「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

In the peripheral circuit region, a laminate structure DMM in which a layer of the same material as the magnetization free layer, a layer of the same material as the tunnel insulation layer, and a layer of the same material as the magnetization fixed layer are stacked is arranged so as to overlap with second wiring BL2 comprising the same layer as the first wiring BL in top view.例文帳に追加

上記周辺回路領域には、第１の配線ＢＬと同一レイヤにより構成される第２の配線ＢＬ２と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造ＤＭＭが配置されている。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a switching element and a storage node connected to the switching element, wherein the storage node includes a lower metal layer connected to the switching element, and a first insulating layer, an intermediate metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, and a nano-layer which are sequentially formed on the lower metal layer.例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子に連結されたストレージノードを備える不揮発性メモリ素子において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部金属層と、下部金属層上に順次に形成された第１絶縁層、中間金属層、第２絶縁層、上部金属層及びナノ層を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 24 and 34 provided on the semiconductor layer 10 to sandwich the gate conductive layer 14, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられ、ゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、ゲート導電層１４を挟むように半導体層１０に設けられた第１導電型の第１および第２不純物領域２４，３４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

The heat sink 10 comprise a mounting layer 11 on which a semiconductor element 10a is mounted, a thermal stress softening layer 15 of a three-layer structure including a first thermal stress softening layer 12, a second thermal stress softening layer 13 and a third thermal stress softening layer 14, and a heat radiating layer 16 for radiating outside heat generated by the semiconductor element 10a.例文帳に追加

本発明の多層ヒートシンク１０は、半導体素子１０ａを搭載する搭載層１１と、第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４からなる３層構造の熱応力緩和層１５と、半導体素子１０ａが発生した熱を外部に放出する放熱層１６を備えている。 - 特許庁

The ternary content addressable memory cell 1 is provided with a first magnetic tunnel junction 2 being formed from a storage layer 23, a sense layer 21 having a magnetization direction adjustable relative to the magnetization of the storage layer, an insulating layer 22 between the storage layer and the sense layer, a sense line 3 coupled with the storage layer, a first field line 4 and second field line 5.例文帳に追加

三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。 - 特許庁

The film adhesive 100 is obtained by sequentially laminating an adhesive layer 12, a thermosetting resin layer 30, and a second plastic layer 20 on a first plastic layer 10, wherein the area of the adhesive layer is bigger than the area of the thermosetting resin layer, and the thermosetting resin layer has parallel transmittance of visible light of 15-100% when uncured.例文帳に追加

フィルム状接着剤１００は、第一のプラスチック層１０上に、粘着剤層１２、熱硬化性樹脂層３０及び第二のプラスチック層２０が、この順に積層されたものであって、粘着剤層の面積が熱硬化性樹脂層の面積より大きく、熱硬化性樹脂層は未硬化時の可視光並行透過率が１５〜１００％である。 - 特許庁

The base material consisting of titanium or a titanium alloy has an internally hardened layer consisting of a first hardened layer formed from the surface toward the inside, and in which nitrogen and oxygen are allowed to enter into solid solution, and a second hardened layer formed more interiorly than the first hardened layer, a hard decorative layer applied and formed on the surface of the internally hardened layer, and a hard transparent glass layer thereon.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金からなる基材は、表面から内部に向かって形成された窒素及び酸素を固溶する第１硬化層と、該第１硬化層より内部に向かって形成された第２硬化層とからなる内部硬化層と、該内部硬化層の表面に被覆形成された硬質装飾層と、その上に硬質透明ガラス層を有する。 - 特許庁

A microstrip line element is composed by forming a dielectric layer 20 which is formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding a first electrode layer 10, a conductor layer 30 which is formed on the dielectric layer 20, and a second electrode layer 40 which is formed on the conductor layer 30 on the first electrode layer 10 composed of metal as a substrate.例文帳に追加

基板となる金属で構成される第１の電極層１０の上に、第１の電極層１０を酸化または窒化または酸窒化して形成される誘電体層２０と、誘電体層２０上に形成される導電体層３０と、導電体層３０の上に形成される第２の電極層４０を形成し、マイクロストリップ線路素子を構成する。 - 特許庁

In the substrate for semiconductor device, a first granular gold plating layer 11A is formed on a metal plate 10 and a plating layer is deposited thereon wherein the deposited plating layer consists of a second gold plating layer 11B, a nickel plating layer 12 and a gold plating layer 13 deposited sequentially on the first gold plating layer 11A.例文帳に追加

