「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

The metal layer 26 is etched by a second etchant having etching operation stronger to the metal layer 26 than the conductive film 18.例文帳に追加

金属層２６に対して導電膜１８に対するよりも強いエッチング作用のある第２のエッチャントによって、金属層２６をエッチングする。 - 特許庁

The first bank forming material is organic material and a second bank layer 36 is made of a fluorine type resin material coating the first bank layer 35.例文帳に追加

第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 - 特許庁

A portion of the mask layer 432 is removed in a first region of the semiconductor element, the mask layer 432 being made to remain in a second region of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の第１領域でマスク層４３２の一部を除去し、マスク層４３２を半導体素子の第２領域に残留させる。 - 特許庁

The surface of the lower layer wiring is subjected to wet treatment, and a second barrier metal 22 is formed on the first barrier metal and the lower layer wiring.例文帳に追加

前記下層配線の表面をウェット処理し、前記第１バリアメタル上及び前記下層配線上に、第２のバリアメタル（２２）を形成する。 - 特許庁

The photoresist layer for covering the second layer is provided with a center portion and an edge portion, and the center portion is made thicker than the edge portion.例文帳に追加

前記第２領域を覆うフォトレジスト層は中央部分及び縁部分を具え、前記中央部分を前記エッジ部分より厚くする。 - 特許庁

The via hole 10 is connected to a lower-layer wiring 42 (first wiring), and an upper-layer wiring 44 (second wiring) provided to mutually different layers.例文帳に追加

ビア１０は、相異なる層に設けられた下層配線４２（第１の配線）および上層配線４４（第２の配線）に接続されている。 - 特許庁

A core layer 17 in a first region 11 and a core layer 17 in a second region 12 extend in succession in the light propagating direction.例文帳に追加

第１の領域１１内のコア層１７及び第２の領域１２内のコア層１７は、光の伝搬方向に連続して延びている。 - 特許庁

A drift region 12 provided between a well region 56 and a body region 26 includes a first layer 30 and a second layer 40.例文帳に追加

ウェル領域５６とボディ領域２６との間に設けられているドリフト領域１２は、第１層３０と第２層４０とを有している。 - 特許庁

A total thickness of the plating film 10 is set to 3 to 15 μm, and a thickness of the second layer 14 is set to 2 to 10 times larger than that of the first layer 13.例文帳に追加

めっき膜１０の合計厚みを３〜１５μｍとし、第２の層１４の厚みを第１の層１３の厚みの２〜１０倍とする。 - 特許庁

The first adhesion layer 46 and the second adhesion layer 47 are formed on one side and the other side of the heating body 35, and electrically insulative.例文帳に追加

第１接着層４６及び第２接着層４７は、発熱体３５の一側及び他側に形成されており、電気絶縁性を有する。 - 特許庁

To optimize a global power distribution network in an integrated circuit comprising a first layer of conductive material and a second layer of conductive material.例文帳に追加

導電材料の第１の層と導電材料の第２の層とを備える集積回路におけるグローバル電源配電網の最適化をはかる。 - 特許庁

Subsequently, a GaN-based epitaxial layer containing an active layer 105 is formed on the substrate 101 to fill the second alignment mark 120.例文帳に追加

続いて、基板１０１の上に、活性層１０５を含むＧａＮ系エピタキシャル層を第２のアライメントマーク１２０を埋め込むように成長する。 - 特許庁

The multilayer printed board comprises a laminate printed board of at least three layers including a first signal layer and a second signal layer.例文帳に追加

本発明の多層プリント基板は、第１の信号層と、第２の信号層とを含めた少なくとも３層以上の積層プリント基板を備える。 - 特許庁

These side walls 6 are furnished with a first reinforcing layer 24 positioned on the side of the tread 4 ad a second reinforcing layer 26 positioned on the side of the beads 8.例文帳に追加

このサイドウォール６は、トレッド４の側に位置する第一補強層２４と、ビード８の側に位置する第二補強層２６とを備えている。 - 特許庁

The endless base fabric layer is flattened and forms a first fabric layer 40 and a second one 42 to be coupled at folds of transverse edges each other.例文帳に追加

