「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(137ページ目) - Weblio英語例文検索

The power module further includes: a first and second conductive layers 20 and 24; and at least one layer-shaped interconnecting part 18 having an insulation layer 22 arranged between the first and second conductive layers.例文帳に追加

パワーモジュールは更に、第１及び第２の導電層２０、２４と、第１及び第２の導電層の間に配置された絶縁層２２とを備える少なくとも１つの層状相互接続部１８を含む。 - 特許庁

The second insulating film 10 is covered with a wiring layer 11 electrically connected to the pad electrode 4, and the wiring layer 11 and capacity electrode 9 overlap each other, via the second insulating film 10 interposed.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０はパッド電極４と電気的に接続された配線層１１で被覆され、配線層１１と容量電極９の両者は第２の絶縁膜１０を介して重畳している。 - 特許庁

Also there is included a step of forming an adhesive layer (for example, a second adhesive layer 2) by directly coating at least one side (for example, the second side 4B) of the nonwoven fabric 4 with the adhesive composition.例文帳に追加

また、上記不織布４の少なくとも一方の面（例えば第二面４Ｂ）に上記粘着剤組成物を直接塗布して粘着剤層（例えば第二粘着剤層２）を形成する工程を含む。 - 特許庁

Then, the injection hole 22 on the side of the second liquid crystal layer 19 is sealed with a sealing material 23, to remove the guard seal 33, and the second kind of liquid crystal is injected to form the first liquid crystal layer 16.例文帳に追加

その後、第２液晶層１９側の注入孔２２を封孔材２３で封止してからガードシール３３を除去し、第１液晶層１６を形成するために二種目の液晶を注入する。 - 特許庁

The first multilayer wiring layer 110 has a first external connecting terminal 140 in the non-opposed region, while the second multilayer wiring layer 210 has a second external connecting terminal 240 in the non-opposed region.例文帳に追加

第１多層配線層１１０は、非対向領域に第１外部接続端子１４０を有しており、第２多層配線層２１０は、非対向領域に第２外部接続端子２４０を有している。 - 特許庁

The recording shield layer 68 covers at least both side parts of the second magnetic pole 64 at recording medium opposed face S side of the second magnetic pole 64 via a recording shield gap field layer 66.例文帳に追加

そして、記録シールド層６８は、記録シールドギャップ層６６を介して、第２の磁極６４の記録媒体対向面Ｓ側において第２の磁極６４の少なくとも両側部を覆っている。 - 特許庁

The connection 25 is composed of a first connection 25A protruded from the first wiring layer 18A in the thickness direction, and a second connection 25B protruded from the second wiring layer 18B in the thickness direction.例文帳に追加

接続部２５は、第1の配線層１８Ａから厚み方向に突出する第1の接続部２５Ａと、第２の配線層１８Ｂから厚み方向に突出する第２の接続部２５Ｂとから成る。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further comprises a first upper wiring layer 121 and a second upper wiring layer 131, electrically connected to a first lower electrode 104 through the second holes 130.例文帳に追加

さらに、半導体装置１０は、第１の上部配線層１２１と、第２の孔１３０を介して第１の下部電極１０４に電気的に接続される第２の上部配線層１３１とを備える。 - 特許庁

The first surface electrode layer 13A and the first conductive portion 21, and the second surface electrode layer 13D and the second conductive portion 25, are formed of a sintered member of electrode paste.例文帳に追加

第１の表面電極層１３Ａ及び第１の導電部２１並びに第２の表面電極層１３Ｄ及び第２の導電部２５を電極ペーストの焼結体を用いて形成する。 - 特許庁

A first conductor layer 16 containing first conductive particles 16A and a binding member 16B and a second conductor layer 18 containing second conductive particles 18A are vertically layered.例文帳に追加

第１の導電性粒子１６Ａおよび結着材１６Ｂを含む第１の導電体層１６と第２の導電性粒子１８Ａを含む第２の導電体層１８とを上下に積層する。 - 特許庁

The liquid crystal element has a first substrate and a second substrate arranged in opposition, a liquid crystal layer arranged between the first substrate and the second substrate, and an electrode for applying voltage on the liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶素子は、対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に配置された液晶層と、液晶層に電圧を印加するための電極を有する。 - 特許庁