金属板１０上に、粒状の第１の金めっき層１１Ａと、その上に成膜させためっき層が形成されており、成膜させた前記めっき層は第１の金めっき層１１Ａの上に順次積層された第２の金めっき層１１Ｂと、ニッケルめっき層１２と、金めっき層１３とからなっている半導体装置用基板。 - 特許庁

A regular tetrahedron channel 2 is formed at a wafer 1, and a memory part 3 is formed, which comprises a channel layer 21 which is a first semiconductor layer and functions as a channel, a floating layer 22 of a three-layer structure which is a second semiconductor layer functioning as a floating gate, and an electrode contact layer 23 which is a third semiconductor layer for assuring a drain contact.例文帳に追加

ウェハ１に正四面体溝２を形成し、チャネルとして機能する第１の半導体層であるチャネル層２１と、フローティングゲートとして機能する第２の半導体層である３層構造のフローティング層２２と、ドレインコンタクトを確保するための第３の半導体層である電極コンタクト層２３とから構成されるメモリ部３を形成する。 - 特許庁

In a spin valve transistor having a multilayer structure of a first magnetic body layer (200) grown directly on a semiconductor layer (400), a tunnel barrier layer (300) and a second magnetic body layer (100) formed sequentially on the first magnetic body layer (200), an avalanche breakdown electron multiplication layer (410) is provided on the semiconductor layer (400).例文帳に追加

半導体層（４００）上に直に成長させた第一の磁性体層（２００）と、この第一の磁性体層（２００）上に、順にトンネルバリア層（３００）と、第二の磁性体層（１００）とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層（４００）上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層（４１０）を設ける。 - 特許庁

In this pressure vessel, the pressure vessel has a resin liner layer for cutting off leakage of a predetermined fluid, a fiber reinforced plastic first layer formed on the outside more than the liner layer and having pressure resistance, and a second layer arranged between the liner layer and the first layer and composed of plastic larger in elongation than the first layer.例文帳に追加

圧力容器であって、所定の流体の漏洩を遮断する樹脂製のライナー層と、ライナー層よりも外側に形成され、耐圧性を有する、繊維強化プラスチック製の第１の層と、ライナー層と、第１の層との間に配置され、第１の層よりも伸びが大きいプラスチックから成る第２の層を備えることを特徴とする圧力容器。 - 特許庁

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.例文帳に追加

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁

In the optical recording medium, a supplying layer is provided directly or through an undercoating layer onto a first substrate and, when necessary, a reflecting layer and a protective layer or a reflecting layer and a second substrate are provided onto the supplying layer under the state that the recording layer includes at least one kind of a compound among azo metal chelate compounds represented by general formula (1).例文帳に追加

第１基板上に直接又は下引き層を介し供給層を設け、さらにその上に必要に応じて反射層、保護又は反射層、第２基板を設けてなる光記録媒体であって、記録層中に一般式（１）で示されるアゾ金属キレート化合物を少なくとも１種含有してなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

A manufacturing method of an organic electroluminescent element which includes a first electrode, luminescent layer and second electrode in this order comprises the step of, after luminescent layer formation, forming a layer corresponding to the upper layer of the luminescent layer after heat treatment of the luminescent layer after elapse of six hours or more after forming the luminescent layer.例文帳に追加

第一の電極、発光層、及び第二の電極をこの順に設けてなる有機電界発光素子の製造方法であり、該発光層形成後、６時間以上経過後に該発光層に対して加熱処理を施した後、該発光層の上層にあたる層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

This quantum cascade laser 1A is formed by including: a semiconductor substrate 10; a first active layer 15 with unit laminated bodies 16 each comprising a luminescent layer and an injection layer laminated in multiple tiers; and a second active layer 25 arranged in series to the first active layer 15 and having unit laminated bodies 26 each composed of a luminescent layer and an injection layer laminated in multiple tiers.例文帳に追加

半導体基板１０と、発光層及び注入層からなる単位積層体１６が多段に積層された第１活性層１５と、第１活性層１５に対して直列に設けられ発光層及び注入層からなる単位積層体２６が多段に積層された第２活性層２５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

