「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(138ページ目) - Weblio英語例文検索

Since exhaust gas of which temperature is raised by reaction heat by the oxidation catalyst 3 directly flows in the second layer 24, PM captured by the second layer is efficiently oxidized by the oxidation catalyst 3.例文帳に追加

酸化触媒３による反応熱で温度が上昇した排ガスが第２層24に直接流入するので、第２層24に捕集されたＰＭが酸化触媒３によって効率よく酸化される。 - 特許庁

The growth substrate 12 is removed and a second electrode is deposited on the epitaxial layer 14 with the epitaxial layer 14 sandwiched between the first metal electrode 16 and the second metal electrode.例文帳に追加

成長基板１２を除去し、第２の電極をエピタキシャル層１４上に堆積させて、エピタキシャル層１４が第１の金属電極１６と第２の金属電極の間には挟まれるようにする。 - 特許庁

The capacitor comprises a lower electrode 203, a second dielectric layer 204, and an upper electrode 205 having a part formed on the lower electrode 203 through the second dielectric layer 204.例文帳に追加

キャパシタ２５０は、下部電極２０３と、第２の誘電体層２０４と、下部電極２０３上に第２の誘電体層２０４を介在させて形成された部分を有する上部電極２０５とを含む。 - 特許庁

The functional particle group 130 includes a first particle 131 having an inorganic particle 111 and a first layer 113, and a second particle 121 having the inorganic particle 111 and a second layer 123.例文帳に追加

機能性粒子群１３０は、無機粒子１１１および第一の層１１３を有する第一の粒子１３１と、無機粒子１１１および第二の層１２３を有する第二の粒子１２１と、を含む。 - 特許庁

The first semiconductor diffusion layer reaches to a second position from the top surface of the semiconductor layer located among the plurality of trenches and has a third impurity concentration lower than the second impurity concentration.例文帳に追加

第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。 - 特許庁

To provide a label printer suitable for opposing the pressure-sensitive adhesive layer of a first label and the pressure-sensitive adhesive layer of a second label to each other to laminate and bond both labels so as to conceal the data printed on the second label.例文帳に追加

第１のラベルの粘着剤層に第２のラベルの粘着剤層を向き合わせて積層し、第２のラベルに印字された情報を隠蔽して貼付することに適したラベルプリンタを提供すること。 - 特許庁

In such a constitution, the first wiring layer 8 is electrically connected to the second wiring layer 12 through the intermediary of the second conductor plug 11 in contact therewith as well as to the gate electrode 4 through the intermediary of the first conductor plug 7.例文帳に追加

第１配線層８は、それと接触する第２導電体プラグ１１を介して電気的に接続され、さらに第１導電体プラグ７を介してゲート電極４に電気的に接続される。 - 特許庁

A third interlayer insulating film 23 is arranged to cover a second wiring layer 10, and a plurality of contact parts 12 that reach the second wiring layer 10 through the third interlayer insulating film 23 are arranged.例文帳に追加

第２配線層１０を覆うように第３層間絶縁膜２３が配設され、第３層間絶縁膜２３を貫通して、第２配線層１０に達する複数のコンタクト部１２が配設されている。 - 特許庁

The superposed winding portions include a second layer conductor 83a and a third layer conductor 83b separated by a second pitch, a U-shape bent portion 85, and a pair of jointing side ends 87a and 87b of with the ends open.例文帳に追加

重ね巻部は第２ピッチ離れた第２層導体８３ａ及び第３層導体８３ｂと、Ｕ字状曲げ部８５と、先端が閉じた一対の接合側端部８７ａ及び８７ｂとを含む。 - 特許庁

Thus, since the outer surface on the side of the third soil layer 33 of the second sheet body 24 is turned to an uneven state and frictional resistance to the third soil layer 33 increases, the second sheet body 24 is not easily moved.例文帳に追加

従って、第２シート体２４の第３土層３３側の外面が凹凸状態となり、第３土層３３に対する摩擦抵抗が増大するため、第２シート体２４が移動し難くなる。 - 特許庁

The second layer lies between the first and second layers and has a total light transmissivity of 30-90% which is higher than that of the first layer, a haze of ≥80% which is lower than that of the first layer and a thickness of 1-3 mm.例文帳に追加

