「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

The color filter substrate is equipped with a second inner polarizing layer formed on the pixel region and contains the liquid crystal layer in combination with the array substrate.例文帳に追加

カラーフィルター基板は、画素領域に形成された第２インナー偏光子層を具備し、アレイ基板との合体を通じて液晶層を収容する。 - 特許庁

The device has a high resistance layer 6b which is formed by ion implantation of V(vanadium) between a second gate region 6 and a channel layer 4.例文帳に追加

第２ゲート領域６とチャネル層４との間に、Ｖ（バナジウム）をイオン注入することによって形成した高抵抗層６ｂを備える。 - 特許庁

Further, the coefficients of thermal expansion are made greater in the order of the substrate 12, the first insulating layer 16 and the second insulating layer 18.例文帳に追加

さらに、基板１２、第１の絶縁層１６及び第２の絶縁層１８の順にその熱膨脹係数が大きくなるように構成した。 - 特許庁

The first computing system establishes data link layer connection with the second computing system by using specific underlying data link and physical layer protocols.例文帳に追加

第１のコンピューティングシステムは、第２のコンピューティングシステムとのデータリンク層接続を、特定のデータリンク層および物理層プロトコルを使用して確立する。 - 特許庁

Thirdly, a part of the second nitride gallium layer 6 is etched up to such a depth as to expose a projection 4a of the first nitride gallium layer 4 to form a recess.例文帳に追加

次に第２の窒化ガリウム層６の一部を第１の窒化ガリウム層４の凸部４ａが露出する深さまでエッチングして凹部を形成する。 - 特許庁

The second dielectric layer 12 has a dielectric constant ε1 relatively higher than the dielectric constant ε2 of the first dielectric layer 11.例文帳に追加

第２の誘電体層１２は、第１の誘電体層１１の誘電率ε２よりも、相対的に高い誘電率ε１を有している。 - 特許庁

First conductivity type semiconductor layers (4, 3), the active layer (2) and a second conductivity type semiconductor layer (1) are laminated epitaxial sequentially on a substrate (5).例文帳に追加

基板（５）上に、第１導電型半導体層（４、３）、活性層（２）、および第２導電型半導体層（１）をエピタキシャルに順次積層する。 - 特許庁

A first region 17a and a second region 17b of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 are arranged along the active layer 15.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａおよび第２の領域１７ｂは活性層１５に沿って配置される。 - 特許庁

After hardening and flattening the paste 7, a plated covering layer 8 which covers the second layer 4 and carbon paste 7 is formed by electroless plating and electroplating.例文帳に追加

硬化および平坦化してから，第２層４およびカーボンペースト７を覆うふためっき８を無電解めっきおよび電気めっきで形成する。 - 特許庁

This organic EL device is provided with a functional layer 5 having at least the luminescent layer 9 between a first electrode 3 and a second electrode 4.例文帳に追加

第１の電極３と第２の電極４との間に、少なくとも発光層９を有した機能層５を備えた有機ＥＬ装置１である。 - 特許庁

In a region on the first insulating layer 41 on both sides of the wiring patterns W1a and W2a, a second insulating layer 42 is formed.例文帳に追加

配線パターンＷ１ａ，Ｗ２ａの両側における第１の絶縁層４１上の領域には、第２の絶縁層４２が形成されている。 - 特許庁

The second electrode is stacked across the first electrode 164 and an insulation layer and is disposed on a side opposite to the liquid crystal layer of the first electrode.例文帳に追加

第二電極は、第一電極１６４と絶縁層を介して積層され、第一電極の液晶層と反対側に設けられている。 - 特許庁

An organic EL layer 19 is formed in a state of being perpendicular to the first electrode 16 and a second electrode 20 is formed on the organic EL layer 19.例文帳に追加

第１電極16と直交する状態で有機ＥＬ層19が形成され、有機ＥＬ層19上に第２電極20が形成されている。 - 特許庁

Further, two identical stencil masks are manufactured by removing the remaining first silicon oxide layer 4 and second silicon oxide layer 10 through wet etching.例文帳に追加

次に、残存している第１酸化シリコン層４と第２酸化シリコン層１０をウェットエッチングして除去し、２枚の同一のステンシルマスクを製造する。 - 特許庁

The silicon crystal layer has a second thickness, thinner than the first thickness, before the formation of the nitride semiconductor crystal layer.例文帳に追加

前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。 - 特許庁

A gate is formed above the epitaxial layer proximate the upper surface of the epitaxial layer and at least partially between the first and second source/drain regions.例文帳に追加

ゲートは、エピタキシャル層の上でその上面に近接して、少なくとも部分的に第１および第２ソース／ドレイン領域の間に形成される。 - 特許庁

Besides a direction forming 90° angle with the initial alignment direction of the first alignment layer 9Aa is made to be the initial alignment direction of the second alignment layer 9Ab.例文帳に追加

