「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(140ページ目) - Weblio英語例文検索

The photoelectric conversion device 10 includes a light absorption layer 3, a first buffer layer 4a provided on one side of the light absorption layer 3 and containing zinc, and a second buffer layer 4b provided on one side of the first buffer layer 4a and containing a group III-VI compound.例文帳に追加

光電変換装置１０は、光吸収層３と、光吸収層３の一方側に設けられた亜鉛を含む第１のバッファ層４ａと、第１のバッファ層４ａの一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２のバッファ層４ｂと、を具備する。 - 特許庁

The magnetic storage element 1 has a multilayer structure of at least a first magnetic layer 2, a nonmagnetic layer 3, a third magnetic layer 4 and a second magnetic layer 5 wherein two magnetic layers 2 and 5 having different temperature characteristics of magnetization are laid in layers via the nonmagnetic layer 3.例文帳に追加

磁気記憶素子１が少なくとも第１の磁性層２、非磁性層３、第３の磁性層４、第２の磁性層５を積層した構成であり、２つの異なる磁化の温度特性を有する磁性層２，５を非磁性層３を介して積層した構造である。 - 特許庁

A double conductor is wound around the magnetic core, the second layer of the double winding is wound back from the winding end of the first layer to the winding beginning of the first layer over the first layer, thereby, a layer short circuit occurs only when an ovecurrent flows.例文帳に追加

磁芯に導体線を二重に巻き回し、二重の巻線の二層目は、一層目の巻き終わり端から、一層目の巻き始め端の方向に巻き返して、一層目に重ねて巻き回すことで、過電流が流れた場合にのみレアショートを起こすようにする。 - 特許庁

This HEMT has an electron travelling layer 3, a continuous growth inhibition layer 5 for selectively covering it, an electron supply layer (second semiconductor layer) 6, a discontinuous growth layer 7, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a gate electrode 11.例文帳に追加

本発明に従うHEMTは、電子走行層３と、この上を選択的に覆う連続的成長阻止層５と、電子供給層（第２の半導体層）６と、不連続成長層７と、ソース電極９と、ドレイン電極１０と、ゲート電極１１とを有している。 - 特許庁

This semiconductor device is used to manufacture a semiconductor device, where a titanium layer 12 and a tantalum oxide layer 13 are formed on the surface of a first electrode layer 11, then the titanium layer 12 is oxidized, and further a second electrode layer 15 is formed for forming a capacitor.例文帳に追加

本発明は、第１の電極層１１表面にチタン層１２及びタンタルオキサイド層１３を形成した後、さらにチタン層１２の酸化を行い、さらに第２の電極層１５を形成してキャパシタを形成する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁

In the first area R1, the ink layer 51 is arranged on a surface of a vessel body 50, and the topcoat layer (the outermost layer) 52 having a surface formed smoother than the topcoat layer 52 in the second area R2, is arranged on the surface of the ink layer 51.例文帳に追加

また、第１領域Ｒ１には、容器本体５０の表面にインキ層５１が設けられ、インキ層５１の表面に上記第２領域Ｒ２におけるトップコート層５２よりも表面が平滑に形成されたトップコート層（最外層）５２が設けられている。 - 特許庁

The cyan thermal color developing layer 21 being the lowermost layer is a two-layer structure in which the first cyan thermal color developing layer 31 containing a fluorescent whitening agent and the second cyan thermal color developing layer 32 containing no fluorescent whitening agent provided successively from the substrate 11 side adjoin each other.例文帳に追加

最下層であるシアン感熱発色層２１は、支持体１１側より順に設けられた、蛍光増白剤を含む第１シアン感熱発色剤３１と蛍光増白剤を含まない第２シアン感熱発色層３２との隣接した２層構造とされる。 - 特許庁

More specifically, the layer 18 is separated by a thin layer 20 and a second insulating layer 22 thicker than it, and the layer 20 mainly contributes to a miniaturaization of the particle 14, and the layer 22 to an improvement of the insulation.例文帳に追加