このエンドレスベースファブリック層は扁平状になり、横方向縁の折目で互いに接合する第一および第二ファブリック層をもたらす。 - 特許庁

The vias 113 are formed by flash annealing of the posts after the dielectric layer 106 is deposited and before the second conductive layer is deposited.例文帳に追加

ビア１１３は、誘電層１０６を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールすることにより形成される。 - 特許庁

The second layer of material has sufficient rigidity to keep the first layer in the first undeployed shape prior to the fastener being deployed.例文帳に追加

第２の材料層は、ファスナが配置される前に、第１の未配置形状に第１の材料層を維持するのに十分な剛性を有している。 - 特許庁

To provide a single-sided recording and reproducing type optical recording medium capable of obtaining proper recording signal properties not only from a first information layer but also from a second information recording layer.例文帳に追加

第２の情報記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

Among the layers 301 to 305, the Si concentration in the first intermediate layer 301 is the highest, and the Si concentration in the fifth intermediate layer 305 is the second highest.例文帳に追加

層３０１〜３０５の中では、第１中間層３０１のＳｉ濃度が最も高く、次いで第５中間層３０５のＳｉ濃度が高い。 - 特許庁

As a subsequent step, a second layer is formed employing a raw material gas flow rate and high-frequency power which are different from those employed for forming the first layer.例文帳に追加

その後の工程において、第１の層領域におけるのとは異なる、原料ガス流量、高周波電力で第２の層を形成する。 - 特許庁

The electric wave absorber 10 has at least a first layer 14 and a second layer 16 which contain a conductive fiber respectively.例文帳に追加

本発明の電波吸収体１０は、それぞれ導電性繊維を含有する少なくとも第１の層１４および第２の層１６を有する。 - 特許庁

A trench 35 is formed for exposing the first semiconductor layer 11 from under the second semiconductor layer 12 supported by the support 41.例文帳に追加

次に、支持体４１によって支持されている第２半導体層１２下から第１半導体層１１を露出させる溝３５を形成する。 - 特許庁

The first comb-teeth electrode 7 is formed on the second silicon layer 100b and the first hinge 5 is formed on the first silicon layer 100a.例文帳に追加

第１の櫛歯電極７は第２のシリコン層１００ｂに形成され、第１のヒンジ５は第１のシリコン層１００ａに形成されている。 - 特許庁

A copper structure 35 is formed on the first dielectric layer 25, and a second dielectric layer 80 is formed on the copper structure 35.例文帳に追加

銅の構造体３５が第１の誘電体層２５に形成され、また第２の誘電体層８０が銅の構造体３５上に形成される。 - 特許庁

The first and the second varistor green section have each a varistor green layer and a plurality of inner electrode patterns disposed in the varistor green layer.例文帳に追加

第１及び第２のバリスタグリーン部とは、それぞれ、バリスタグリーン層と、バリスタグリーン層内において配列した複数の内部電極パターンと、を有する。 - 特許庁

The three-dimensional nanostructure array is disposed on the opposite surface to the surface adjacent to the active layer of the second semiconductor layer.例文帳に追加

前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。 - 特許庁

The length from the top surface to the second position of the semiconductor layer is one-half or less of the length from the top surface to the first position of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の上面から第２の位置までの長さは、半導体層の上面から第１の位置までの長さの１／２以下である。 - 特許庁

In the wiring part, vias (unconnected vias) that have no wiring as a connection destination in a second wiring layer are formed on wiring of a first wiring layer.例文帳に追加

配線部では、第１の配線層の配線上に、第２の配線層では接続先となる配線がないビア（未接続ビア）を形成する。 - 特許庁

An insulating layer 32 is formed on the upper face of the lower layer insulating film 1 around the first and second semiconductor constructing bodies 2a and 2b.例文帳に追加

第１、第２の半導体構成体２ａ、２ｂの周囲における下層絶縁膜１の上面には絶縁層３２が設けられている。 - 特許庁

In the optical information recording medium 3, a first recording layer 1 having a translucent film and a second recording layer 2 having a reflecting film are laminated.例文帳に追加