そして、第１配向層９Ａａの初期配向方位と９０度をなす角度を第２配向層９Ａｂの初期配向方位とする。 - 特許庁

The first protection layer 13A is formed, for example, by the PVD method, and the second protection layer 13B is formed, for example, by the CVD method.例文帳に追加

第１の保護層１３Ａは例えばＰＶＤ法により形成され、第２の保護層１３Ｂは例えばＣＶＤ法により形成される。 - 特許庁

Light confinement of the element can be improved by making a refractive index of a first layer smaller than that of second layers 26, 31 inside a clad layer.例文帳に追加

また、クラッド層内の第１の層２６、３１よりも屈折率の小さい第１の層とすることで光の閉込めに優れた素子とできる。 - 特許庁

Also, the second wiring layer 8 and the leading-out wiring layer 10A are electrically coupled by a fourth connection part 9B in the contact region.例文帳に追加

また、第２配線層８と引出配線層１０Ａとは、コンタクト領域において、第４接続部９Ｂにより電気的に連結されている。 - 特許庁

The second heat-sensitive tape 32 is a long tape having a color-developing layer that develops a color when its temperature falls within a temperature range different from that of the black color-developing layer.例文帳に追加

第二感熱テープ３２は、黒色発色層とは異なる温度範囲で発色する発色層を備える長尺状のテープである。 - 特許庁

The first transistor 100 is formed in an upper part of a semiconductor layer 20 in the first region 100A, and has a first gate insulating layer 24 composed of a dielectric having a dielectric constant larger than that of silicon oxide, while the second transistor 200 is formed in an upper part of a semiconductor layer 40 in the second region 200A and has a second gate insulating layer 44 composed of silicon oxide.例文帳に追加

前記第１トランジスタ１００は、前記第１領域１００Ａの半導体層２０の上方に形成され、酸化シリコンより誘電率が大きい誘電体からなる第１ゲート絶縁層２４を有し、第２領域２００Ａの半導体層４０の上方に形成され、酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁層４４を有する。 - 特許庁

The second ceramic layers 21-25 and 31-35 in the external layer portions 20, 30 are stacked so that a component quantity ratio of the glass component of the second ceramic layer to the quantity of main component of the second ceramic layer becomes large from the internal layer side 10 toward the surfaces 20a, 30a of the external layers 20, 30.例文帳に追加

外層部２０、３０それぞれにおいて、第２のセラミック層２１〜２５、３１〜３５は、内層部１０側から各外層部２０、３０の表面２０ａ、３０ａ側に向かうに従って、第２のセラミック層の主成分の量に対する当該第２のセラミック層のガラス成分の量の成分量比が大きくなるように積層されている。 - 特許庁

In the light-sensitive sheet comprising a support, a first light-sensitive layer and a second light-sensitive layer in this order, wherein each of the first and second light-sensitive layers independently contains a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, sensitivity is regulated so that the sensitivity of the second light-sensitive layer to light is made higher than that of the first light-sensitive layer.例文帳に追加

支持体、第一感光層、そして第二感光層をこの順で有し、第一感光層および第二感光層が、それぞれ独立に、バインダー、重合性化合物および光重合開始剤を含む感光性シートにおいて、第二感光層の光感度が第一感光層の光感度よりも高くなるように感度を調節する。 - 特許庁

The polycrystalline thin film has an interlayer 25 formed by laminating a first layer 23 and a second layer 24 sequentially on a metal base 21, wherein the crystal structure of the first and second layers 23, 24 is a rock salt structure and a fluorite structure, respectively, and the orientation axis of the first layer 23 and the second layer 24 are the same and both with <100> orientation.例文帳に追加

本発明は、金属基材２１上に順に、第一層２３と第二層２４を積層してなる中間層２５をなし、前記第一層２３と前記第二層２４の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であり、前記第一層２３と前記第二層２４の配向軸が同じであり何れも＜１００＞配向していることを特徴とする。 - 特許庁

The present invention provides a cable that comprises a signal line 1, a first dielectric layer 2 covering the circumference of the signal line 1, a first conductor 3 covering the circumference of the first dielectric layer 2, a second dielectric layer covering the circumference of the first conductor 3, and a second conductor 5 having an island-like conductor partially covering the circumference of the second dielectric layer.例文帳に追加

本発明では、信号線１と、信号線１の外周を覆う第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２の外周を覆う第１の導体３と、第１の導体３の外周を覆う第２の誘電体層と、第２の誘電体層の外周を部分的に覆う島状導体を有する第２の導体５と、を有するケーブルを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくとも第１の導電膜、絶縁膜、半導体層、第２の導電膜および第３の導電膜（または反射膜）を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法において、第２の導電膜、半導体層および絶縁膜を１回の写真製版工程でパターニングするとともに、第２の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁

Alternatively, a coating liquid containing a thermosetting resin is applied on the first functional layer of the processed body, the resulting coating film is heated to form a second functional layer containing a cured product of the thermosetting resin, and the second functional layer after the heating is cooled in such a way that the temperature drop rate of the conductive support becomes lower than that of the second functional layer.例文帳に追加

あるいは、被処理体の第１の機能層上に熱硬化性樹脂を含有する塗布液を塗布し、その塗膜を加熱して熱硬化性樹脂の硬化物を含む第２の機能層を形成し、加熱後の第２の機能層を、導電性支持体の降温速度が第２の機能層の降温速度よりも小さくなるように冷却する。 - 特許庁

This acceleration value and voltage measuring device has a conductive plate on the upper face of a first insulating layer, a second insulating layer which is the second insulating layer on the upper face of the conductive plate and in which the upper face of the plate is exposed to the opening of the second insulating layer, conductive nanotubes that are bridged over the opening, and conductive contacts to the nanotubes.例文帳に追加

加速度および電圧測定装置は、第１の絶縁層の上面の導電性プレートと、前記導電性プレートの上面の第２の絶縁層であり、前記プレートの上面は、第２の絶縁層の開口に露出する、第２の絶縁層と、開口に掛けわたされた導電性ナノチューブと、前記ナノチューブへの導電性コンタクトとを有する。 - 特許庁

The organic EL device has such a structure that a first transparent electrode layer (anode), hole transportation layer, organic emission layer, second transparent electrode layer (cathode), and second transparent buffer region are arranged in order on a first transparent buffer region, and can extract light from two sides, that is, from the first transparent buffer region side and the second transparent buffer region side.例文帳に追加

第１透明バッファー領域の上に第１透明電極層（陽極）、正孔輸送層、有機発光層、第２透明電極層（陰極）及び第２透明バッファー領域の各層、各領域を順次配置した構造とし、第１透明バッファー領域側及び第２透明バッファー領域側の両側から光を取り出せるようにした。 - 特許庁

A first contact layer formed of AlGaN and having conductivity, a light-receiving layer formed of AlGaN, and a second contact layer formed of AlN and having a thickness of 5 nm, are epitaxially formed on a predetermined substrate in the stated order, and a second electrode is brought into Schottky junction with the second contact layer, to thereby form an MIS junction.例文帳に追加

所定の基板の上に、ＡｌＧａＮからなり導電性を有する第１コンタクト層を形成する第１コンタクト層と、ＡｌＧａＮからなる受光層と、ＡｌＮからなり厚みが５ｎｍの第２コンタクト層とをこの順にエピタキシャル形成し、第２コンタクト層に第２電極をショットキー接合することによって、ＭＩＳ接合を形成する。 - 特許庁

A plurality of first electrodes corresponding to a plurality of light-emitting elements respectively are formed on an upper surface of the p-type nitride semiconductor layer, a first metal layer is formed so as to cover surfaces of the plurality of first electrodes and the p-type nitride semiconductor layer, and the first substrate and a second substrate are joined each other via a second metal layer formed on an upper surface of the second substrate.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。 - 特許庁

The article includes a substantially solid first layer containing a partially fluorinated thermoplastic polymer, and a substantially solid second layer containing a partially fluorinated thermoplastic polymer, wherein the second layer is bonded to the first layer, and the composition of the first polymer is different from that of the second polymer.例文帳に追加

本発明は、第１の実質的に中実の部分フッ素化熱可塑性ポリマーを含む第１の層と、第２の実質的に中実の部分フッ素化熱可塑性ポリマーを含む第２の層とを含み、前記第２の層は前記第１の層と接合しており、前記第１のポリマーと前記第２のポリマーとは異なる組成を有する物品を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first conductive layer; a second conductive layer; an insulating layer formed between the first and second conductive layers and having a connection hole; and a third conductive layer connected to the first and second conductive layers, and having at least one part of an end formed in the inside of the connection hole.例文帳に追加

第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

Moreover, this element has a structure such that a first groove structure, which reaches the second conductivity-type of semiconductor layer 106 from the first conductivity-type of semiconductor layer 104 is formed, and that a second groove structure, which reaches the first conductivity-type semiconductor layer 104 from the surface of the second conductivity-type semiconductor layer 106, is made in the direction crossing the first groove structure.例文帳に追加

また、第一の導電型の半導体層104の表面から第二の導電型の半導体層106まで達する第1の溝構造が形成され、更に第1の溝構造と交差する方向に第二の導電型の半導体層106の表面から第一の導電型の半導体層104まで達する第2の溝構造が形成された構造を持つ。 - 特許庁