Especially, the array of the first coil springs (8) constituting the first coil spring layer (4) and the array of the second coil springs (9) constituting the second coil spring layer (6) are made different.例文帳に追加

特に、前記第１のコイルスプリング層（４）を構成する第１のコイルスプリング（８）の配列と、前記第２のコイルスプリング層（６）を構成する第２のコイルスプリング（９）の配列を異ならせることにした。 - 特許庁

The second printed wiring board 21 includes first bumps 26 penetrating through the first insulating layer 20 in the thickness direction, and second bumps 28 penetrating through the insulating layer 27 in the thickness direction.例文帳に追加

第２のプリント配線基板２１は、第１の絶縁体層２０を厚さ方向に貫通する第１のバンプ２６と、絶縁体層２７を厚さ方向に貫通する第２のバンプ２８とを備える。 - 特許庁

A second compound semiconductor layer containing Al_yIn_zGa_1-y-zN (0<y<1, 0<y+z≤1) having a second bandgap wider than the first band gap is formed over the first compound semiconductor layer.例文帳に追加

前記第１の化合物半導体層上に、前記第１のバンドギャップよりも広い第２のバンドギャップのＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-y-zＮ（０＜ｙ＜１、０＜ｙ＋ｚ≦１）を含む第２の化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

In a second conductive semiconductor layer 7, a first DBR 2 provided on the active layer 5 has first and second semiconductor DBR layers 2a and 2b alternately arranged therein.例文帳に追加

第２導電型半導体層７は、活性層５上に設けられている第１のＤＢＲ部２では、第１のＤＢＲ半導体層２ａおよび第２のＤＢＲ半導体２ｂが交互に配列されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a blade for a turbomachine by superplastic forming and diffusion bonding a first layer, a second layer and a membrane, the membrane being disposed between the first and second layers.例文帳に追加

第１層、第２層、及び第１層と第２層との間に配置されたメンブレンを超塑性成形し、拡散接合することによってターボマシン用のブレードを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

The body to be transferred and a second isolation layer which is formed on a second substrate are bonded via a first bonding layer.例文帳に追加

第１の基板上に順次、第１の分離層、中間層及び被転写体を形成し、前記被転写体と第２の基板上に形成された第２の分離層とを第１の接着層を介して接着する。 - 特許庁

The body 2 includes: many first-type layer portions 12 to 18 each including a first-type semiconductor chip; and a second-type layer portion 11 including a second-type semiconductor chip.例文帳に追加

本体２は、それぞれ第１の種類の半導体チップを含む複数の第１の種類の階層部分１２〜１８と、第２の種類の半導体チップを含む第２の種類の階層部分１１とを含んでいる。 - 特許庁

In the region corresponding to the triangle form parts 2bw, 2dw of the hazard mark 2 on this light shielding layer 6, a second color layer 7 colored by the white-base to form the second color is formed.例文帳に追加

この遮光層６上におけるハザードマーク２の三角形形象部２ｂｗ，２ｄｗに対応する領域に、第２の色彩をなす白色系に色付けされた第２の色彩層７を形成する。 - 特許庁

The step includes providing a dielectric layer on the first region and the second region of the substrate, and providing a gate electrode above the dielectric layer of both the first and second regions.例文帳に追加

これは、基板の第１領域及び第２領域上に誘電性層を設けること、及び第１及び第２領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。 - 特許庁

By this, when the second electrode 14 metal is vapor-deposited to the upper part of the light emitting layer 12, the permeation of the metal for forming the second electrode 14 into the light emitting layer 12 can be prevented effectively .例文帳に追加

これにより，発光層１２上部に第２電極１４金属の蒸着時，第２電極１４形成用金属が発光層１２に浸透することを効果的に防止することができる。 - 特許庁

The first liquid crystal layer 11-a and the second liquid crystal layer 11-b have the same optical rotatory in a state of not applying a voltage between the first and second transparent electrode substrates 1 and 2.例文帳に追加

第１および第２透明電極基板１，２の間に電圧を印加しない状態において、第１液晶層１１−ａと第２液晶層１１−ｂはそれぞれ同一の旋光性を有する。 - 特許庁

The image protective layer is provided on the untransferable release layer to include a second thermoplastic resin having a second I/O value where the absolute value of the difference from the first I/O value is larger than 0.40.例文帳に追加