第２層：第１層と第３層との間に存在し、全光線透過率が３０〜９０％であり、かつ第１層の全光線透過率より高く、ヘイズが８０％以上であり、かつ第１層のヘイズより低く、厚みが１〜３ｍｍである層。 - 特許庁

A transducer element for ultrasound transmission comprises a first active transducer layer 73 connected to a first transmitter, and a second active transducer layer 77 laminated to the first transducer layer 73 and connected to a second transmitter.例文帳に追加

超音波送信のための変換器素子（６５）は、第１の送信器に接続された第１の活性変換器層（７３）と、第１の変換器層（７３）に積層され且つ第２の送信器に接続された第２の活性変換器層（７７）とを具備する。 - 特許庁

A double treatment technology to manufacture a device that includes the execution of a first patterning step for forming an opening in a resist layer, then the opening is filled before a first resist layer is exfoliated and is replaced with a second resist layer used for a second exposure is disclosed.例文帳に追加

レジスト層に開口を形成する第一パターニングステップを実行することを含み、第一レジスト層が剥離され、第二露光に使用される第二レジスト層で置換される前に、開口が充填される、デバイス製造の二重処理技術が開示される。 - 特許庁

Moreover, the impurity density of the fourth semiconductor layer 107 is configured to be greater than that of the second region 106, and the impurity density of the second semiconductor layer 103 is configured to be greater than that of the first region 105 and smaller than that of the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

さらに、第４半導体層１０７の不純物濃度を第２領域１０６以上にするとともに、第２半導体層１０３の不純物濃度を第１領域１０５以上にし、第１半導体層１０２よりも小さく設定する。 - 特許庁

Further, the light emitting device has a sealing member 5 which is bonded to the second light-transmissive layer 4 and has a higher refractive index than the first light-transmissive layer 3 and second light-transmissive layer 4.例文帳に追加

また、本発明の他の実施形態にかかる発光装置は、前記第２透光性層４と接合され、前記第１透光性層３及び前記第２透光性層４よりも高い屈折率を有する封止部材５を有することを特徴とする。 - 特許庁

Source images of a second layer 34 and a third layer 36 in layered data 139 in which images are represented with different resolutions are read out respectively (S20, S22), some of tile images in a second layer image 34b are compressed normally (S24).例文帳に追加

画像を異なる階層度で表した階層データ１３９における第２階層３４および第３階層３６の原画像をそれぞれ読み出し（Ｓ２０、Ｓ２２）、第２階層画像３４ｂのタイル画像のいくつかを通常通り圧縮する（Ｓ２４）。 - 特許庁

Based on the result of the scanning operation that the scan sensing circuit performs over the respective conductive strips of the second conductive layer, at least one touch location can be detected on each conductive strip of the second conductive layer with respect to each conductive strip of the first conductive layer.例文帳に追加

第二導電層の各々の導電ストリップに対する走査感知回路の走査により、第二導電層の各々の導電ストリップが第一導電層の第一導電ストリップにおいて対応する少なくとも一つの押圧位置を検出する。 - 特許庁

A second light controlling layer 45 is a light controlling layer generating the change between a light transmission state and a light absorption state and a guest-host liquid crystal having such strong points that luminous display can be performed without using a polarizing plate and that a visual field angle is wide is the best material for the second light control layer.例文帳に追加

第２の調光層４５は光透過−光吸収変化を起こす調光層であり、偏光板を使用しないで明るい表示ができ、視野角が広い、等の長所を有するゲスト・ホスト型液晶が最適である。 - 特許庁

The core material is composed of at least one dielectric core layer including first and second surfaces, and a plurality of conducting cylinders connected to the first and second surfaces of the dielectric core layer through the dielectric core layer.例文帳に追加

このコア材は、第１表面と第２表面を有する少なくとも１つの誘電体コア層と、誘電体コア層を貫通して誘電体コア層の第１表面と第２表面に接続される複数の導電性柱状体とでなる。 - 特許庁

