「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 1 has a connection portion 14 for connecting the first upper layer wire 121 of the first electrical fuse 12 to the second lower layer wire 132 of the second electrical fuse 13.例文帳に追加

半導体装置１は、第一の電気ヒューズ１２の前記第一の上層配線１２１と、第二の電気ヒューズ１３の第二の下層配線１３２とを接続する接続部１４を有する。 - 特許庁

A second layer packed object is formed by applying mold clamping force to both molds and, at the same time, the skin sheet and the first and second layer packed objects are integrally laminated and fused in this order.例文帳に追加

両金型に型締力を負荷させて第二層充填物を形成すると同時に、表皮シート、第一層充填物、第二層充填物の順に積層融着一体化させる。 - 特許庁

By temporarily narrowing the tool width at the end of winding a second coil 2 of the first layer (Fig.7 S4), the first and the second coils of the first layer are joined to each other more tightly.例文帳に追加

１層目の２番目の巻線２の巻回終了時に治具幅を一時的に狭めると（図７Ｓ４）、１層目の、最初の巻線と２番目の巻線とが一層強く接着される。 - 特許庁

The recording or reproducing operation of the second recording layer 13 can be performed without being affected by the prepit area, since the outer peripheral area 6b is prepared on the second recording layer 13.例文帳に追加

外周プリピット領域６ｂを第２記録層１３に設けているので、第２記録層１３の記録または再生をプリピット領域の影響を受けることなく行うことができる。 - 特許庁

First and second source/drain regions of the conductivity type are formed in the epitaxial layer proximate an upper surface of the epitaxial layer, the first and second source/drain regions being spaced laterally from one another.例文帳に追加

第１、第２導電型のソース／ドレイン領域が、エピタキシャル層内でその上面に近接して形成され、第１、第２ソース／ドレイン領域は互いに横に間隔を置いて設置される。 - 特許庁

A variable resistive element 2 is configured such that a resistance change layer 13 and a low resistance layer 14 contacting with a second electrode are held between a first electrode 12a and the second electrode 14.例文帳に追加

可変抵抗素子２は、第１電極１２ａと第２電極１４の間に抵抗変化層１３、及び、第２電極と接する低抵抗層１４を挟持して構成される。 - 特許庁

A plurality of first through holes 41 are formed at the first wiring layer, and second through holes 42 overlapping the first through holes 41 are formed at the second wiring layer.例文帳に追加

第１の配線層には、複数の第１の貫通孔４１が形成されており、第２の配線層には、第１の貫通孔と重複する第２の貫通孔４２が形成されている。 - 特許庁

To provide an image display system in which a first polysilicon layer and a second polysilicon layer having different crystal properties are formed in a first region and a second region, and to provide its production process.例文帳に追加

第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bandgap wavelength of the second group III-V compound semiconductor of the first guide layer 17 is shorter than that of the third group III-V compound semiconductor of the second optical guide layer 19.例文帳に追加

第１のガイド層１７の第２のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長は、第２の光ガイド層１９の第３のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長より短い。 - 特許庁

When optimization processing of the second layer is performed, a frequency property of the information signal of the second layer is changed based on the equalizer setting information read from the memory 25, and jitter is detected.例文帳に追加

第２層の最適化処理を行う際、メモリ２５から読み出した前記イコライザ設定情報に基づき第２層の情報信号の周波数特性を変更し、ジッタ検出をする。 - 特許庁

The first resonator has a conductor layer 21 for the first inductor functioning as an inductor, and the second resonator has a conductor layer 22 for the second inductor functioning as an inductor.例文帳に追加

第１の共振器は、インダクタとして機能する第１のインダクタ用導体層２１を有し、第２の共振器は、インダクタとして機能する第２のインダクタ用導体層２２を有している。 - 特許庁

Mass transport is caused in sides 37a of the second conductive cladding layer 37, and (110) face sides 37b are formed on the sides 37a of the second conductive cladding layer 37.例文帳に追加