上記画像保護層は、上記非転写性離型層に設置され、上記第１のＩ／Ｏ値との差の絶対値が０．４０より大きい第２のＩ／Ｏ値を有する第２の熱可塑性樹脂を含む。 - 特許庁

A semiconductor layer as well as first and second transistors (100, 200) are comprised while respective conductances of the first and second transistors are changed complementarily with respect to the bending of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と、半導体層を使用して形成される第１及び第２のトランジスタ(100,200)と、を含み、半導体層の湾曲に対して第１及び第２のトランジスタの各コンダクタンスが相補的に変化する。 - 特許庁

The second phase is reacted with the first phase metal silicide layer having a stoichiometric composition ratio different from that of the first phase to form the second phase metal silicide layer having a high phase stability and low resistance.例文帳に追加

第２相は第１相と異なる化学量的組成比を有する第１相のメタルシリサイド層と反応させ、高い相安定度および低い抵抗を有する第２相のメタルシリサイド層を形成する。 - 特許庁

A second dielectric layer (38) is formed on the first dielectric layer (28) and the semiconductor substrate (16), one part is removed, and the region of the semiconductor substrate (16) for the second low voltage element is exposed.例文帳に追加

第１の誘電体層（２８）と半導体基板（１６）の上に第２の誘電体層（３８）を形成し、一部を除去して第２の低電圧素子の半導体基板（１６）の領域を露出させる。 - 特許庁

The lap winding portion includes a second layer conductor 83a and a third layer conductor 83b spaced apart by a second pitch from each other, a U-shaped bend 85, and a pair of joint side ends 87a and 87b.例文帳に追加

重ね巻部は互いに第２ピッチ離れた第２層導体８３ａ及び第３層導体８３ｂと、Ｕ字状曲げ部８５と、閉じた一対の接合側端部８７ａ及び８７ｂとを含む。 - 特許庁

A second electrode pad 132 is formed on a boundary surface between a first insulating layer 121 and a second insulating layer 123 in a width broader in the radial direction (the plane direction) than the outside diameter of a first electrode pad 130.例文帳に追加

第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２３との境界面には、第２電極パッド１３２が第１電極パッド１３０の外径より半径方向（平面方向）に幅広に形成されている。 - 特許庁

In the thin film magnetic head 1, a MR film 20 is sandwich between a first shield layer 12 and a second shield layer 15 through a first gap film 13 and a second gap film 14 of insulation.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド１では、ＭＲ膜２０を、絶縁性の第１ギャップ膜１３および第２ギャップ膜１４を介して、第１シールド層１２および第２シールド層１５により挟み込んでいる。 - 特許庁

The lasing device comprises: a first reflector and a second reflector; a confinement layer adapted to confine current within a current-confining aperture; and an active layer between the first and second reflectors.例文帳に追加

レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic multilayer substrate whereby, when an insulator is formed on its second ceramic layer and conductors are so formed on its second ceramic layer as to cover them with the insulator, they are formed without any print blurring.例文帳に追加

第２のセラミック層上に絶縁体を形成し、この絶縁体が導体を被覆するように導体を形成する場合、印刷カスレなく導体を形成することを目的とするものである。 - 特許庁

A second insulating layer 9 with a rectangular and circular shape in a plan view is formed on the wall 6, and the peripheral part of a cap 10 with a rectangular shape in a plan view is supported through the second insulating layer 9.例文帳に追加

壁部６上には、平面視四角環状の第２絶縁層９が設けられており、この第２絶縁層９を介して、平面視四角形状のキャップ１０の周縁部が支持されている。 - 特許庁

In the opening formation step, an opening which exposes the pattern 111 for measuring shift in position and a second pattern 102 are formed in a second layer 103, which is stacked so as to be higher than the first layer.例文帳に追加

開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 - 特許庁

The sum of a thickness of the first substrate 46 and a thickness of the first adhesive layer 48 is equal to the sum of a thickness of a part in the second adhesive layer 49 overlapping with the sensor core 41 and a thickness of the second substrate 47.例文帳に追加

第１基板４６の厚さと第１接着層４８の厚さの和と、第２接着層４９においてセンサコア４１と重なる部分の厚さと第２基板４７の厚さとの和とは、等しい。 - 特許庁

The method has a process of shaping the first layer (13) to have a second size b-c, which is the product of a first target size (a) to be formed in the second layer (12), and a correction factor (1/k).例文帳に追加

