「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

In a radiation detector, a P layer is formed on a first surface of the I layer, an island-form N layer is formed on a second surface of the I layer, and an annular P ring is formed around the N layer to concentrate charges generated in the I layer with incoming radioactive rays on the N layer by potential gradient generated by voltages applied to the P layer and the P ring.例文帳に追加

Ｉ層の第１の面にＰ層が設けられ、Ｉ層の第２の面に島状のＮ層が設けられると共にＮ層を中心として環状のＰリングが形成され、放射線の入射によりＩ層で発生した電荷をＰ層およびＰリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層に集める放射線検出器に関する。 - 特許庁

At this time, it is preferable that a conductive layer 6' including a metal layer having a small work function is formed between the organic layer 3 and transparent protective layer 4, and it is preferable that the conductive layer 6' comprises a first conductive layer 6a as the metal layer having the small work function and a second conductive layer 6b at least containing an element that belongs to a group I or II of an element periodic law.例文帳に追加

このとき、有機層３と透明保護層４との間に、仕事関数の小さい金属層を含む導電層６’を形成することが好ましく、その導電層６’が、仕事関数の小さい金属層である第１導電層６ａと、元素周期律の１族又は２族に属する元素を少なくとも含む第２導電層６ｂとからなるように構成することが好ましい。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device that includes the uneven structure is provided with a first semiconductor layer 22 formed of the uneven structure, an intermediate layer 23 formed between patterns of uneven structure of the first semiconductor layer 22, a second semiconductor layer 24, an active layer 25 and a third semiconductor layer 26 which are successively formed on the first semiconductor layer 22 and the intermediate layer 23.例文帳に追加

凹凸構造で形成された第１半導体層２２と、第１半導体層２２の凹凸構造のパターン間に形成された中間層２３と、第１半導体層２２及び前記中間層２３上に順次に形成された第２半導体層２４、活性層２５及び第３半導体層２６と、を備える凹凸構造を含む半導体発光素子である。 - 特許庁

A first transparent resin layer 11 of an impact resistant layer and a second transparent resin layer 12 having a high shearing modulus of elasticity are laminated through an adhesive layer 13, and glass protecting adhesive layer 1 making the peel strength between the layer 11 and the layer 12 at least 50 N/m is stuck on the front glass 3 of the display through a sticking adhesive layer 2.例文帳に追加

耐衝撃性層である第１の透明樹脂層１１および高せん断弾性率を有する第２の透明樹脂層１２が接着性層１３を介して積層され、層１１および層１２の間の剥離強度を５０Ｎ／ｍ以上としたガラス保護用接着１を、貼り付け用粘着剤層２を介してディスプレイの前面ガラス３に貼り付け、課題を解決することができた。 - 特許庁

The self-pulsating semiconductor laser is provided with a lower clad layer 103 formed on a semiconductor substrate 101, an active layer 105 formed on the lower clad layer 103, a first upper clad layer 107 formed on the active layer 105, a second upper clad layer 109 formed on the first upper clad layer 107, and a block layer BLK.例文帳に追加

本発明に係る自励発振型半導体レーザは、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成された第２上部クラッド層１０９と、ブロック層ＢＬＫとを備える。 - 特許庁

On a second active region 10b of the semiconductor substrate 10, a second transistor of a second conductivity type is formed which includes a second gate insulating layer 13b containing the high dielectric material and a second metal, a second conductive film 18b consisting of the same material as the first conductive film 18a, and a second gate electrode 30b which has a second silicon film 19b.例文帳に追加

半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The current block layer 21, which is in contact with the mesa-type second conductivity-type cladding layer 5 is formed of an A1InP layer 21, having no light absorption capability with respect to the oscillation light from the laser and in-plane compressive strain, is introduced to the active layer.例文帳に追加

メサ型の第２導電型クラッド層５に接する電流ブロック層２１は、レーザの発振光に対して光吸収能のないＡｌＩｎＰ層２１で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。 - 特許庁

Then, after forming the coating film for a luminous layer and performing pressurizing/heat-treating to form a second organic layer 13 as the luminous layer, Ca and Al are deposited on it for forming an electrode layer 15 to obtain the organic EL device 1.例文帳に追加

引き続き、発光層用の塗膜形成及び加圧・加熱処理を行って発光層としての第２有機層１３を形成した後、その上にＣａ及びＡｌを蒸着して電極層１５を形成して有機ＥＬ素子１を得る。 - 特許庁

In addition, when a change in processing (S2, S4, S6 and S8) among the first layer DB 3, the second layer DB 5, the third layer DB 7 and the fourth layer DB 9 occurs, processing is reexecuted from a DB ahead of performing the processing.例文帳に追加