すなわち、グラニュラ層１８は、薄い第１の絶縁層２０と、それよりも厚い第２の絶縁層２２によって分離される構造となっており、前記第１の絶縁層２０が主に磁性粒子１４の微細化，第２の絶縁層２２が絶縁性の向上に寄与している。 - 特許庁

The layered structure is made of a first hard magnetic substance alloy layer; a soft magnetic alloy layer formed on the first hard magnetic substance alloy layer; and a second hard magnetic substance alloy layer, formed on the soft magnetic alloy layer constituting a interchangeable spring magnet.例文帳に追加

この積層構造は、第１のハード磁性体合金層、この第１のハード磁性体合金層上に形成されたソフト磁性合金層及びこのソフト磁性合金層上に形成された第２のハード磁性体合金層から成り、交換スプリング磁石を構成する。 - 特許庁

The current diffusion layer is formed by alternately laminating a first InAlGaN layer, having an electron concentration higher than the concentration of the electrons of the n-side contact layer and a second InAlGaN layer having concentration of electrons lower than the electron concentration of the n-side contact layer.例文帳に追加

上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 - 特許庁

When the non-magnetic base layer is constituted of a first non-magnetic base layer consisting essentially of Ni and Al and a second non-magnetic base layer formed on the first non-magnetic base layer and consisting essentially of Cr, the first non-magnetic base layer contains N.例文帳に追加

非磁性下地層がＮｉ及びＡｌを主成分とする第１の非磁性下地層と、該第１の非磁性下地層の上に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の非磁性下地層から構成される場合は、第１の非磁性下地層がＮを含有する。 - 特許庁

A multilayer film A containing a first antiferromagnetic layer 12 and the fixed magnetic layer 13 is annealed in a first magnetic field while the multilayer film A is not laminated on a vertical bias layer 18 (second antiferromagnetic layer) to fix the magnetization direction of the fixed magnetic layer in a specific direction.例文帳に追加

第１反強磁性層１２及び固定磁性層１３を含む多層膜Ａを縦バイアス層１８（第２反強磁性層）を積層しない状態で、第１の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。 - 特許庁

The laminated film is formed by laminating a second layer, which is made of a biaxially oriented olefin-based film having a heat-sealing layer thereon, on at least one side of a first layer made of a biaxially oriented plastic film under the condition that the heat-sealing layer occupies the outer layer of the laminated film.例文帳に追加

二軸延伸されたプラスチックフィルムで構成された第一の層の少なくとも一方の面に、二軸延伸され、かつヒートシール層を有するオレフィン系樹脂フィルムで構成された第二の層を、ヒートシール層を外層として積層し、積層フィルムを形成する。 - 特許庁

An object region to be measured 41, which is set in a multi-layer semiconductor 21, is etched from its growth layer side, and respective portions of a capping layer 34, a middle layer 33 and a p-type second cladding layer 32 in the object region to be measured 41 are removed.例文帳に追加

多層構造半導体２１に設定される測定対象領域４１に対して成長層側からエッチングが行われ、測定対象領域４１内で、キャップ層３４、中間層３３およびｐ型第２クラッド層３２の各一部が除去される。 - 特許庁

The waterproof sound absorbing material comprises a foam layer 1 disposed on the sound source side, a first porous material layer 2a laminated on the sound source side of the foam layer 1, and a second porous material layer 2b laminated on the rigid wall 3 side of the foam layer 1.例文帳に追加

本発明の耐水吸音材は、音源側に配置される発泡体層１と、発泡体層１の音源側に積層される第１の多孔質体層２ａと、発泡体層１の剛壁３側に積層される第２の多孔質体層２ｂとを備えている。 - 特許庁

Then second mesa junction B extending the boundary between the first Al-containing compound semiconductor layer 20 and substrate 2 or to the surface of the substrate 2 are formed from the contact layer 4 toward the lower layers, and the semiconductor layer 20 is converted into an insulating layer 20a by oxidizing the layer 20.例文帳に追加

コンタクト層４から下層に向かって、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０と基板２の界面または基板２の表層に至る第２のメサＢを形成し、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０を酸化させて絶縁層２０ａに転化する。 - 特許庁

