型の光情報記録媒体１０において、前記第１誘電体層２及び第２誘電体層４のいずれか、又は両方、及びそれぞれの誘電体層の一部あるいは全部に、ＳｉＯＮ（サイアロン）を用いることを特徴とする光情報記録媒体１０。 - 特許庁

A three-dimensional model creation unit 54 creates a 3-dimensional display model in which a first image or a first character showing the first content is arranged in a first layer and a second image or a second character showing the second content is arranged in a second layer.例文帳に追加

３次元モデル生成部５４は、第１のコンテンツを示す第１の画像または第１の文字が第１のレイヤに配置され、第２のコンテンツを示す第２の画像または第２の文字が第２のレイヤに配置されている３次元の表示モデルを生成する。 - 特許庁

Next, patterning is applied to the first core layer so as to form first cores 53a and second cores 53b that cross one another, further, a second clad layer is formed, then, a waveguide body 51 with the first and the second cores embedded in the first and the second clad layers are manufactured.例文帳に追加

ついで、第１コア層をパターニングして、互いに直交する第１コア５３ａおよび第２コア５３ｂを形成し、さらに第２クラッド層を形成して、第１および第２コアが第１および第２クラッド層に埋設された導波路体５１を作製する。 - 特許庁

The first electrode layer 28 and the second electrode arrangement 35 are configured so as to co-operate, in use, to define a first set of addressable regions, and the second electrode layer 29 and the second electrode arrangement 35 are configured so as to co-operate, in use, to define a second set of addressable regions.例文帳に追加

第１の電極層２８と第２の電極構造３５とは、第１のセットのアドレス可能領域を構成するために、第２の電極層２９と第２の電極構造３５とは、第２のそれを構成するために、共に作用するように構成されている。 - 特許庁

Second VSS wiring 3 is provided at the first wiring layer so as to be adjacent to the first VDD wiring 1, and second VDD wiring 4 is provided at the second wiring layer so as to vertically face the second VSS wiring 3.例文帳に追加

また、第１の配線層には第２のＶＳＳ配線３が、第１のＶＤＤ配線１と隣り合うように設けられていると共に、第２の配線層には第２のＶＤＤ配線４が、第２のＶＳＳ配線３と上下に向かい合うように設けられている。 - 特許庁

An adhesive sheet for wafer sticking consists of a first base material, a first adhesive layer formed on the first base material, a second base material formed on the first adhesive layer and a second adhesive layer formed on the second base material, chemical reaction where adhesion of the first adhesive layer lowers and chemical reaction wherein adhesion of the second adhesion layer lowers differ.例文帳に追加

第１の基材と、第１の基材上に形成された第１の粘着層と、第１の粘着層上に形成された第２の基材と、第２の基材上に形成された第２の粘着層と、からなるウエハ貼着用粘着シートにおいて、第１の粘着層の粘着力が低下する化学反応と、第２の粘着層の粘着力が低下する化学反応とが異なることを特徴とする。 - 特許庁

The multispectral photodiode is provided with a substrate, a first conductivity first semiconductor layer which is formed thereon and has a large band gap, and a first conductivity second semiconductor layer which is formed thereon and has a small band gap, a first diode area comprises a second conductivity zone and the first semiconductor layer, and a second diode area comprises a second conductivity zone and the second semiconductor layer.例文帳に追加

多波長フォトダイオードは、基板と、その上に配置された大きなバンドギャップを有する第1導電型の第1半導体層と、その上に配置された小さなバンドギャップを有する第1導電型の第２半導体層と、第２導電型ゾーンと前記第１半導体層とから形成される第１ダイオードエリアと、第２導電型ゾーンと前記第２半導体層とから形成される第２ダイオードエリアとを有する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board has: a first insulating resin layer; a first metal wiring layer formed in a desired pattern on the first insulating resin layer; a second insulating resin layer formed on the first metal wiring layer; and a second metal wiring layer electrically connected through a via-hole to the first metal wiring layer in which recesses and projections has been formed.例文帳に追加

第１の絶縁樹脂層と、第１の絶縁樹脂層に所望のパターンに形成された第１の金属配線層と、第１の金属配線層上に形成された第２の絶縁樹脂層と、第１の金属配線層にビアホールを介して電気的に接続され、凹凸が形成された第２の金属配線層と、を有することを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

As for the electrolyte membrane electrode assembly of a polymer electrolyte fuel cell, at least a catalyst layer on a cathode side is made a two-layer structure consisting of a first layer on a proton conductive electrode membrane side and a second layer on a gas diffusion layer side, and a carrying density of the catalyst in the first layer is 3-6 times of the carrying density of the catalyst in the second layer.例文帳に追加