また、１層ＤＢ３、２層ＤＢ５、３層ＤＢ７および４層ＤＢ９のそれぞれの間の処理（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８）のいずれかに変更が発生した場合、その処理を行う前のＤＢから処理をやり直す。 - 特許庁

The first semiconductor region (the p-layer 6), the intrinsic region (the i-layer 7), the second semiconductor region (the p-layer 8), and the third semiconductor region (the n-layer 9) are arranged in line in order along a surface direction of the silicon film 11.例文帳に追加

第１の半導体領域（ｐ層６）、真性半導体領域（ｉ層７）、第２の半導体領域（ｐ層８）、及び第３の半導体領域（ｎ層９）は、シリコン膜１１の面方向に沿って、順に一列に配置されている。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The organic LED element is provided on a substrate with a first electrode, a conductive film containing a low melting point compound, the organic layer including a light-emitting layer, a second electrode permeable to light from the light-emitting layer, and a transfer assisting layer, all of which are arranged in that order.例文帳に追加

基板上に、第１電極と、低融点化合物を含む導電性膜と、発光層を含む有機層と、発光層からの発光を透過可能な第２電極と、転写補助層とをこの順に設けた有機ＬＥＤ素子。 - 特許庁

A dug down portion 28 is formed by selectively etching a refractory metal layer 14 from an opening 26, using an etching material having the etching selectivity between a first insulating layer 20, a second insulating layer 22, and the refractory metal layer 14.例文帳に追加

開口部２６から、第一の絶縁層２０、第二の絶縁層２２と高融点金属層１４とのエッチングの選択性があるエッチング材料で、高融点金属層１４を選択的にエッチングし、掘り下げ部２８を形成する。 - 特許庁

The silicon substrate has a first region which has an embedded insulating layer below a single-crystal silicon layer and a second region which is adjacent to the first region and does not have the embedded insulating layer below the single silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板は、単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有する第１の領域と、この第１の領域に隣接し単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有さない第２の領域とを備える。 - 特許庁

In the chip-type electronic component comprising the chip substrate to the side face of which the side electrode is formed, the side electrode adopts a two-layer structure comprising a first electrode layer and a second electrode layer that is more porous than the first electrode layer.例文帳に追加

側面に側面電極を形成したチップ基板からなるチップ型電子部品において、側面電極は、第１の電極層と、この第１の電極層よりも多孔質とした第２の電極層の２層構造とする。 - 特許庁

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁

To restrain variations in characteristics in mass-production in a perpendicular magnetic recording medium having a perpendicular recording layer in a double-layer structure, where a Co-Cr-Pt alloy first magnetic layer containing an oxide and a Co-Cr-Pt alloy second magnetic layer are formed successively.例文帳に追加

酸化物を含有するCo-Cr-Pt合金第一磁性層と、Co-Cr-Pt合金第二磁性層が順次形成された二層構造の垂直記録層を有する垂直磁気記録媒体において、量産時の特性変動を抑える。 - 特許庁

The wiring board 120 has a multilayer structure laminating a plurality of wiring layers and a plurality of the insulating layers, and has the configuration laminating the insulating layers for a first layer 122, a second layer 124, a third layer 126 and a fourth layer 128.例文帳に追加

配線基板１２０は、複数の配線層と複数の絶縁層が積層された多層構造であり、第１層１２２、第２層１２４、第３層１２６、第４層１２８の絶縁層が積層された構成になっている。 - 特許庁

In a heater assembly, both of the first layer and the second layer have an elastic modulus of 5 GPa or less and supply continuously a uniform and excellent heating to the substrate and energize the ceramic heating layer without damaging the ceramic layer.例文帳に追加

ヒーターアセンブリーにおいて、第1層および第２層の双方は５ＧＰａ未満の弾性率を有し、基板に絶え間なく均一で優れた加熱を供給しつつセラミックス層に損傷をもたらさずに、セラミック発熱層を付勢する。 - 特許庁

The cold cathode includes a gate insulation layer divided into the first gate insulation layer and the second gate insulation layer, and the first gate insulation layer has fine holes in which electron sources that are connected to high resistance layers in parallel are disposed.例文帳に追加

本願の冷陰極は、ゲート絶縁層を第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層で構成し、第１のゲート絶縁層は細孔を有し、細孔には電子源を配設し、電子源は高抵抗層に対して並列に接続される。 - 特許庁

The ΔEc of the electron barrier layer 16 to the active layer 14 becomes large, the overflow of electrons to the first p-type clad layer 17 or the second p-type clad layer 19 is suppressed securely, improving the temperature characteristics and the reliability.例文帳に追加

電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃが大きくなり、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９への電子のオーバーフローが確実に抑制され、温度特性や信頼性が向上する。 - 特許庁