The continuous channel 54 has a plurality of cycle segments, each of the cycle segments comprises a first portion 58 disposed within the first layer 18, a second portion 62 disposed within the third layer 22, and a third portion 66 disposed within the second layer 20.例文帳に追加

連続チャネル５４は、複数のサイクル区間を有し、各サイクル区間は、第１の層１８内に配置された第１の区間５８と、第３の層２２内に配置された第２の区間６２と、第２の層２０内に配置された第３の区間６６とを含む。 - 特許庁

A transducer element 65 for ultrasound reception comprises a first active transducer layer 73 connected to a first receiver, and a second active transducer layer 77 laminated to the first active transducer layer 73 and connected to a second receiver.例文帳に追加

超音波受信のための変換器素子（６５）は、第１の受信器に接続された第１の活性変換器層（７３）と、第１の活性変換器層（７３）に積層され且つ第２の受信器に接続された第２の活性変換器層（７７）とを具備する。 - 特許庁

Then a BJT forming part B and a collector layer surface of the HBT are exposed, a second insulating film 23 covers the base layer 30 of the BJT and an SiGe layer of the base forming part of the HBT, and the second insulation film 23 for the other parts is removed.例文帳に追加

次にＢＪＴ形成部分Ｂ及びＨＢＴのコレクタ層表面部を露出、第２絶縁膜２３でＢＪＴのベース層３０及びＨＢＴのベース形成部分のＳｉＧｅ層を覆い、それ以外の第２絶縁膜２３を除去。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 1; a plurality of first base layers 3, a plurality of second base layers 5, a first clad layer 6, an active layer 7, and a second clad layer 8 are epitaxially grown on the first main surface MP1 of a GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加

半導体レーザー素子１は、ＧａＡｓ基板２の第一主表面ＭＰ１上に、複数の第一ベース層３、複数の第二ベース層５、第一クラッド層６、活性層７及び第二クラッド層８とがこの順序にてエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

Next, a second polysilicon layer 110 is formed on the upper side whole surface including the island-type laminate 108 of the first principal surface 101 to connect the first polysilicon layer 104a and a second polysilicon layer 110, through the side wall of the island-type laminate 108.例文帳に追加

次に、第１主面１０１の島状積層体１０８を含む上側全面に第２ポリシリコン層１１０を形成して、島状積層体１０８の側壁で第１ポリシリコン層１０４ａと第２ポリシリコン層１１０とを接合させる。 - 特許庁

The first electrode includes a first contact electrode portion contacting the first semiconductor layer exposed by selectivity removing the second semiconductor layer and the light-emitting portion, on a primary surface of the stacked structure at the second semiconductor layer side.例文帳に追加

第１電極は、前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面において、前記第２半導体層及び前記発光部が選択的に除去されて露出した前記第１半導体層に接する第１コンタクト電極部を含む。 - 特許庁

In this skin material molding die 1, a second grain layer 3 for which a finer aluminum grid is fixed with an epoxy resin is formed on a first grain layer 2 for which the aluminum grid is fixed with the epoxy resin, and a resin sheet 4 on which a wrinkle pattern is formed is bonded to the top of the second grain layer 3.例文帳に追加

表皮材成形型１は、アルミグリッドをエポキシ樹脂で固めた第１粒層２上に、より細かいアルミグリッドをエポキシ樹脂で固めた第２粒層３を形成し、この上にシボ模様が形成された樹脂シート４が接合されている。 - 特許庁

In the packaging substrate 2, a joining section with the first metal layer 19 for electric connection in the second metal layer 29 for electric connection is displaced from a joining section with the through-hole wiring 24 in the second metal layer 29 for electric connection.例文帳に追加

パッケージ用基板２は、第２の電気接続用金属層２９における第１の電気接続用金属層１９との接合部位を、当該第２の電気接続用金属層２９における貫通孔配線２４との接続部位からずらしてある。 - 特許庁

A device includes an electrically conductive plate 110 on a top surface of a first insulating layer 105; a second insulating layer 130 on a top surface of the conductive plate 110; and conductive nanotubes 180 suspended across an opening 135 in the second insulating layer 130.例文帳に追加