本発明は、高分子電解質型燃料電池の電解質膜電極接合体であって、少なくともカソード側の触媒層を、プロトン伝導性電解質膜側の第１層とガス拡散層側の第２層とからなる二層構造とし、第１層における触媒の担持密度が、第２層における触媒の担持密度の３〜６倍であることを特徴とする。 - 特許庁

This device 100 contains a first wiring layer 20, an interlayer insulating layer 30 formed on the first wiring layer 20, a second wiring layer 60 formed on the interlayer insulating layer 30, a plurality of through-holes 40 for connecting the first wiring layer 20 and the second wiring layer 60, and contact layers 50 formed in the plurality of through-holes 40.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１の配線層２０と；第１の配線層２０の上に形成された層間絶縁層３０と；層間絶縁層３０の上に形成された第２の配線層６０と；第１の配線層２０と第２の配線層６０とを接続するための複数のスルーホール４０と；複数のスルーホール４０内に形成されたコンタクト層５０と；を含んでいる。 - 特許庁

The printed wiring board 15 includes a conductive layer 19 having a signal line 24 and a ground line 25, a second insulating layer 20 laminated on the conductive layer with openings 28 opened above the ground line, a ground layer 21 laminated on a second insulating layer, covering the signal line and electrically connected to the ground line, and a third insulating layer 22 covering the ground layer.例文帳に追加

プリント配線板１５は、信号ライン２４およびグランドライン２５を有する導体層１９と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口する開口部２８を有する第２の絶縁層２０と、第２の絶縁層に積層され、信号ラインを覆うとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層２１と、グランド層を覆う第３の絶縁層２２と、を含む。 - 特許庁

The film for producing semiconductor devices is used in producing the semiconductor devices and comprises a base layer, a first adhesive layer provided on the base layer, a radiation-curing type second adhesive layer provided on the first adhesive layer and cured by radiation irradiation in advance and an adhesive layer provided on the second adhesive layer.例文帳に追加

半導体装置の製造の際に用いる半導体装置製造用フィルムであって、基材層と、基材層上に設けられた第一粘着剤層と、第一粘着剤層上に設けられており、かつ、放射線の照射により予め硬化された放射線硬化型の第二粘着剤層と、第二粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有する半導体装置製造用フィルム。 - 特許庁

There are provided a substrate 1, a first conductivity type first silicon layer 3 formed on an upper surface side of the substrate 1, a silicon oxide layer 4 formed on the first silicon layer 3, an intrinsic microcrystalline second silicon layer 5 formed on the silicon oxide layer 4, and a third silicon layer 6 of an opposite conductivity type to the first conductivity type formed on the second silicon layer 5.例文帳に追加

基板１と，基板１の上面側に形成された，第１導電型の第１シリコン層３と，第１シリコン層３の上に形成された酸化シリコン層４と，酸化シリコン層４の上に形成された，真性の，微結晶の第２シリコン層５と，第２シリコン層５の上に形成された，第１導電型と反対導電型の第３シリコン層６とを備えている。 - 特許庁

A display device includes: an insulating substrate; a first conductive layer with a first signal line and second signal line formed on the insulating substrate; an insulating layer provided on an upper layer of the first conductive layer; and a semiconductor layer provided on an upper layer of the insulating layer and with a semiconductor film formed so as to planarly overlap the first signal line and second signal line.例文帳に追加

表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 - 特許庁

An interpolation capacitor C112 is formed with a compounded capacitor of a capacitor formed between a first wiring layer 123 constituting a gate electrode of a transistor 111 and a polysilicon layer 126 as a semiconductor layer, a capacitor formed between the polysilicon layer and a second wiring layer 128, and a capacitor formed between the second wiring layer 128 and a third wiring layer 130.例文帳に追加

補間容量Ｃ１１２は、トランジスタ１１１のゲート電極を形成する第１配線層１２３と半導体層であるポリシリコン層１２６との間に形成される容量、ポリシリコン層と第２配線層１２８との間に形成される容量、さらに第２配線層１２８と第３配線層１３０との間に形成される容量の合成容量により形成されている。 - 特許庁

In the multilayer photovoltaic element including a structure as a first photovoltaic element consisting of a first transparent conductive layer and a semiconductor layer, and a second photovoltaic element consisting of a second transparent conductive layer and a semiconductor layer are formed in layer on a substrate, the moisture content per unit volume of the first transparent conductive layer is set higher than the moisture content per unit volume of the second transparent conductive layer.例文帳に追加

基体上に、第一の透明導電層、半導体層からなる第一の光起電力素子、第二の透明導電層、半導体層からなる第二の光起電力素子、を積層した構成を含む積層型光起電力素子において、第一の透明導電層に含まれる単位体積あたりの水分量を、第二の透明導電層に含まれる単位体積あたりの水分量よりも多くなるように形成する。 - 特許庁