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.例文帳に追加

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

The interlayer connection layer 54 is formed of the surface of the conductor layer C1, the inner wall faces of holding holes 23 installed in the second substrate 4 and a plating layer 53 formed on the inner wall face of a recessed part 52 provided in accordance with the conductor layer C1 in the sticking layer 51.例文帳に追加

層間接続層５４は、導体層Ｃ1の表面、第２の基板４に透設された保持孔２３の内壁面、及び接着層５１において導体層Ｃ1 に対応して設けられた凹部５２の内壁面に形成されためっき層５３からなる。 - 特許庁

Furthermore, the adjustment section 254 adjusts the display position of the A-layer video image in such a way that a difference between the display positions of the A-layer contour and the B-layer contour is matched within a second allowable range on the basis of a positional relation between the A-layer contour and the B-layer contour.例文帳に追加

また、調整部２５４は、Ａ階層輪郭とＢ階層輪郭との位置関係に基づいて、Ａ階層輪郭部及びＢ階層輪郭部の表示位置の差が第２許容範囲内で一致するように、Ａ階層映像の表示位置を調整する。 - 特許庁

The acoustic material comprises a foaming body layer 1 arranged at a sound source side, a first porous body layer 2 laminated on the sound source side of the foaming body layer 1, and a second porous body layer 4 laminated on the side of a rigid wall 3 of the foaming body layer 1.例文帳に追加

本発明の吸音材は、音源側に配置される発泡体層１と、発泡体層１の音源側に積層される第１の多孔質体層２と、発泡体層１の剛壁３側に積層される第２の多孔質体層４とを備えている。 - 特許庁

The circumference of the wire main body 10 has a coating layer 5 prepared so as to cover at least the welding section 14 and the second coating layer (a tip side coating layer) 6, which is prepared on the tip side of the coating layer 5 and consists of materials differing from the coating layer 5.例文帳に追加

ワイヤ本体１０の外周には、少なくとも溶接部１４を覆うように設けられた被覆層５と、被覆層５の先端側に設けられ、被覆層５とは異なる材料で構成された第２の被覆層（先端側被覆層）６とが設けられている。 - 特許庁

This manufacturing method of a membrane-catalyst layer assembly comprises: a step for forming a first catalyst layer 2C1 on at least either of principal surfaces of the polymer electrolyte membrane 1 by spraying catalyst layer-forming ink thereto; and a step for forming a second catalyst layer 2C2 on the first catalyst layer 2C1 by transcription.例文帳に追加

高分子電解質膜１の少なくともいずれかの主面に、触媒層形成インクを噴霧して第１の触媒層２Ｃ１を形成するステップと、第１の触媒層２Ｃ１の上に転写により、第２の触媒層２Ｃ２を形成するステップと、を有する。 - 特許庁

The pneumatic tire 1 includes a carcass layer, a first belt layer 14, a second belt layer 16, a tread part reinforcement cord layer having first reinforcement cords, and a tire side part reinforcement cord layer 34 having inside reinforcement cords 30s and outside reinforcement cords 32s.例文帳に追加

本発明に係る空気入りタイヤ１は、カーカス層、第１ベルト層１４、第２ベルト層１６を備え、第１補強コードを有するトレッド部補強コード層と、内側補強コード３０ｓ、外側補強コード３２ｓを有するタイヤサイド部補強コード層３４とを備える。 - 特許庁

The auxiliary layer 22 is formed in such a manner that first warping, that may occur by bonding the piezoelectric substrate 10 and the auxiliary layer 22 if there is not the supporting layer 12, cancels second warping that may occur by bonding the piezoelectric substrate 10 and the supporting layer 12 if there is not the auxiliary layer 22.例文帳に追加

補助層２２は、支持層１２が無ければ圧電基板１０と補助層２２との接合によって生じる第１の反りが、補助層２２が無ければ圧電基板１０と支持層１２との接合によって生じる第２の反りを打ち消すように形成する。 - 特許庁

A heating body 10 has a multilayer structure, in which, starting from the upper side, a 2-ply film layer 11, a first insulating synthetic resin layer 12, a heating layer 13, a second insulating synthetic resin layer 14, and a 4-ply film layer 15, are thermo activated with a heat radiation surface facing upward.例文帳に追加