光情報記録媒体３は、半透明膜を有する第１記録層１と反射膜を有する第２記録層２とが積層されている。 - 特許庁

Both ends part 4b2 of at least one layer of the second carcass layers 4B2 is wound around the bead core 6 outside of the first carcass layer end 4a.例文帳に追加

少なくとも１層の第２カーカス層４B2の両端部４b2を第１カーカス層端部４ａの外側にしてビードコア６の周りに巻き付ける。 - 特許庁

Respective patterns 23a include a first mask layer 13a and a second mask layer 15a deployed in the direction to intersect with the main face 11a.例文帳に追加

パターン２３ａの各々は、主面１１ａに交差する方向に配置された第１のマスク層１３ａと、第２のマスク層１５ａとを含む。 - 特許庁

To reduce a leak current flowing through a second gate insulating film provided between a charge storage layer and a control gate electrode layer.例文帳に追加

電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる第２のゲート絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from a group III-V chemical compound semiconductor containing nitrogen as group-V elements.例文帳に追加

第１の半導体層及び第２の半導体層が、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている。 - 特許庁

The organic EL layer 6 is formed on the first electrodes 3 and the barrier ribs 4, and the second electrodes 7 are formed on the organic EL layer 6.例文帳に追加

第１電極３及び隔壁４上に有機ＥＬ層６が形成され、有機ＥＬ層６上に第２電極７が形成されている。 - 特許庁

The upper-layer second silicon nitride film is formed by the CVD method by using N_2 as the nitrogen source gas and includes more Si-H bondings than that in the lower layer.例文帳に追加

上層の第２窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮ_２を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｓｉ−Ｈ結合を下層よりも多く含む。 - 特許庁

The plurality of auxiliary electrode portions are placed opposite to a liquid crystal layer via the over layer, and the first and second connection portions are overlapping with the pixel electrodes.例文帳に追加

複数の補助電極部は、オーバーレイヤーを介して液晶層と対向し、第１及び第２接続部は、画素電極と重なっている。 - 特許庁

The relationship between the stiffness c1 of the first elastic layer 58a and the stiffness c2 of the second elastic layer 58b is c1<c2.例文帳に追加

第１の弾性体層５８ａの硬度ｃ１と第２の弾性体層５８ｂの硬度ｃ２との間にはｃ１＜ｃ２の関係が成立する。 - 特許庁

The second metal material layer 21b is structured as a thin membrane in a region where transmission of light generated by the organic light-emitting layer can be kept.例文帳に追加

第２金属材料層２１ｂは、有機発光層で発生した光の透過性が保たれる範囲の薄膜として構成されている。 - 特許庁

The interface 15 is provided between a first light transparent layer 20 and a second light transparent layer 21 and inclined toward an outer side.例文帳に追加

界面１５は、第１の透光性層２０および第２の透光性層２１の間に設けられており、外側に向かって傾斜している。 - 特許庁

A first diffusion layer 12 and a second diffusion layer 13 are formed so as to contact the first region 15 in the first well 11.例文帳に追加

第１ウエル１１中には、上記第１領域１５に接するように第１拡散層１２及び第２拡散層１３が形成される。 - 特許庁

The first coat layer 64 shows enormously high corrosion resistance being covered with the second coat layer 66, because it is formed of precious metal.例文帳に追加

第１コート層６４は貴金属によって形成されるため、第２コート層６６に覆われることによって極めて高い耐食性を示す。 - 特許庁

In addition, at least the film thickness of the central part of the first deposition layer is nearly equal to the film thickness of the central part of the second deposition layer.例文帳に追加

さらに、少なくとも、前記第１堆積層の中央部の膜厚と前記第２堆積層の中央部の膜厚とは略等しい。 - 特許庁

This communication apparatus 100 is provided with a plurality of communication elements 200 connected to a first signal layer 20 and a second signal layer 30, respectively.例文帳に追加

本発明による通信装置１００は、第１信号層２０および第２信号層３０に接続した複数の通信素子２００を備える。 - 特許庁

In such manufacturing method, a target of ions, that is, the non-magnetic layer 52 is arranged, at a point which is close from the surface of the second magnetic layer 53.例文帳に追加

こうした製造方法では、イオンのターゲットすなわち非磁性層５２は第２磁性層５３の表面から近い距離に配置される。 - 特許庁