そして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａにおいてマストランスポートを引き起こして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａに（１１０）面側面３７ｂを形成する。 - 特許庁

The second resin layer 7 is applied in a state to insufficiently dry the first resin layer 5 to stick the second reinforced fiber 8 on the first reinforced fiber 6 in the direction of the cloth.例文帳に追加

そして、この１層目のレジン５が半乾きの状態で２層目のレジン層７を塗布して前記１層目の強化繊維６とはクロス方向に２層目の強化繊維８を貼り付けている。 - 特許庁

On a lower-layer wiring layer 30 a first silicon nitride film 32, a first silicon oxide film 34, a second silicon nitride film 36, and a second silicon oxide film 38 are formed in order (steps 1-5).例文帳に追加

下層配線層３０の上に、第１シリコン窒化膜３２、第１シリコン酸化膜３４、第２シリコン窒化膜３６および第２シリコン酸化膜３８を順次形成する（ステップ１〜５）。 - 特許庁

In addition, the printed matter for authentication is recorded with the first fluorescent image by the first ink layer 21 and the second fluorescent image by the second ink layer 22 of this thermal transfer ink ribbon R1.例文帳に追加

そして、この熱転写インクリボンＲ１の第１のインク層２１による第１の蛍光画像と、第２のインク層２２による第２の蛍光画像によって認証用印刷物を記録する。 - 特許庁

A hole for connection hole is formed by etching through a second wiring correspondent inter-layer insulating film 11, a second wiring stopper film 10 and a wiring inter-layer insulating film 9.例文帳に追加

第２配線対応層間絶縁膜１１，第２配線ストッパー膜１０および配線層間絶縁膜９を貫通するようにエッチングを行い、接続孔用の穴１３を形成する。 - 特許庁

A second p-type semiconductor coating liquid is discharged from the discharge port 12 of the coating device 1 to form a second p-type semiconductor layer 25 on the first p-type semiconductor layer 24.例文帳に追加

続いて、第１のｐ型半導体層２４上に、塗布装置１の吐出口１２から第２のｐ型半導体塗布液を吐出して、第２のｐ型半導体層２５を形成する。 - 特許庁

The third semiconductor region 12 has a first layer 8 and a second layer 40 extending in a first direction connecting the first semiconductor region 24 with the second semiconductor region 58.例文帳に追加

第３半導体領域１２は、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８を結ぶ第１方向に沿って伸びている第１層８と第２層４０を有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of forming a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type on a rear face of a semiconductor substrate without performing a resist formation process.例文帳に追加

レジスト形成工程を行うことなく、半導体基板の裏面に、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層を形成する製造法の提供。 - 特許庁

The device has a liquid crystal 10 having a STN liquid crystal layer 12 inserted between first and second substrates 14, 16 and having a translucent reflection layer 30 formed on the second substrate side in the cell.例文帳に追加

第１及び第２基板１４、１６間にＳＴＮ液晶層１２を挿入した液晶セル１０を有し、このセル内の第２基板側に半透過反射層３０を設ける。 - 特許庁

Further, a first liquid crystal display panel is disposed on the other side of the primary reflective layer of the light guide plate as well as a second liquid crystal display panel on the other side of the second reflective layer.例文帳に追加

さらに、上記導光板における第１反射層の反対側に第１液晶表示パネルを配設するとともに、第２反射層の反対側に第２液晶表示パネルを設ける。 - 特許庁

The optical recording medium is provided with a substrate 22 having first and second major faces, a recording layer 23 disposed on the second major face of the substrate 22 and a periodic structure layer 21 disposed on the first major face.例文帳に追加

第１及び第２主面を有する基板２２と、この基板２２の第２主面に設けられた記録層２３と、第１主面に設けられた周期構造層２１とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a blade for a turbomachine by superplastic forming and diffusion bonding a first layer, a second layer and a membrane, the membrane being disposed between the first and second layers.例文帳に追加