発熱体１０は、多層構造を有しており、熱放射面を上として上側より、二層フィルム層１１、第１絶縁合成樹脂層１２、発熱層１３、第２絶縁合成樹脂層１４、四層フィルム層１５を熱溶着した構造を有する。 - 特許庁

Furthermore, an n-GaAs layer 24 continuous to the collector layer is formed with same height as the emitter layer while being separated by a second insulation layer 26 formed on the side of the emitter layer thus realizing a planar structure the electrodes of collector, base and emitter are formed at same height.例文帳に追加

更にベース層の側部に形成する第２の絶縁層２６により分離されて前記コレクタ層に連なるｎ-ＧaＡs層２４を前記エミッタ層と同一高さに形成し、コレクタ、ベース、エミッタの各電極形成位置を同一高さとしたプレーナ構造を実現する。 - 特許庁

When the needle of the measuring terminal contacts the silicide layer, even if the silicide layer, which acts as a pad, is damaged by the needle pressure, the diffused layer is not damaged since a second semiconductor layer, which works as a pad electrode, exists on the diffused layer and serves as a buffer member.例文帳に追加

シリサイド層上に測定端子の針を接触させても、パッドとなるシリサイド層は針圧によって破壊されても、拡散層上にパッド電極となる第２半導体層が存在し、緩衝材として働くので拡散層が破壊されることがない。 - 特許庁

At this time, an intermediate layer 23D comprising a bonded layer of fine silver particles is formed on a plated layer 21 on a surface of the second electrode pad 15, and then a liquid repellent layer 24 including a liquid repellent material repelling the dispersion medium is laminated so as to cover the intermediate layer 23D.例文帳に追加

このとき、第２電極パッド１５の表面のメッキ層２１に銀微粒子の結合層からなる中間層２３Ｄを形成した後、中間層２３Ｄを覆うかたちに上記分散媒を撥液する撥液材料を含む撥液層２４を積層する。 - 特許庁

The suitcase 1 is formed of shells 2 composed of a laminated body 10 which has a first polycarbonate layer 11, an ink layer 12 formed by printing by gravure printing and provided on the first polycarbonate layer 11, and a second polycarbonate layer 13 formed on the ink layer 12.例文帳に追加

スーツケース１は、第１のポリカーボネイト層１１と、第１のポリカーボネイト層１１上にグラビア印刷等で印刷形成されたインク層１２と、インク層１２上に形成された第２のポリカーボネイト層１３とを有する積層体１０でシェル２が形成されている。 - 特許庁

A lower clad layer (refractive index n_1) and a core layer (refractive index n_2) are successively applied on a substrate, unnecessary portion of the core layer is removed, then a first upper clad layer (refractive index n_3) and a second upper clad layer (refractive index n_4) are successively applied to make the polymer optical waveguide.例文帳に追加

基板上に下部クラッド層（屈折率ｎ_1）、コア層（屈折率ｎ_2）を順次塗布し、コア層の不要部を除去した後、再度第１の上部クラッド層（屈折率ｎ_3）、第２の上部クラッド層（屈折率ｎ_4）を順次塗布してポリマー光導波路を作製する。 - 特許庁

The display includes organic light-emitting elements 10R, 10G, 10B having sequentially the first electrode layer 13, a lower organic layer 14, an upper organic layer 15 including a light-emitting layer, and the second electrode layer 16, on a base body 11 embedded with a drive transistor Tr1.例文帳に追加

この表示装置は、駆動トランジスタＴｒ１が埋設された基体１１の上に、第１電極層１３、下部有機層１４、発光層を含む上部有機層１５、および第２電極層１６を順に有する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備える。 - 特許庁

The resistance changing layer 22 has a laminated layer structure composed of a first layer 22A having a diffusion coefficient of the moving atoms of not more than 1.0×10^-21 m^2/s at room temperature on the lower electrode 10 side, and a second layer 22B having a diffusion coefficient different from that of the first layer 22A from the lower electrode 10 side.例文帳に追加