Accordingly, as the second insulating film is protected with the layer 8 at the time of a processing using the ion milling, the second insulating film is never abnormally etched in the vicinities of the edges of the second metal wiring layer 122, a short-circuit between a first metal wiring layer 114 and the layer 122 is prevented from being generated, and the yield of the manufacture of the semiconductor device can be raised.例文帳に追加

したがって、イオンミリングによる加工時に、第２の絶縁膜はフォトレジスト層８により保護されているので、第２の金属配線１２２のエッジ近傍で第２の絶縁膜が異常にエッチングされることがなく、第１および第２の金属配線１１４、１２２間の短絡を防止して、製造歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

The second conductive layer 400 includes second and third lands 440, 450, is extended from the direction of the second land 440 and is electrically connected to a first region 252 in the lower semiconductor layer 250, and is extended from the direction of the third land 450 and is electrically connected to a second region 254 in the lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

第２の導電層４００は、第２及び第３のランド４４０，４５０を含み、第２のランド４４０の方向から延出して下部半導体層２５０の第１の領域２５２と電気的に接続され、かつ第３のランド４５０の方向から延出して下部半導体層２５０の第２の領域２５４と電気的に接続されている。 - 特許庁

Preferably, the heat insulating material 1 includes first and second members 2 and 3; the first member 2 has the recess 5 which forms the hollow portion 4 as the first vent layer A together with the second member 3; and the second member 3 forms the hollow portion as the first vent layer A together with the first member 2, and forms the flat plate and the second vent layer B.例文帳に追加

断熱材１は、第一部材２と第二部材３とからなり、第一部材２は、第二部材３とともに第一の通気層Ａとなる中空部４を形成する凹部５を有し、第二部材３は、第一部材２とともに第一の通気層Ａとなる中空部を形成し、かつ平板と第二の通気層Ｂを形成するとよい。 - 特許庁

The liquid crystal display apparatus has a second light transmissive substrate 12a, a second overcoat film 43b forming the level difference S provided on the second light transmissive substrate 12a, an alignment layer 23b disposed on the second overcoat film 43b, a liquid crystal layer 14 disposed on the alignment layer 23b and protrusions 49 provided along the level difference S.例文帳に追加

第２透光性基板１２ａと、第２透光性基板１２ａ上に設けられていて段差Ｓを形成する第２オーバーコート膜４３ｂと、第２オーバーコート膜４３ｂ上に配置される配向膜２３ｂと、配向膜２３ｂ上に配置される液晶層１４と、段差Ｓに沿って設けられる突起４９とを通する液晶表示装置である。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

The bonding pad for the optical semiconductor device includes a first adhesion assisting layer of an Si_3N_4 material formed on a semiconductor substrate, a bonding pad layer of a BCB material formed on the first adhesion assisting layer, a second adhesion assisting layer of an Si_3N_4 material formed on the bonding pad layer and a metallic electrode layer formed on the second adhesion assisting layer.例文帳に追加

本発明による光半導体デバイスのためのボンディングパッドは、半導体基板の上に形成されたＳｉ_３Ｎ_４材質の第１接着補助層と、第１接着補助層の上に形成されたＢＣＢ材質のボンディングパッド層と、ボンディングパッド層の上に形成されたＳｉ_３Ｎ_４材質の第２接着補助層と、第２接着補助層の上に形成された金属電極層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the making method, a substrate having a catalyst layer on it is prepared and a first ionomer overcoat layer 120 including an ionomer and a first solvent is deposited on the catalyst layer, and the first ionomer overcoat layer is dried, and a first electrode ionomer overcoat layer is obtained, and then a second ionomer overcoat layer 122 including the ionomer and a second solvent is deposited on the first electrode ionomer overcoat layer.例文帳に追加

触媒層をその上に有する基材を準備し；イオノマー及び第１溶媒を含んでなる第１イオノマーオーバーコート層１２０を触媒層上に堆積させ；第１イオノマーオーバーコート層を乾燥して第１電極イオノマーオーバーコート層を提供し；第１電極イオノマーオーバーコート層上にイオノマー及び第２溶媒を含んでなる第２イオノマーオーバーコート層１２２を堆積させることを含む方法。 - 特許庁

This method includes a first gold plating formation step of forming a first gold plating layer on the surface of the electrode 8 by plating using a plating liquid of pH6 to 8; a nickel plating layer formation step of forming a nickel plating layer by plating on a surface of the first gold plating layer; and a second gold plating layer formation step of forming a second gold plating layer on a surface of the nickel plating layer.例文帳に追加

この方法は、電極８の表面に、ｐＨ６〜８のめっき液を用いて第一金めっき層をめっきにより形成する第一金めっき層形成工程と、第一金めっき層の表面に、ニッケルめっき層をめっきにより形成するニッケルめっき層形成工程と、ニッケルめっき層の表面に、第二金めっき層をめっきにより形成する第二金めっき層形成工程とを含む。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