「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

The peeling layer 41 is peeled, the dielectric layer 52 is patterned, a second electrode 24 is formed on the dielectric layer 52 and the wiring circuit board 100 having the built-in capacitor element 20 is obtained.例文帳に追加

さらに、剥離層４１を剥離し、誘電体層５２をパターニングした後、誘電体層５２上に第二電極２４を形成し、キャパシタ素子２０を内蔵する配線回路板１００を得る。 - 特許庁

The present metal light filter includes a dielectric layer equipped with a first surface and a second surface in near-parallel, and a metal layer formed on the first surface of dielectric layer.例文帳に追加

この金属光フィルタは、ほぼ平行な第１の表面および第２の表面を備える誘電体層と、誘電体層の第１の表面上に形成された金属層と、を有する。 - 特許庁

A second fixed magnetic layer 4c is constituted by laminating a CoFeB layer 4c1 made of CoFeB and an interfacial layer 4c2 made of CoFe or Co from the bottom.例文帳に追加

第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。 - 特許庁

The capacitance Q is adjusted by reducing the area of the third metal layer inserted between the second metal layer and making the substrate smaller than that of a metal layer constituting the MIM capacitor.例文帳に追加

第２の金属層−基板間に入れる第３の金属層面積をＭＩＭ容量を構成する金属層の面積より小さくすることによって容量のＱ値を調整する。 - 特許庁

The invention relates to a method for manufacturing a ferroelectric memory device by forming a conductive underlying layer above a substrate, and then laminating a first electrode, a ferroelecric layer and a second electrode on the underlying layer.例文帳に追加

基板の上方に導電性の下地層を形成し、下地層上に第１電極、強誘電体層、第２電極を積層する強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁

In this case, when no voltage is applied to the gate electrode 36 in the HEMT 10, no two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in a boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に電圧を印加していないときは、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生していない。 - 特許庁

First, a multilayer film for forming a capacitor is formed on a base material by stacking a first conductive layer, a ferroelectric layer composed of a metal oxide dielectric, and a second conductive layer in order on the base material.例文帳に追加

先ず、下地上に、第１導電層、金属酸化物誘電体からなる強誘電体層、及び第２導電層を順次に積層したキャパシタ形成用積層膜を形成する。 - 特許庁

The buried layer 2 is doped with first conductivity type impurities at a concentration higher than that of any of the semiconductor layer 1 and the surface layer 3, and further doped with second conductivity type impurities.例文帳に追加

埋込層２には、半導体層１及び表面層３のいずれよりも高濃度に第１導電型不純物がドープされ、更に第２導電型不純物がドープされている。 - 特許庁

Oxygen partial pressure before first film formation in the fixed layer 5 and/or oxygen partial pressure before second film formation in the free layer 7 is lower than oxygen partial pressure before third film formation in the buffer layer 3.例文帳に追加

固定層５における第１成膜前酸素分圧及びフリー層７における第２成膜前酸素分圧の少なくとも一方は、バッファー層３の第３成膜前酸素分圧よりも低い。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

The thermal expansion rate of both the first resin insulating layer 4 and the second resin insulating layer 5 is selected smaller than that of the metal layers 3, each located on both the sides of the first resin insulating layer 4.例文帳に追加

第１樹脂絶縁層４、第２樹脂絶縁層５ともに、その熱膨張率を、第１樹脂絶縁層４の両面に配置されている金属層３より小さくする。 - 特許庁

The recording layer 5 consists of a first magnetic layer 51 which is an in-plane magnetization film at room temp. and changes into a perpendicular magnetization film at a specified temp. or higher and a second magnetic layer 52 which is the perpendicular magnetization film.例文帳に追加

記録層５は、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる第１の磁性層５１と垂直磁化膜である第２の磁性層５２とから成る。 - 特許庁

A cover layer 31 is provided on the first insulating layer 11 to cover the collector part 21, and a cover layer 32 is provided on the second insulating part 12 to cover the collector part 22.例文帳に追加

集電部２１を覆うように、第１絶縁部１１上に被覆層３１が設けられ、集電部２２を覆うように、第２絶縁部１２上に被覆層３２が設けられる。 - 特許庁

The binder-freed layer 10 is selectively heated by irradiation with a second laser beam 11 along the binder-freed layer 10, whereby the sealing material is fired to form a sealing material layer 7.例文帳に追加

続いて、脱バイ層１０に沿って第２のレーザ光１１を照射し、脱バイ層１０を選択的に加熱することによって、封着材料を焼成して封着材料層７を形成する。 - 特許庁

A contact hole 6a is installed in the second insulating layer 6, and the gate electrode layer 5b and the focusing electrode layer 7 separated via this contact hole are constituted to be conductive.例文帳に追加

第２の絶縁層６にはコンタクトホ−ル６ａが設けられ、このコンタクトホールを介して切り離されたゲート電極層５ｂと集束電極層７が導通するように構成されている。 - 特許庁