抵抗変化層２２は、下部電極１０側から室温における可動原子の拡散係数が１．０×１０^-21ｍ^2／ｓ以下の第１層２２Ａと第１層２２Ａとは拡散係数の異なる第２層２２Ｂとの積層構造を有する。 - 特許庁

The light-emitting apparatus includes an organic EL element 2 having a first electrode layer 18, a second electrode layer 22, and a light-emitting functional layer 20 disposed between these electrode layers; a reflective layer 12 reflecting the light emitted from the light-emitting functional layer back to it; and the like.例文帳に追加

発光装置は、第１電極層１８、第２電極層２２、並びに、これらの間に配置された発光機能層２０を有する有機ＥＬ素子２や、前記発光機能層で発せられた光を該発光機能層に向けて反射する反射層１２等を備える。 - 特許庁

A first dielectric layer 2, a phase change recording layer 3, a second dielectric layer 4, a reflective layer 5, and an overcoat layer 6 are laminated on one main surface of a substrate SUB 1 having a groove G, a land L and a land prepit LP to form a DVD-RW disk 1.例文帳に追加

グルーブＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰを有する基板ＳＵＢ１の一主面に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４、反射層５、オーバーコート層６を積層しＤＶＤ−ＲＷディスク１を形成する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers include a four-layered wiring part in which a power supply layer L4, a ground layer L3, a first signal wiring layer L2 and a second signal wiring layer L1 are sequentially arranged via an insulation layer in each interlayer from one side to another side in a lamination direction.例文帳に追加

複数の配線層は、積層方向の一方側から他方側に向かって順に、電源層Ｌ４、グランド層Ｌ３、第１信号配線層Ｌ２、第２信号配線層Ｌ１の４層を層間に絶縁層を介して配置させた４層配線部を有する。 - 特許庁

A second conductive type first semiconductor region 6 is provided on the surface of the second semiconductor layer except for a portion covered by the second control electrode, and a first conductive type second semiconductor region 7 separated from the surface of the second semiconductor layer covered by the second control electrode is selectively provided on the surface of the first semiconductor region.例文帳に追加

第２の制御電極に覆われた部分を除く第２の半導体層の表面には、第２導電形の第１の半導体領域６が設けられ、第１の半導体領域の表面には、第２の制御電極に覆われた第２の半導体層の表面から離間した第１導電形の第２の半導体領域７が選択的に設けられている。 - 特許庁

A second layer 201 of sheet material also has a second base portion and a plurality of second raised portions extending from the second base portion and defining a corresponding plurality of second openings through the sheet material.例文帳に追加

シート物質の第２の層２０１は、第２のベース部分、および第２のベース部分から延びる複数の第２の突起部分であって、対応するシート物質を通る複数の第２の開口部を画定する突起部分を有するシート物質の第２の層２０１を含む。 - 特許庁

There are provided the superconductive wire including a metal substrate, an intermediate layer disposed on the metal substrate, a superconductive layer disposed on the intermediate layer, a first silver stabilization layer disposed on the superconductive layer, and a second silver stabilization layer covering at least part of the outer surface of a laminate including the metal substrate, intermediate layer, superconductive layer and first silver stabilization layer; and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

金属基板と、金属基板上に設置された中間層と、中間層上に設置された超電導層と、超電導層上に設置された第１の銀安定化層と、金属基板と中間層と超電導層と第１の銀安定化層とを含む積層体の外表面の少なくとも一部を覆う第２の銀安定化層とを備えた超電導線材とその製造方法である。 - 特許庁

A shading aluminum-vapor-deposited layer 3 is laminated on one side of a uniaxially or biaxially oriented polyethylene terephthalate film layer 1 through an anchor coat layer 2 for metal vapor deposition, the first polyethylene film layer 5 is laminated on the layer 1 through an anchor coat layer 4, and a thin paper layer 7 is laminated on the layer 3 through the second polyethylene film layer 6.例文帳に追加