The film for semiconductor 10 is formed by laminating a support film 4, a second viscous layer 2, the first viscous layer 1, and the adhesion layer 3 in this order and the average thickness of the first viscous layer 1 is 20-100 μm.例文帳に追加

この半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とがこの順で積層されたものであるが、第１粘着層１の平均厚さは２０〜１００μｍである。 - 特許庁

The orientation substrate 5A for film formation is equipped with a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property, and a second metal layer 2 bonded to that first metal layer 1 having a texture of which at least the surface layer is oriented.例文帳に追加

膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a first transparent layer and a second transparent layer is provided in a pixel area of the image sensor, and a refractive index and a thickness of each transparent layer are selected, thus providing different light transmissive wavelength characteristics for each pixel.例文帳に追加

イメージセンサの画素領域に、第一の透明層と第二の透明層から成る２層構造を設け、それぞれの透明層の屈折率と厚さを選択することにより、画素毎に異なった光透過波長特性を持たせる。 - 特許庁

A layer p11 being a second conductivity type semiconductor layer is formed in the vicinity of an end of a transfer gate TG of a layer n2 being a first conductivity type semiconductor layer forming floating diffusion FD in an imaging element comprising a CMOS.例文帳に追加

CMOSからなる撮像素子における、フローティングディフュージョンＦＤを形成する第１導電型半導体層である層ｎ２の転送ゲートＴＧの端部付近に、第２導電型半導体層である層ｐ１１を形成する。 - 特許庁

Then, on the bottom part of the 2nd insulating narrow recessed part 9a where the second insulating layer 9 is removed and the 2nd wiring layer is exposed, the contact hole for electrically connecting the 2nd wiring layer 8 to the 3rd wiring layer 10 is formed.例文帳に追加

そして、第２絶縁層９が除去されて、第２配線層８が露出した第２絶縁狭凹部９ａの底部において、第２配線層８と、第３配線層１０とを電気的に接続するコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Then, the nonvolatile semiconductor memory device includes a diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) at a position corresponding to a lateral side of the second insulating layer (14), and a silicide layer (11) that is formed to cover the diffusion layer (3) and first gate (6).例文帳に追加

そして、第２絶縁層（１４）の側方に対応する位置の半導体基板（２）内に形成された拡散層（３）と、その拡散層（３）及び第１ゲート（６）を覆うように形成されたシリサイド（１１）とを備えている。 - 特許庁

The conductive layer having the function as the second electrode is superposed on the conductive layer having the function as the first electrode via the electroluminescent layer and the insulating material, and is in contact with an upper surface of the electroluminescent layer.例文帳に追加

このとき、第２の電極としての機能を有する導電層は、電界発光層及び絶縁材を介して第１の電極としての機能を有する導電層に重畳し、且つ電界発光層の上面に接する。 - 特許庁

The conductor 104 is arranged vertically to the first conductive layer 101, electrically connected to the first conductive layer 101 and also electrically connected to the second conductive layer 107 through the catalyst layer 106.例文帳に追加

導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 - 特許庁

On a front substrate of a plasma display device as the display device, a first alignment marker 10 is formed in the same layer as a black dielectric layer, and a second alignment marker 11 is formed in the same layer as a bus electrode layer.例文帳に追加

表示装置としてのプラズマディスプレイ装置の前面基板においては、黒色誘電体層と同層に第一のアライメントマーカ１０が形成され、バス電極層と同層に第二のアライメントマーカ１１が形成されている。 - 特許庁

The LC composite component 10 includes a magnetic substrate 11, a capacitor layer 12 formed on the substrate 11, an inductor layer 13 formed on the capacitor layer 12, and a second magnetic substrate 14 formed on the inductor layer 13.例文帳に追加

ＬＣ複合部品１０は、磁性基板１１と、磁性基板１１上に形成されたキャパシタ層１２と、キャパシタ層１２上に形成されたインダクタ層１３と、インダクタ層１３上に形成された第２の磁性基板１４とを備えている。 - 特許庁

When a reverse electrostatic discharge voltage is applied between the second cladding layer 27 and a first cladding layer 21, a depletion layer is formed in the III-V compound semiconductor layer 25, thereby reducing the maximum electric field in the semiconductor ridge 15.例文帳に追加

第１のクラッド層２１と第２のクラッド層２７との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−Ｖ化合物半導体層２５に空乏層が生成されて、半導体リッジ１５における最大電界を低減できる。 - 特許庁

On the base substance 1b, an oxide layer 2 within niobium is formed and additionally a cathode 4 is formed sequentially with a conductive polymer layer 3, a first conductive layer 4a, and a second conductive layer 4b in a laminate structure.例文帳に追加