第１の絶縁層１０５の上面の導電性プレート１１０と、前記導電性プレート１１０の上面の第２の絶縁層１３０と、第２の絶縁層１３０の開口１３５に掛けわたされた導電性ナノチューブ１８０を有する。 - 特許庁

Two outer fabric layers 16, 17 of the panel are connected to each other via an intermediate layer or third layers 18, 19 and ranges from a first region joined to a first outer layer to a second region joined to a second outer layer 17.例文帳に追加

このパネルが有する二つのアウター織物層１６，１７は、中間層又は第３の層１８，１９により連結され、第１のアウター層１６に合流する第１の領域から、第２のアウター層１７に合流する第２の領域へ達している。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 has first and second magnetic layers L1 and L2 of which the relative angle formed by a magnetization direction with respect to an external magnetic field changes, and a spacer layer 16 which is located between the first magnetic layer L1 and the second magnetic layer L2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。 - 特許庁

In simultaneously forming the first light-shielding layer 51 and the second light-shielding layer 52 by a light-shieldable resin applied by a spin coating method, the film thickness of the light-shieldable resin is set, based on the optical thickness required for the second light-shielding layer 52.例文帳に追加

第１の遮光層５１および第２の遮光層５２をスピンコート法により塗布した遮光性樹脂により同時形成するにあたって、遮光性樹脂の膜厚は、第２の遮光層５２に要求される光学濃度に基づいて設定する。 - 特許庁

The transfer material comprises a first metal layer 101 as a carrier, a second metal layer 103 to be transferred to the board as the wiring pattern, and a release layer 102 for releasably laminating the first and second metal layers of at least three layers.例文帳に追加

キャリアとしての第１の金属層１０１と、配線パターンとして基板へ転写される第２の金属層１０３と、第１および第２の金属層を剥離可能に貼り合わせる剥離層１０２との少なくとも３層を有する転写材である。 - 特許庁

A positive hole injection layer 14 is arranged in a region surrounded by the first liquid-repellent region 22a, out of on the positive hole injection layer 14 and on the second bank 22, the light-emitting layer 15 is arranged in the region surrounded by the second liquid-repellent region 22c.例文帳に追加

第１撥液領域２２ａに囲まれた領域には正孔注入層１４が配置され、正孔注入層１４上及び第２バンク２２上のうち、第２撥液領域２２ｃに囲まれた領域には発光層１５が配置されている。 - 特許庁

A seal layer 4 is disposed on peripheral parts of the first and second substrates 1, 2 and a liquid crystal layer 3 is filled between the first and second substrates 1, 2 which are tightly sealed with the seal layer 4 and an end-sealing material drawn into an injection port.例文帳に追加

これらの第１基板１と第２基板２の周縁部にはシール層４が設けられ、シール層４および注入口に引き込んだ封止剤で密封された第１基板１−第２基板２間に液晶層３が充填されている。 - 特許庁

A liquid crystal device is of an in-plane switching type which has a liquid crystal layer held between first and second substrates, wherein a conductive layer is provided on an external surface of the second substrate and at least a portion of the conductive layer is covered with a polarizer.例文帳に追加

液晶装置は、第１及び第２の基板の間に液晶層が挟持された横電界方式であり、第２の基板の外面上には導電層が設けられ、導電層の少なくとも一部は偏光板により覆われている。 - 特許庁

The multi-layer laminated film 12 is formed by laminating alternately in total eleven layers or more a first layer 12a made of a first resin film and a second layer 12b made of a second resin film having a different refractive index from the first resin film.例文帳に追加

多層積層フィルム１２は、第１の樹脂フィルムからなる第１の層１２ａと、前記第１の樹脂フィルムとは異なる屈折率を有する第２の樹脂フィルムからなる第２の層１２ｂとを合計１１層以上交互に積層してなる。 - 特許庁

The thickness of the first portion along the stacking direction toward a top surface of the active layer from the top surface of the first semiconductor layer is thicker than that of the second portion along a first direction toward the side surfaces of the second portion from the side surfaces of the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１部分の、第１半導体層の上面から活性層の上面に向かう積層方向に沿う厚さは、第２部分の、第１半導体層の側面から第２部分の側面に向かう第１方向に沿う厚さよりも厚い。 - 特許庁