一軸若しくは二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム層１の片面に金属蒸着用アンカーコート層２を介して遮光性アルミ蒸着層３が積層され、前記延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム層１上にアンカーコート層４を介して第１のエチレン系フィルム層５が積層され、前記遮光性アルミ蒸着層３上に第２のエチレン系フィルム層６を介して薄紙層７が積層されている。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises: a first electrode layer 1 having light transmittance; an electron transportation/charge separation layer 2 formed on the first electrode layer; a charge amplification layer 5 contacting the layer 2 and containing at least a potential gradient type dendrimer; an electrolyte layer 3 contacting the layer 5 and containing at least oxidation-reduction species; and a second electrode layer 4 contacting the electrolyte layer 3.例文帳に追加

光透過性を有する第一の電極層（１）と、第一の電極層上に形成された電子輸送・電荷分離層（２）と、電子輸送・電荷分離層（２）と接し、少なくとも電位傾斜型デンドリマーを含有する電荷増幅層（５）と、電荷増幅層（５）と接し、少なくとも酸化還元種を含有する電解質層（３）と、電解質層（３）と接する第二の電極層（４）を有する光電変換素子とする。 - 特許庁

The semiconductor includes a first semiconductor crystal layer 11 and a second semiconductor crystal layer 16, wherein the second semiconductor crystal layer 16 is formed covering a part of one surface side of the first semiconductor crystal layer 11, which is constituted so that surface density of crystal defects at a part 11A which is covered with the second semiconductor crystal layer 16 is higher than that at a part 11B which is not covered with the second semiconductor crystal layer 16.例文帳に追加

本発明の半導体は、 第一の半導体結晶層１１と、第二の半導体結晶層１６とを含み、 前記第二の半導体結晶層１６は、前記第一の半導体結晶層１１の片面側の一部を覆うように形成されており、 前記第一の半導体結晶層１１は、前記第二の半導体結晶層１６で覆われている部分１１Ａが、前記第二の半導体結晶層１６で覆われていない部分１１Ｂよりも結晶欠陥の面密度が高いことを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first MOS structure includes a first gate dielectric arranged on a substrate, a first work function metal layer formed on the first gate dielectric, and a first silicide arranged on the first work function metal layer; and a second MOS structure includes a second gate dielectric arranged on the substrate, a second work function metal layer formed on the second gate dielectric, and a second silicide arranged on the second work function metal layer.例文帳に追加

半導体デバイスであって、第１MOS構造は、基板上に配置された第１ゲート誘電体、前記第１ゲート誘電体上に配置された第１仕事関数金属層、および前記第１仕事関数金属層上に配置された第１ケイ化物を含み、且つ第２MOS構造は、前記基板上に配置された第２ゲート誘電体、前記第２ゲート誘電体上に配置された第２仕事関数金属層、および前記第２仕事関数金属層上に配置された第２ケイ化物を含む半導体デバイス。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor 1 is provided comprising a first electrode 4 formed on a semiconductor substrate, a first ferroelectrics layer 6 formed on the first electrode, a second electrode 8 formed on the first ferroelectrics layer, a second ferroelectrics layer 10 formed on the second electrode, and a third electrode 12 formed on the second ferroelectrics layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の電極４と、この第１の電極上に形成された第１の強誘電体層６と、この第１の強誘電体層上に形成された第２の電極８と、この第２の電極上に形成された第２の強誘電体層１０と、この第２の強誘電体層上に形成された第３の電極１２とを有する強誘電体キャパシタ１を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The thickness of the oxide layer in the first zone is larger than that of the oxide layer in the second zone, the thickness of the oxide layer in a transition region 108 between the first and second zones gradually decreases from the first zone toward the second zone, and a p-n junction part 114 between the first and second regions terminates at the trench adjacent to the transition region of the oxide layer.例文帳に追加

第１の区域における酸化物層の厚さは第２の区域における酸化物層の厚さよりも厚く、第１及び第２区域の間の遷移領域１０８における酸化物層の厚さは、第１の区域から第２の区域へと徐々に薄くなり、第１の領域と第２の領域との間のＰＮ接合部１１４は、酸化物層の遷移領域に隣接したトレンチで終端をなす。 - 特許庁