基体１ｂ上には、酸化ニオブを含む酸化物層２が形成され、さらに、導電性高分子層３と第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂの積層構造を有する陰極４とが順次形成されている。 - 特許庁

In it, a first wiring layer 13a which is a high purity copper layer is formed without interposing a dissimilar metal on the first resin layer 12 by sputtering, and a second wiring layer 13b is formed by copper electroplating.例文帳に追加

このうち、高純度の銅層である第１の配線層１３ａはスパッタリングにより第１の樹脂層１２上に異種金属を介在させることなく形成し、第２の配線層１３ｂは銅の電気めっきにより形成する。 - 特許庁

By continuously patterning the second composite nano-crystalline layer 6, the semiconductor layer 3b, and the conductive layer 12a, a pattern of a drift part 6, a polycrystalline silicon layer 3, and an lower electrode 12 is formed.例文帳に追加

次に、第２の複合ナノ結晶層６ａおよび半導体層３ｂおよび導電性層１２ａを連続的にパターニングすることでドリフト部６および多結晶シリコン層３および下部電極１２をパターン形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

A first magnetic shield layer 16 which functions also as one electrode for carrying sensing current is formed the lower layer of the bed layer 6, and a second magnetic shield layer 18 which functions also as the other electrode is formed on a protective film 15.例文帳に追加

下地層６下層には、センス電流を流す一方の電極としても機能する第１磁気シールド層１６が形成され、保護膜１５上には、他方の電極としても機能する第２磁気シールド層１８が形成されている。 - 特許庁

The interlayer dielectric includes a first-class insulating layer 15 wrapping a side face and a bottom face of the wiring groove, and a second-class insulating layer 56 arranged under the first-class insulating layer and having etching characteristics different from that of the first-class insulating layer.例文帳に追加

層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。 - 特許庁

A substrate type thin-film solar battery 10 is composed in such a way that a reflective electrode layer 14, a first transparent conductive layer 11, a photoelectric conversion layer 16 and a second transparent conductive layer 12 are stacked in this order on the top surface of a film substrate 13.例文帳に追加

サブストレート型薄膜太陽電池１０は、フィルム基板１３の上面に、反射電極層１４、第１透明導電層１１、光電変換層１６及び第２透明導電層１２をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

A wiring layer 107 in the surface layer of the first wiring board 101 and a wiring layer 108 in the surface layer of the second wiring board 102 are electrically connected through the conductor 105 and at least one of the wiring layers 107 and 108 is buried in the board bonding element 106.例文帳に追加

第一の配線基板101の表層の配線層107と第二の配線基板102の表層の配線層108とが導電体105を介して電気的に接続され、配線層107,108の少なくとも一方が基板接合体106に埋設される。 - 特許庁

The whole belt layer 20 is covered with a first belt reinforcing layer 22A including organic fiber cords for substantially setting the cord direction in the tire circumferential direction, and both end part vicinity of the belt layer 20 is covered with a second belt reinforcing layer 22B.例文帳に追加

コード方向が実質的にタイヤ周方向とされた有機繊維コードを含んだ第１のベルト補強層２２Ａによりベルト層２０全体を覆い、かつベルト層２０の両端部付近を第２のベルト補強層２２Ｂにより覆う。 - 特許庁

In this thermal insulation coating member, a substrate 7 and a surface layer 8 are formed on a base material 6, and the first intermediate layer 9 and the second layer 10 are interposed between the substrate 7 and the surface layer 8.例文帳に追加

本発明に係る遮熱コーティング部材は、基材６上に、下地層７と表面層８とを形成するとともに、下地層７と表面層８との間に、第１中間層９と第２中間層１０とを介装させた。 - 特許庁

An orientation substrate 5A for film formation comprises: a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property; and a second metal layer 2 bonded to the first metal layer 1 and having aggregate structure in which at least a surface layer is oriented.例文帳に追加

膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁

A metal gas filling layer 3 made of a silicon oxide is formed on the texture formation layer 2, and a first electrode 4, a photoelectric conversion layer 6 and a second translucent electrode 7 are sequentially formed on the metal gas filling layer 3.例文帳に追加

テクスチャ形成層２上に酸化シリコンからなる金属ガス封入層３が形成され、金属ガス封入層３上に第１の電極４、光電変換層６および透光性の第２の電極７が順に形成されている。 - 特許庁

The substrate includes a first layer 4a, of which the lower plane makes contact directly with the first shielding layer 3 and a second layer 4 of which the lower plane contacts to an upper plane of the first layer 4a and the upper plane makes contact directly with the MR element 5.例文帳に追加

下地層４は、下面が第１のシールド層３に直接接する第１の層４ａと、下面が第１の層４ａの上面に接すると共に、上面がＭＲ素子５に直接接する第２の層４ｂとを含んでいる。 - 特許庁