第２の層（１２）に形成されるべき目標とする第１の寸法ａに、補正係数（１／ｋ）を乗じた第２の寸法ｂ—ｃとなるように、第１の層（１３）を加工する工程を有する。 - 特許庁

Next, a third ceramic green sheet not formed with an electrode pattern is stacked on the inner layer 4 and is crimped under a third condition which is different from the second one to form a second outer layer 6.例文帳に追加

続いて、内層部４上に、電極パターンが形成されていない第３のセラミックグリーンシートを積層し、第２の条件とは異なる第３の条件で圧着して第２の外層部６を形成する。 - 特許庁

A film deposition apparatus 13 for performing the film deposition on a substrate has a first film deposition mechanism 35 for depositing a first layer and a second film deposition mechanism 36 for depositing a second layer in a processing container 30.例文帳に追加

基板に成膜する成膜装置１３であって、処理容器３０の内部に、第１の層を成膜させる第１成膜機構３５と、第２の層を成膜させる第２成膜機構３６を備える。 - 特許庁

The semiconductor region 3 of the first conductivity type, the active layer 5, the potential controlling layer 2, and the semiconductor region 7 of the second conductivity type are located between the first DBR 8a and the second DBR 8b.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３、活性層５、電位制御層２および第２導電型半導体領域７は、第１のＤＢＲ部８ａと第２のＤＢＲ部８ｂとの間に位置する。 - 特許庁

After finishing a function test, a solder ball 32b for grounding is formed to a connection pad of a second upper layer wiring 29b for grounding and on a connection pad part of a second upper layer wiring 29c for test.例文帳に追加

ファンクションテストを終えた後に、グランド用の第２の上層配線２９ｂの接続パッド部およびテスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にグランド用の半田ボール３２ｂを形成する。 - 特許庁

Then, a second ceramic green sheet 14 formed with an electrode pattern 18 is stacked on the first outer layer 2 and is crimped under a second condition which is different from the first one to form the inner layer portion 4.例文帳に追加

次に、第１の外層部２上に、電極パターン１８が形成された第２のセラミックグリーンシート１４を積層し、第１の条件とは異なる第２の条件で圧着して内層部４を形成する。 - 特許庁

The second metal film 76 is comprised of second metal having oxidizing property lower than that of the first metal and wettability higher than that of the first metal in melting with the brazing material layer 70, and is directly formed in the brazing material layer 70.例文帳に追加

第２の金属膜７６は、第１の金属よりも、酸化性が低くてロウ材層７０との溶融時の濡れ性が高い第２の金属からなり、ロウ材層７０に直性形成されている。 - 特許庁

Additionally, the first gate electrode 236 containing metal is surrounded with the first n^+ type silicon layer 113, the second n^+ type silicon layer 157, the first insulating film 129, and the second insulating film 162.例文帳に追加

また、金属を含む第１のゲート電極２３６が、第１のｎ^＋型シリコン層１１３、第２のｎ^＋型シリコン層１５７、第１の絶縁膜１２９、および、第２の絶縁膜１６２に囲まれている。 - 特許庁

In the method of manufacturing a ceramic multilayer substrate, an insulator is formed on its second ceramic layer, and the second ceramic layer is so pressed as to control the thickness of the insulator, and to improve the printing quality of conductors onto the insulator.例文帳に追加

第２のセラミック層に絶縁体を形成し、この第２のセラミック層をプレスすることにより絶縁体厚みを制御することができ、導体の印刷性を改善することが出来る。 - 特許庁

The adhesive layer 61 is filled between the extending portion 63 of the second electronic component 8 and the substrate 2 for the adhesive layer 61 is soften or melted at the temperature of adhesion of the second electronic component 8.例文帳に追加

第２の電子部品８のはみ出し部分６３と基板２との間には接着剤層６１が第２の電子部品８の接着時温度で軟化または溶融することで充填されている。 - 特許庁

The coil diameter-number-array-form of the first coil springs in the first coil spring layer and the coil diameter-number-array-form of the second coil springs in the second coil spring layer are made different.例文帳に追加

また、前記第１のコイルスプリング層における第１のコイルスプリングのコイル径・個数・配列・形態と、前記第２のコイルスプリング層における第２のコイルスプリングのコイル径・個数・配列・形態とを異ならせることにした。 - 特許庁