Etching by plasma containing a halogen-based element is performed for a laminate where the first ferromagnetic layer 13, the insulation layer 14 and the second ferromagnetic layer 15 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。 - 特許庁

The solar cell is provided with a substrate 11 and a first conductive layer 13, the light absorbing layer 14, and a second conductive layer 17 which are successively disposed on the substrate 11 in this order from the substrate 11 side.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に基板１１側から順に配置された第１の導電層１３、光吸収層１４および第２の導電層１７とを備える。 - 特許庁

The bias magnetic field application layer 6 has a non magnetic interlayer 62, and a first magnetic layer 61 and a second magnetic layer 63 which are arranged in such a manner that the interlayer 62 is sandwiched between them.例文帳に追加

バイアス磁界印加層６は、非磁性の中間層６２と、この中間層６２を挟むように配置された第１の磁性層６１および第２の磁性層６３とを有している。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4.例文帳に追加

第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁

The phase-change memory cell 200a includes a first electrode 202, a dielectric material layer 204, a spacer material layer 206, a phase-change layer 208, and a second electrode 210.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極２０２、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、相変化材料層２０８、および第２の電極２１０を有している。 - 特許庁

The magnetic memory is constituted of magnetic material 110 which includes a disk shaped first magnetic layer 101 and a ring-shaped second magnetic layer 102 formed on the first magnetic layer 101.例文帳に追加

円盤状の第１の磁性層１０１と、この第１の磁性層１０１上に形成されたリング状の第２の磁性層１０２とを含む磁性体１１０から磁性メモリを構成する。 - 特許庁

A protective layer 36 as a dielectric layer is provided between a heating resistor layer 33 and first and second electrode layers 34 and 35 constituting the heating element 32 of a thermal head 17.例文帳に追加

サーマルヘッド１７の発熱素子３２を構成する発熱抵抗体層３３と第１、第２電極層３４、３５との間に、誘電体層としての保護層３６を設ける。 - 特許庁

The second curving part and the flexible tube part share a pipe-shaped inner layer member (52) and an outer layer member (54) having a blade or flex outside the inner layer member.例文帳に追加

前記第２の湾曲部および前記可撓管部は、パイプ状の内層部材（５２）と、この内層部材の外側にブレードまたはフレックスを有する外層部材（５４）とを共有している。 - 特許庁

The hybrid lens is provided with a glass lens substrate 2, a first resin layer 3 disposed on one side surface of the glass lens substrate 2 and a second resin layer 4 disposed on the first resin layer 3.例文帳に追加

ガラスレンズ基材２と、このガラスレンズ基材２の片方の面に設けられた第１樹脂層３と、この第１樹脂層３の上に設けられた第２樹脂層３とを備える。 - 特許庁

When an electric field is given to an electrolytic layer 4 between a first electrode layer 2 of a first block BK1 and a second electrode layer 3, a bending stress occurs in the first block BK1.例文帳に追加

第１のブロックＢＫ１の第１の電極層２と第２の電極層３との間の電解質層４に電界を与えると、第１のブロックＢＫ１に曲げ応力が発生する。 - 特許庁

Thereafter, the surface 14 of a transfer layer 10 thermally transferred is coated by a resin containing a conductive resin to form a second conductive layer 5 connecting with the first conductive layer 3.例文帳に追加

その後、熱転写された転写層１０の表面１４に導電性樹脂を含む樹脂を塗布し、第一導電性層３と接続する第二導電性層５を形成する。 - 特許庁

A nitride based compound semiconductor layer 30 is formed on the second substrate 20 by removing other parts, while leaving in the shape of a layer a part containing the surface layer out of the first substrate 10.例文帳に追加

第１の基板１０のうち表層を含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化物系化合物半導体層３０を第２の基板２０上に形成する。 - 特許庁

A ground layer 5a of the second wiring layer of the flexible board 3 has a ground layer tapered portion 34 formed so as to correspond to the shape of the tapered portion 33 near the ground vias 13.例文帳に追加

フレキシブル基板３の第二配線層のグランド層５ａは、グランドビア１３の近傍において、信号線路テーパ部３３の形状に合わせて形成されたグランド層テーパ部３４を備える。 - 特許庁

Furthermore, a third conductive layer consisting of an aluminum alloy not reacting on ITO is further provided on the second conductive layer, and the wiring or electrode is bonded, as a three-layer structure, to the ITO.例文帳に追加

さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 - 特許庁

An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.例文帳に追加

ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁

The capacitor 101 has a first internal electrode layer and a second internal layer disposed alternately with a dielectric layer 104 interposed, and is put in the substrate core 11.例文帳に追加

キャパシタ１０１は、誘電体層１０４を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層配置された構造を有し、基板コア１１内に収容されている。 - 特許庁

An active layer 15 and a second conductive type forth GaN group III-V compound semiconductor layer 16 are grown in this order on the layer 14 to form a light emitting diode structure.例文帳に追加

その上に活性層１５および第２導電型の第４のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

This first base substrate 10 is laminated to a second substrate 30, having the same material as that of the silicon layer 13 of the semiconductor layer, which is then separated into two, by using the separation layer 14.例文帳に追加