The first semiconductor layer and second semiconductor layer are formed through: a film-forming step of forming a film by making the rare earth iron oxide made powdery adhere to the surface of a conductive layer formed of copper or copper alloy; and a heat treatment step of forming the second semiconductor layer of the film through a heat treatment and also forming the first semiconductor layer between the conductive layer and second semiconductor layer.例文帳に追加

第１の半導体層及び第２の半導体層の形成は、銅または銅合金で形成した導電層の表面に粉末状とした希土類鉄酸化物を被着させて被膜を形成する成膜工程と、熱処理することにより前記被膜から前記第２の半導体層を生成するとともに、前記導電層と前記第２の半導体層との間に前記第１の半導体層を生成する熱処理工程とにより行う。 - 特許庁

The panel substrate 10 includes a styrene-based resin foam substrate 13, a first paper layer 11 bonded via a first adhesive layer 21 coated on one surface of the foam substrate 13, a second paper layer 12 bonded via a second adhesive layer 22 coated on the other surface of the foam substrate 13, and a primer layer 14 formed by coating primer on the surface of the first paper layer 11 or the surface of the second paper layer 12.例文帳に追加

パネル基板１０は、スチレン系樹脂発泡体基板１３と、この発泡体基板１３の一方の面に塗工された第１接着剤層２１を介して接着された第１紙層１１と、発泡体基板１３の他方の面に塗工された第２接着剤層２２を介して接着された第２紙層１２と、第１紙層１１の表面又は第２紙層１２の表面にプライマーを塗工して形成されたプライマー層１４とを有する。 - 特許庁

The flexible multilayered film consists of at least one thermoplastic polyurethane first layer, at least one thermoplastic elastomer second layer and a thermoplastic polyurethane third layer present on occasion and a ratio of the steam permeability of the first layer and that of the second layer is at least 2 and, when the third layer is present, the first and third layers confine the second layer.例文帳に追加

少なくとも１枚の熱可塑性ポリウレタンの第１の層、少なくとも１枚の熱可塑性エラストマーの第２の層、および随時存在する熱可塑性ポリウレタンの第３の層から成り、ここで該第１の層の水蒸気透過度対該第２の層の水蒸気透過度の比が少なくとも２であり、該随時存在する第３の層が存在する場合、該第１の層および該第３の層は互いに該第２の層を閉じ込めていることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。 - 特許庁

This semiconductor photodiode device includes a semiconductor substrate, the first conductive type first semiconductor layer formed on the semiconductor substrate, the second semiconductor layer of high resistance formed on the first semiconductor layer, the first conductive type third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer, and the second conductive type fourth semiconductor layer embedded in the second semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer is separated by a fixed distance along a horizontal direction on a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 - 特許庁

An optical sheet 30 includes a first surface on which a lens layer is formed, a second surface on which a light diffusion layer is formed and a side end surface nearly orthogonal to the first and second surfaces.例文帳に追加

光学シート３０は、レンズ層が形成された第１の面と、光拡散層が形成された第２の面と、第１の面と第２の面と略直交する側端面とを有する。 - 特許庁

A first width of the plurality of openings and a second width of the plurality of black matrix structures are determined based on a first aperture ratio of the barrier layer and a second aperture ratio of the color filter layer.例文帳に追加

複数の開口部の第１幅および複数のブラックマトリクス構造の第２幅は、バリア層の第１開口率およびカラーフィルター層の第２開口率に基づき決定される。 - 特許庁

A third opening 5c for exposing the first semiconductor-layer 3 is then made by etching the insulation layer 2 in the second opening 5b thereby enlarging the second opening 5b.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において絶縁層２をエッチングして第２開口５ｂを拡大することにより、第１半導体層３を露出させる第３開口５ｃを形成する。 - 特許庁

The wring layer of the second rigid substrate is electrically connected to that of the flexible board via conductive bumps piercing through the insulating layer and using the second rigid substrate side as an end side.例文帳に追加

第２のリジッド基板とフレキシブル基板の配線層間は、絶縁層を貫通し第２のリジッド基板側を先端側とする導電性バンプにより電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a MOS device, including a first conduction type substrate and a second conduction type semiconductor layer, that is formed at least on a part of the substrate, which has a second layer.例文帳に追加

第１の導電型の基板および基板の少なくとも一部分の上に形成された第２の導電型の第２の層を備えた半導体層を含むＭＯＳデバイスを提供すること。 - 特許庁

Also, the first layer 16 and the second layer 18 are respectively formed of the compositions on an MPB in the first temperature and the second temperature, and therefore, the electro-mechanical coupling coefficients are stabilized at the high values.例文帳に追加