ターボマシン用のブレードを、第１層、第２層、及びこれらの第１及び第２の層間に配置されたメンブレンの超塑性形成及び拡散接合によって製造する方法を提供する。 - 特許庁

This element is mounted so that the second semiconductor layer contacts the edge of a hole at the bottom of the recess 11 of the support body that serves also as a second conductive layer, and that its portion fronts on the rear side of the support body.例文帳に追加

この素子を、第２導電体層を兼ねる支持体の凹部１１の底にある孔の縁部に第２半導体層が接し、かつ一部が支持体の裏側に望むように装着する。 - 特許庁

For example, in a two-layered optical disk, a common first address mark 109 is arranged in a first recording layer 104, and a common second address mark 110 is arranged in a second recording layer 108.例文帳に追加

二層光ディスクにおいて、第一の記録層１０４には共通の第一のアドレスマーク１０９を配置し、第二の記録層１０８には共通の第二のアドレスマーク１１０を配置する。 - 特許庁

A refractive index of the first electrode is not less than that of the second insulating layer and refractive index of the second insulating layer is not less than that of the substrate.例文帳に追加

第１の電極の屈折率は第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、第２の絶縁層の屈折率は基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする。 - 特許庁

In the second grinding layer 13, a large number of grinding particles 13b are mixed in an elastic member 13a to provide the second grinding layer 13 with the function of removing foreign matter by sticking the tip of the probe needle into it.例文帳に追加

第２の研磨層１３は、弾性部材１３ａ内に多数の研磨粒子１３ｂが混入された層であり、プローブ針の先端を刺して異物を除去する機能を有している。 - 特許庁

In a step of the secondary molding, the thermoplastic resin for the second resin layer 15 and the thermoplastic resin for forming the case are melted and mixed with each other, and thereby a boundary surface between the second resin layer 15 and the case disappears.例文帳に追加

２次成形工程では、第２樹脂層１５の熱可塑性樹脂とケース形成用の熱可塑性樹脂とが溶け合って、第２樹脂層１５とケースとの界面が無くなる。 - 特許庁

A solid dielectric layer 25 is provided on a second metal 24 of the second stage portion 22 and the peripheral part of the treating object W is installed on the inner dielectric part 26 of this solid dielectric layer 25.例文帳に追加

この第２ステージ部２２の第２金属２４の上に固体誘電体層２５を設け、この固体誘電体層２５の内側誘電部２６に被処理物Ｗの周縁部を設置する。 - 特許庁

Each of the first light-emitting element and the second light-emitting element has a first layer, including an organic compound and an inorganic compound and a second layer including a light-emitting substance, which are stacked between a pair of electrodes.例文帳に追加

第１の発光素子と第２の発光素子の各々は、一対の電極の間に、有機化合物と無機化合物を含む第１の層と、発光物質を含む第２の層とを有する。 - 特許庁

A second adhesive layer 24 is present on the entire front side of the base paper 14, with back of the attaching slip 12A directly stuck to the base paper 14 by means of this second adhesive layer 24.例文帳に追加

基紙１４の表面側全面に第２粘着剤層２４が存在し、貼付票１２Ａの裏面側がこの第２粘着剤層２４によって基紙１４に直接貼付けられる。 - 特許庁

In the second layer 52, the conductive particles are mostly arranged in a line by rolling, and the adhesive components contained in the second layer 52 are brought into a semi-cured state.例文帳に追加

第２の層５２においては、圧延により導電性粒子が概ね一列に配列されるとともに、第２の層５２に含有される接着成分が半硬化状態とされている。 - 特許庁

This spreads noises generated in the second power source layer 14 uniformly through the whole second power source layer 14 and does not concentrate the noises on one portion, thereby reducing the noises.例文帳に追加

このため、第２電源層１４で発生するノイズが第２電源層１４全体に均一に広がって一箇所に集中しないので、ノイズの発生を低減させることができる。 - 特許庁

The p-side wiring layer has a p-side external terminal exposed from the second insulation layer on a third face in an orientation different from those of the first face and the second face.例文帳に追加