この第１の基板１０を歪み半導体層のシリコン層１３と同じ材料の第２の基板３０に貼り合わせて、その後、分離層１４の部分でこれを２枚に分離する。 - 特許庁

A bypass capacitor 18, consisting of a first wiring layer 18a and a second wiring layer 18b, is formed to an underlayer of the wiring layer to form a pad 14 to be allocated inside a semiconductor chip 12.例文帳に追加

半導体チップ１２内に配置されるパッド１４を形成する配線層の下層に、第１及び第２の配線層１８ａ，１８ｂからなるバイパスコンデンサ１８を形成するようにした。 - 特許庁

The reflection metal layer 45 is located nearer to the surface layer than to the second nickel layer 44, and its surface functions as a light reflection face for reflecting a flux of lights emitted from the light-emitting device 21.例文帳に追加

反射金属層４５は、第２ニッケル層４４よりも表層側に位置し、その表面が発光素子２１からの発光光束を反射する光反射面として機能する。 - 特許庁

The microlens array 100 is provided with: a sheet-like first layer 1 containing a resin; and a second layer 2 which is arranged on the first layer 1 and contains a resin and fine particles of a metal compound.例文帳に追加

樹脂を含有するシート状の第１層１と、第１層１上に設けられた樹脂及び金属化合物微粒子を含有する第２層２とを備えるマイクロレンズアレイ１００。 - 特許庁

Magnetic layers 4c1, 8c1 on nonmagnetic material layer sides of second fixed magnetic layers 4c, 8c composing a fixed magnetic layer 4 and a free magnetic layer 6 are formed of CoMnGeCu.例文帳に追加

固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃ，８ｃの非磁性材料層側磁性層４ｃ１，８ｃ１及びフリー磁性層６を例えばＣｏＭｎＧｅＣｕで形成する。 - 特許庁

The resin liquid layer between the first and second sheets 31 and 32 is cured to form a thermosetting resin layer, and a sheet element 95 including the thermosetting resin layer is produced.例文帳に追加

これによって第１および第２シート３１，３２間の樹脂液層が硬化されて熱硬化性樹脂層が形成され、熱硬化性樹脂層を含むシート体９５が製造される。 - 特許庁

Accordingly, the internal stress accumulated in a first clad layer 121 and a second clad layer 124, deposited on the semiconductor layer 116, is also made small.例文帳に追加

従って、半導体層１１６上に成長させられる第一のクラッド層１２１や第二のクラッド層１２４において蓄積される内部応力も小さいものとすることができる。 - 特許庁

A video signal line 106HS is formed in a second wire layer L2, and a gate wire 312 of a driving transistor 121 is formed in a first wire layer L1, thereby arranging each wire in each layer.例文帳に追加

映像信号線１０６HSを第２配線層Ｌ２に形成し、駆動トランジスタ１２１のゲート配線３１２を第１配線層Ｌ１に形成することで、各配線を別レイヤに配置する。 - 特許庁

The container has a bottom wall forming a first gas layer between two resin layers, and a side wall 22 forming a second gas layer communicating with the first gas layer between two resin layers.例文帳に追加

二つの樹脂層間に第１のガス層が形成された底壁と、二つの樹脂層間に、前記第１のガス層と連通する第２のガス層が形成された側壁２２とを有する。 - 特許庁

A polyelectrolyte film includes a first electrolyte layer including a first ion-conducting electrolyte and a second electrolyte layer disposed on both surfaces of the first electrolyte layer.例文帳に追加

本発明の高分子電解質膜は、第１のイオン伝導性電解質を含む第１の電解質層と、当該第１の電解質層の両面に配置された第２の電解質層とを有する。 - 特許庁

The micro electromechanical switch (MEMS) device comprises a semiconductor wafer, a first dielectric layer formed on the semiconductor wafer, and a second semiconductor layer formed on the first layer.例文帳に追加

マイクロ・エレクトロメカニカル・スイッチ（ＭＥＭＳ）装置は、半導体ウェハと、半導体ウェハ上に形成された第１誘電層と、第１の層上に形成された第２半導体層とを備えている。 - 特許庁

The magnetic moment of a first fixed magnetic layer 12 is higher than the magnetic moment of a second fixed magnetic layer 14 and the magnetic moment of the first fixed magnetic layer 12 faces a left direction.例文帳に追加

第１の固定磁性層１２の磁気モーメントは第２の固定磁性層１４の磁気モーメントよりも大きく、前記第１の固定磁性層１２の磁気モーメントは図示左方向を向いている。 - 特許庁

This ultraviolet absorbing film is constituted of a base film 2, a sticking layer 4 laminated on the second surface side of the base film 2 and a protecting layer 3 laminated so that a surface layer is formed on the first surface side of the base film 2.例文帳に追加

ベースフィルム２と、ベースフィルム２の裏面側に積層される粘着層４と、ベースフィルム２の表面側に表層を形成するよう積層される保護層３とを備える。 - 特許庁