The hybrid material layer 14 consists essentially of inorganic glass and a photopolymer, the heat- or ultraviolet-cured photopolymer layer 16 is located on the dried hybrid material layer 14 in such a way that the total thickness of the photopolymer layer 16 and the hybrid material layer 14 is made uniform, and the second substrate 18 is fixed by adhesion with the photopolymer layer 16 as an adhesive layer.例文帳に追加

ハイブリッド材料層１４は無機ガラスとフォトポリマーを主成分とし、乾燥したハイブリッド材料層１４上に、このハイブリッド材料層１４と合わせた厚さが均一となるように、熱又は紫外線硬化されたフォトポリマー層１６を設け、このフォトポリマー層１６を接着層として前記第２の基板１８が接着固定されている。 - 特許庁

The first and the second semiconductor layers are configured by nitride gallium compound semiconductor layers, a gate electrode 36 is formed on the second semiconductor layer, a second electrode 39 is formed on the first semiconductor layer, and the gate electrode 36 and second electrode 39 are configured to sandwich the first and the second semiconductor layers.例文帳に追加

第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure containing no aluminum on a substrate, and the gate electrode has a field plate portion which extends toward a drain in Schottky contact with the first nitride semiconductor layer exposed in a recessed portion formed by cutting part of the second nitride semiconductor layer or the second nitride semiconductor layer which is slightly left.例文帳に追加

基板上に、第１の窒化物半導体層と、アルミニウムを含まない微結晶構造の第２の窒化物半導体層とを備え、ゲート電極は、第２の窒化物半導体層の一部を切り欠き形成された凹部内に露出する前記第１の窒化物半導体層あるいはわずかに残した第２の窒化物半導体層にショットキ接触し、ドレイン側に延出するフィールドプレート部を備える。 - 特許庁

In a method of successively laser-beam machining a workpiece which has a first machining layer and at least a second machining layer that is higher in machining energy than the first layer, the second layer is machined under the first laser condition until its exposed area becomes larger than a prescribed value, and then machined under the second laser condition that is higher in machining energy than the first layer.例文帳に追加

第１の被加工層と前記第１の被加工層よりも加工エネルギーが高い第２の被加工層を少なくとも有する被加工物をレーザ光線で順次加工する方法において、第２の被加工層の露出面積が所定値よりも広くなるまで第１のレーザ条件で加工した後、前記第１のレーザ条件よりも加工エネルギーが高い第２のレーザ条件で第２の被加工層を加工する。 - 特許庁

The electrolyte membrane 10 is obtained by forming resin film using a second layer formation resin composition containing a solid polymer compound having an imidazole group, and then forming a second layer 2 by impregnating the resultant resin film with a liquid electrolyte, and, thereafter, forming a first layer on both principal surfaces of the second layer which was obtained by using a first layer formation electrolyte composition containing a solid acid and a binder.例文帳に追加

電解質膜１０は、イミダゾール基を有する固体高分子化合物を含む第２の層形成用樹脂組成物を用いて樹脂膜を形成し、得られた樹脂膜に液状電解質を含浸させて第２の層２を形成した後、固体酸とバインダーを含む第１の層形成用電解質組成物を用いて得られた第２の層の両方の主面上に第１の層をそれぞれ形成することで得られる。 - 特許庁

A sensor unit used in the pressure-detecting device is comprises a first electrode, a second electrode placed so as to overlap the first electrode, a third electrode placed so as to overlap the second electrode, a first dielectric layer placed between the first and the second electrode, and a second dielectric layer having different elastic modulus from the first dielectric layer, placed in between the second and the third electrode.例文帳に追加

圧力検出装置に用いられるセンサ部は、第１電極と、第１電極と重なるように設けられる第２電極と、第２電極と重なるように設けられる第３電極と、第１電極と第２電極との間に設けられる第１誘電体層と、第２電極と第３電極との間に設けられる、第１誘電体層とは弾性率の異なる第２誘電体層とからなる。 - 特許庁

First and second sidewall insulation layers 8, 14 are composed of a material differing from the hard mask layer 5.例文帳に追加

第１および第２の側壁絶縁層８、１４はハードマスク層５と異なる材質よりなっている。 - 特許庁

The first and second layers are each, for example, a single crystalline Si layer or a single crystalline Si substrate.例文帳に追加

第１の層および第２の層は例えば単結晶Ｓｉ層あるいは単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

A recess R is formed at the lower portion of the second drift layer 9 at the lower left of the LOCOS film 4.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜４の左端下方の第２のドリフト層９の下部には凹部Ｒが形成されている。 - 特許庁