前記ｐ側配線層は、前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面で、前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁

The first film deposition mechanism 35 deposits, for example, the first layer on the substrate by vapor deposition, and the second film deposition mechanism 36 deposits, for example, the second layer on the substrate by sputtering.例文帳に追加

第１成膜機構３５は、例えば基板に第１の層を蒸着によって成膜させ、第２成膜機構３６は、例えば基板に第２の層をスパッタリングによって成膜させる。 - 特許庁

A second part adjacent to the first part, in a direction away from the display panel, includes a base material and a second metal layer, while a first metal layer is removed so as to expose the base material.例文帳に追加

第一部分に対して、表示パネルから離れる方向で隣接する第二部分は、基材が露出するように第一金属層が除去されて、基材及び第二金属層とを有す。 - 特許庁

The abrasive belt 60 has a first layer 22 including a first face of a fixed abrasive polishing material, and a second layer 20 including a second face of a flexible film material.例文帳に追加

研磨ベルトは、固定研磨ポリッシング材料で形成され第１の面を有する第１の層２２と、可撓膜材料で形成され第２の面を有する第２の層２０を有する。 - 特許庁

At least a second layer 110 of the semi-transparent film having a surface with a second surface area greater than the first surface area is formed overlaying the first layer 106.例文帳に追加

透過基板１０２、第１の層１０６及び第２の層１１０の組合せによる第１の光減衰パラメータを有するように、第１の垂直領域１１４を形成する。 - 特許庁

In the process for forming the upper layer, the application of the second coating liquid is started after the coating starting part F1S of the primary layer is passed through the second coater 10.例文帳に追加

上層を形成する工程において、可撓性支持体Ｗの、下層の塗布開始部分Ｆ１Ｓが第２の塗布装置１０を通過した後に第２の塗布液の塗布を開始させる。 - 特許庁

The manufacturing method for a light-emitting element is a manufacturing method for a laminated substrate wherein a first pattern layer made from a first material and a second pattern layer made from a second material are formed on a substrate.例文帳に追加

発光素子の製造方法は、基板上に第１材料からなる第１パターン層および第２材料からなる第２パターン層が形成された積層基板の製造方法である。 - 特許庁

The concentration measuring device 1 preferably includes a second glass layer 15 for covering the upper surface of the first glass layer 14 and the outer edges of the first and second electrodes 8, 7 further.例文帳に追加

濃度測定装置（１）は、第１のガラス層（１４）の上面ならびに第１の電極（８）および第２の電極（７）の外縁を被服する第２のガラス層（１５）を更に含むことが好ましい。 - 特許庁

Then a second silicon oxide layer 10 which has a thickness T4 larger than the thickness T2 of the first silicon oxide layer is formed on a surface of the second silicon surface 6 to form a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

次に、第２シリコン層６の表面に、第１酸化シリコン層の厚みＴ２より大きい厚みＴ４を有する第２酸化シリコン層１０を形成し、半導体基板１２を形成する。 - 特許庁

The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.例文帳に追加

また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

A protective film 7, covering the second wiring layer 6 and having openings 8a and 8b on the electrode pattern 6a and a coating pattern 6b, is formed on the second wiring layer 6.例文帳に追加

第２の配線層６上には、第２の配線層６を覆うとともに、電極パターン６ａ上および被覆パターン６ｂ上に開口部８ａ、８ｂを有する保護膜７が形成されている。 - 特許庁

The first region 11 includes a first quantity of nitrogen incorporated in the dielectric layer, and the second region 22 includes a second quantity of nitrogen incorporated in the dielectric layer.例文帳に追加

第１の領域１１は、誘電体層中に組み入れられた第１の量の窒素を有し、第２の領域２２は、誘電体層中に組み入れられた第２の量の窒素を有する。 - 特許庁