The rocking part 10, the frame 21 and the torsion connection part 22 are formed as a unit from a material substrate having a laminated structure composed of a first conductive layer, a second conductive layer and an insulation layer between the first and the second conductive layers.例文帳に追加

これら揺動部１０、フレーム２１、および捩れ連結部２２は、第１導体層、第２導体層、並びに当該第１および第２導体層の間の絶縁層、からなる積層構造を有する材料基板から一体的に成形されたものである。 - 特許庁

By using this method, asymmetry in the edge shape of the resist patterning-formed second layer pattern 12 is moderated, which enables a highly accurate measurement of the overlap accuracy calculated by sensing the edge positions of the first layer pattern 11 and the second layer pattern 12.例文帳に追加

これにより、レジストパターンで形成される第２層パターン１２のエッジ形状の非対称性が緩和され、第１層パターン１１と第２層パターン１２のエッジ位置を検出して算出する重ね合わせ精度を高精度に測定できる。 - 特許庁

In the optical information recording medium 60, at least a light transmission layer 10, a first information recording layer 20, a first substrate 30, a second information recording layer 40 and a second substrate 50 are layered in this order from a reproducing light incident surface side.例文帳に追加

光情報記録媒体６０は、再生光入射面側から、透光層１０と、第１情報記録層２０と、第１基板３０と、第２情報記録層４０と、第２基板５０とが少なくともこの順に積層されている。 - 特許庁

The part of the second semiconductor layer 19 held between the gate Schottky electrode 17 and the channel layer 13 constitutes a semiconductor ridge 15 which is thicker than the part of the second semiconductor layer 19 which represents both outsides of the gate Schottky electrode 17.例文帳に追加

第２半導体層１９のうちゲートショットキ電極１７とチャネル層１３との間に挟まれた部分は、第２半導体層１９のうちゲートショットキ電極１７の両外側に相当する部分よりも厚い半導体リッジ部１５を構成している。 - 特許庁

The wafer causes the amorphous layer to change into a second layer 16 of the single crystal semiconductor material, and further the second layer 16 is heated under conditions effective to combine the zone of the single crystal semiconductor material damaged into one, and forms an intrinsic gettering zone 17.例文帳に追加

そのウエハは、アモルファス層を単結晶半導体材料の第二の層１６へ変換させ、さらに損傷を受けた単結晶半導体材料のゾーンを合体させるのに効果的な条件下で加熱され、イントリンシックゲッタリングゾーン１７が形成する。 - 特許庁

An MOS device includes: a semiconductor layer of a first conductivity type; a source region of a second conductivity type formed in the semiconductor layer; and a drain region of the second conductivity type formed in the semiconductor layer and spaced apart from the source region.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスは、第１の導電型の半導体層と、この半導体層内に形成された第２の導電型のソース領域と、この半導体層内に形成され、かつソース領域から離隔された第２の導電型のドレイン領域とを含む。 - 特許庁

The piezoelectric actuator includes a first electrode, a piezoelectric layer formed on the top of the first electrode, a second electrode formed on the top of the piezoelectric layer, and a connecting layer formed on the top of the second electrode and connected to the top of the movable signal line.例文帳に追加

圧電アクチュエータは、第１電極と、第１電極の上面に形成された圧電層と、圧電層の上面に形成された第２電極と、第２電極の上面に形成され可動信号ラインの上面に連結された連結層と、を含む。 - 特許庁

An oxide film 5 containing at least any of aluminium and yttrium covers the second semiconductor layer 3 exposed on the sidewalls of a trench that penetrates through the second semiconductor layer 3 and reaches the inside of the first semiconductor layer 2.例文帳に追加

アルミニウム及びイットリウムの少なくともいずれかを含んだ酸化膜５が、前記第２の半導体層３を貫通して前記第１の半導体層２の内部に達するトレンチの側壁に露出した前記第２の半導体層３上を被覆する。 - 特許庁