また、第１層１６および第２層１８はそれぞれ第１温度および第２温度においてＭＰＢ上の組成とされるので、電気機械結合係数が高い値で安定する。 - 特許庁

A second conductive layer 15b having a third width W3 by which a difference between the first width W1 and the second width W2 is compensated is formed on a side wall of the first conductive layer 15a.例文帳に追加

第１の幅Ｗ１と第２の幅Ｗ２の差を補償するように第３の幅Ｗ３を有する第２導電層１５ａが第１導電層１５ａの側壁に形成されている。 - 特許庁

The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.例文帳に追加

第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁

A first electrode 220 is disposed adjacent to the first surface 211 of a dielectric layer 210, and a second electrode 230 is arranged adjacent to the second surface 212 of the dielectric layer 210.例文帳に追加

誘電体層２１０の第１面２１１と隣り合うよう第１電極２２０を配置する一方誘電体層２１０の第２面２１２と隣り合うよう第２電極２３０を配置する。 - 特許庁

The second conductive layer 8 contains a water soluble resin having a hydroxyl group in a repeating unit, and a hydroxyl group concentration in the second conductive layer 8 is 0.5-5.0 mmol/g.例文帳に追加

第２導電層８には繰り返し単位中に水酸基を有する水溶性樹脂が含有され、かつ、第２導電層８中の水酸基濃度が０．５〜５．０ｍｍｏｌ／ｇである。 - 特許庁

The fiber-reinforced composite body 11 has a fiber-reinforced resin layer 12 comprising a first fiber and a first resin inside and the decorative layer 13 comprising a second fiber and a second resin outside.例文帳に追加

繊維強化複合体１１は、第１繊維と第１樹脂とを含む繊維強化樹脂層１２を内側に、第２繊維と第２樹脂とを含む装飾層１３を外側に有する。 - 特許庁

The signal line group includes a first signal line 11 formed in a first wiring layer, a second signal line 12 and a third signal line 13 which are formed in a second wiring layer.例文帳に追加

信号線群は、第１の配線層に形成される第１の信号線１１と、第２の配線層に形成される第２の信号線１２および第３の信号線１３とを含む。 - 特許庁

The high elasticity layer 4 is laminated on the low elasticity layer 3, consists of a second material as a liquid curable material, and has a second elastic modulus larger than the first elastic modulus.例文帳に追加

高弾性層４は、低弾性層３上に積層され、液状硬化性材料である第２の材料からなり、第１の弾性率より大きい第２の弾性率を有する。 - 特許庁

A first semiconductor chip 100 and a second semiconductor chip 200 are overlapped each other in a direction, in which a first multilayer wiring layer 110 and a second multilayer wiring layer 210 face each other.例文帳に追加

第１半導体チップ１００と第２半導体チップ２００は、第１多層配線層１１０と第２多層配線層２１０が互いに対向する向きに重ねられている。 - 特許庁

The half absorption part 12 includes a first multilayer film 2 that reflects an exposure light, a first intermediate layer 3, a second multilayer film 4, a second intermediate layer 5, and a third multilayer film 6.例文帳に追加

半吸光部１２は、露光光を反射する第１の多層膜２と、第１の中間層３と、第２の多層膜４と、第２の中間層５と、第３の多層膜６とを含んでいる。 - 特許庁

The piezo polarization PZC2 of the second region 25b of a channel layer 25 in the second region 23b is oriented in a direction from the group-III nitride semiconductor region 23 to the barrier layer 27.例文帳に追加

第２の領域２３ｂにおけるチャネル層２５の第２の領域２５ｂのピエゾ分極ＰＺＣ２は、III族窒化物半導体領域２３からバリア層２７への方向に向いている。 - 特許庁

Then, the first insulation film 16 of a first layer is formed at a low temperature of 300°C or less, and the second insulation film 18 of a second layer is formed in the range of 350-450°C.例文帳に追加

そてその際１層目の第１絶縁膜１６を３００℃以下の低温で成膜し、第２層目の第２絶縁膜１８を３５０℃から４５０℃の範囲の高温で成膜することとした。 - 特許庁

The first reflecting layer 42 consists of a first metal material, and a second reflecting layer 44 consists of a second metal material having a higher resistance against a pattern processing than the first metal material.例文帳に追加

第１の反射層４２は第１の金属材料からなり、第２の反射層４４は第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる。 - 特許庁

First signal wiring formed on the first signal layer 11 and second signal wiring formed on the second signal layer are connected electrically through a via hole.例文帳に追加

さらに、第１の信号層１１に形成される第１の信号配線と、第２の信号層に形成される第２の信号配線とは、それぞれビアホールによって電気的に接続される。 - 特許庁