The protective film may be hot contact bonded on the surface of the metal foil 13 through the second hot melt layer 14.例文帳に追加

保護フィルムは第２ホットメルト層１４を介して金属箔１３の表面に熱圧着しても良い。 - 特許庁

A dielectric material layer 36 is arranged between the first and second conductive material layers 30, 39.例文帳に追加

第１及び第２導電材料層３０，３９の間には誘電体材料層３６が配置される。 - 特許庁

The inner core has the first velocity of degradation, and the outer layer has the second velocity of degradation.例文帳に追加

内側コアは第１の崩壊速度を有しており、外側層は第２の崩壊速度を有している。 - 特許庁

The second conductivity type diffusion layer 14b extends up to the surface portion of the first conductivity type well 5b.例文帳に追加

第２導電型拡散層１４ｂは、第１導電型ウェル５ｂの表面部にまで延伸している。 - 特許庁

The memory cell is constituted of a base plate, a stray gate, a control gate, a tunnel layer, a first dope region and a second dope region.例文帳に追加

メモリセルは、基板、浮遊ゲート、制御ゲート、トンネル層、第一ドープ領域、第二ドープ領域からなる。 - 特許庁

The liquid crystal display 100 has a liquid crystal layer 35 between first and second substrates 10 and 20.例文帳に追加

液晶表示装置１００は第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層３５を有する。 - 特許庁

A first conductive layer forms a first part and a second part, which are isolated by a gap between them.例文帳に追加

第１導電層が、その間のギャップによって分離される第１部分および第２部分を形成する。 - 特許庁

The auxiliary region is provided at a radiation start position of light at the time of accessing to the second recording layer.例文帳に追加

補助領域は、第２記録層にアクセスされるときに光の放射開始位置に設けられている。 - 特許庁

The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21 sequentially.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

The soft magnetic underlayer 13 has a first soft magnetic layer 131, a second soft magnetic layer 133 and a non-magnetic layer 132 formed between the first and the second soft magnetic layers, the first and the second soft magnetic layers are anti-ferromagnetically bonded to each other and a magnetization easy axis of the soft magnetic underlayer turns to a radial direction of the substrate.例文帳に追加

軟磁性下地層１３は、第一の軟磁性層１３１と、第二の軟磁性層１３３と第一の軟磁性層と第二の軟磁性層との間に形成された非磁性層１３２を有し、第一の軟磁性層と第二の軟磁性層とが、互いに反強磁性的に結合し、磁化容易軸が径方向を向いている。 - 特許庁

The light emitting module is laminated in an order of at least a solar cell 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting portion 2 made of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

The p-side electrode is provided in a region having the light emitting layer on the second face.例文帳に追加

前記ｐ側電極は、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられている。 - 特許庁

The surface of the second layer 19 is planarized to cause the carbon film 15 to be exposed.例文帳に追加

第２のＴａＮ層１９の表面に対して平坦化処理を行い、カーボン膜１５を露出させる。 - 特許庁

The fifth mask then defines a first via hole 720 and a second via hole passing through the flattened layer.例文帳に追加

それから、第５マスクは、平坦化層を貫通する第１ビアホール７２０と第２ビアホールを定義する。 - 特許庁

The liquid crystal device sandwiches a liquid crystal layer between a first substrate having translucency and a second substrate.例文帳に追加

液晶装置は、透光性の第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

Then a second copper foil 15 is laminated on the upper surface of the first insulating layer 14 comprising the wire bump 13.例文帳に追加

次に、ワイヤバンプ１３を含む第１の絶縁層１４の上面に第２の銅箔１５を積層する。 - 特許庁

The first and second stripline conductor layers (3, 16) are set mutually opposed via the dielectric layer.例文帳に追加

第１及び第２のストリップライン導体層（３，１６）誘電体層を介して互いに対向配置されている。 - 特許庁

At the final process, microlenses 31 are formed above the color filter 29 through the second flattened layer 30.例文帳に追加

最後に、マイクロレンズ３１をカラーフィルタ２９の上方に第２平坦化層３０を介して形成する。 - 特許庁

The contact hole 5 in a rectangular shape is arranged almost in the width-directional center of the second conductive layer 4.例文帳に追加

矩形状のコンタクトホール５は第２導電層４の幅方向の略中央に配置されている。 - 特許庁