「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The floating gate 40 overlaps a diffusion layer 80 provided in the semiconductor substrate 20 apart from a channel region 90 between the diffusion layer 60 and diffusion layer 70.例文帳に追加

フローティングゲート４０は、拡散層６０と拡散層７０との間のチャネル領域９０から離間して半導体基板２０内に設けられた拡散層８０とオーバーラップしている。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

By a diffusion technology a p+ type semiconductor 11 and an n+ type semiconductor 12 are formed on both end surfaces of a semiconductor wafer to make a plurality of diodes, respectively.例文帳に追加

拡散技術で、セミコンダクターウェハーの両端面に、ｐ+型コンダクター１１及びｎ+型のセミコンダクター１２を形成し、それぞれ複数のダイオードを作る。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor apparatus, specifically to reduce interconnection resistance, and to reduce diffusion of an interconnection material into a semiconductor layer which constitutes the semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 1 wherein circuits are formed by a diffusion layer 2, a functional electrode 3 which is formed on the surface of the semiconductor substrate and is connected with the circuits in the diffusion layer and a rear electrode 4 formed on the back of the semiconductor substrate.例文帳に追加

拡散層２により回路が形成された半導体基板１と、半導体基板の表面に形成され拡散層内の回路と接続された機能電極３と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極４とを備える。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is provided with an n-type semiconductor layer connected with the power supply on the semiconductor substrate of p-type semiconductor, and the n-type semiconductor layer of the diffusion current stop band 5 is formed deeper than the n-type semiconductor layer of the light receiving element 2.例文帳に追加

この拡散電流阻止帯５は、ｐ型半導体の前記半導体基板に、前記電源に接続されたｎ型半導体層を備えており、拡散電流阻止帯５のｎ型半導体層は、受光素子部２のｎ型半導体層より深く形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the plurality of diffusion layer patterns and has its part surrounded by the insulation film and is formed through the insulation film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、複数の拡散層パターンには接することなくその一部が絶縁膜に包囲されて絶縁膜および半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

To obtain a lateral type diffusion furnace for a manufacturing process of a semiconductor element which has a high yield and can carry out a diffusion process without generating a failure product; and a semiconductor element of the high yield.例文帳に追加

不良品を発生させることなく歩留まりの高い拡散処理が可能な半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉並びに、歩留まりの高い半導体素子を得ること。 - 特許庁

An oxide film is formed on the surface of a semiconductor substrate in advance, and the semiconductor substrate is put into a diffusion furnace to diffuse impurities, thereby forming an impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板表面には酸化膜をあらかじめ形成し、この半導体基板を拡散炉に収容して不純物を拡散させることにより不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a manufacturing process of the semiconductor device having a high-concentration dopant diffusion layer and a low-concentration dopant diffusion layer, is simplified.例文帳に追加

高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using diffusion layers as interconnections, which prevents a size increase and reduces the resistance of the diffusion layer interconnections.例文帳に追加

拡散層を配線として用いる半導体装置において、大型化を防止しつつ拡散層配線の抵抗値を低減することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses horizontal diffusion in a p-type diffusion layer for composing a separation region, and reduces the size of the device.例文帳に追加

分離領域を構成するＰ型の拡散層の横方向への拡散を抑制し、デバイスサイズを縮小した半導体装置の提供。 - 特許庁

Furthermore, the solar cell is provided with the semiconductor substrate, whereon the impurity diffusion layer has been formed by means of the impurity diffusion layer formation method.例文帳に追加

また、太陽電池は、上述の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える。 - 特許庁

Therefore, the diffusion prevention portion 62 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.例文帳に追加

従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁

Extended first and second drain diffusion regions and a source diffusion region are formed on a semiconductor substrate along substantially parallel lines.例文帳に追加

延在した第１と第２のドレイン拡散領域、及びソース拡散領域を、本質上平行な直線に沿って半導体基板に形成する。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion apparatus capable of performing a uniform impurity diffusion on semiconductor element substrates over the whole region in a quartz tube.例文帳に追加

石英チューブ内の全域に亘り、半導体素子基板に均一な不純物拡散を行なうことができる不純物拡散装置を得ること。 - 特許庁

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁

A conductive film 23 is provided on a part of the source/drain diffusion layer of the semiconductor substrate and is constituted of a compound of semiconductor and metal.例文帳に追加

導電膜２３は、半導体基板のソース／ドレイン拡散層の部分に設けられ、半導体と金属との化合物からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a case for a semiconductor, capable of suppressing the diffusion of gas originated from a resin into the inside of the case.例文帳に追加

内部への樹脂由来のガスの放散を抑制できる半導体用ケースを提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip 1a is separated into two regions by a separation diffusion region 107.例文帳に追加

半導体チップ１ａは、分離拡散領域１０７によって２つの領域に分離されている。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 closely to the floating gate 40.例文帳に追加

拡散層７０は、フローティングゲート４０に近接して半導体基板２０内に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor substrate, on which the interlayer insulating film and hydrogen diffusion preventing film are formed, is subjected to the heat treatment.例文帳に追加

層間絶縁膜及び水素拡散防止膜が形成された半導体基板を熱処理する。 - 特許庁

To make a semiconductor device having a high resistive diffusion resistance have a high withstand voltage and a small area.例文帳に追加

高抵抗な拡散抵抗を有する半導体装置の高耐圧化、小面積化を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which forms a desired ultra thin diffusion layer.例文帳に追加

所望の極浅拡散層を形成することが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which diffusion of copper is prevented surely.例文帳に追加

銅の拡散が確実に防止された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

DIFFUSION PREVENTION FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

拡散防止膜およびその製造方法および半導体記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

The diffusion isolating layer is formed in the semiconductor substrate and surrounds the basal face and lower side wall of the device area.例文帳に追加

素子隔離構造は拡散隔離層及びトレンチ分離構造の二重構造を有する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a diffusion preventive function can be enhanced.例文帳に追加

拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can eliminate the adverse effect due to impurity diffusion from a buffer layer to a carrier layer.例文帳に追加

バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。 - 特許庁

To reduce irregularities in the plane of sheet resistance of a semiconductor substrate generated due to thermal diffusion.例文帳に追加

熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。 - 特許庁

Simultaneously, the Ti layer is made into silicide by the diffusion of Si from the semiconductor substrate 12.例文帳に追加

このとき同時に、半導体基板１２からのＳｉの拡散により、Ｔｉ層はシリサイド化される。 - 特許庁

Moreover, the transistor (100) includes a drain diffusion well (115), surrounded by the doped semiconductor substrate (105).例文帳に追加

また、トランジスタ(100)は、ドープされた半導体基板(105)によって取り囲まれたドレイン拡散ウエル(115)を含む。 - 特許庁

To enhance noise resistance of a semiconductor device which has a dummy diffusion layer formed on a substrate.例文帳に追加

基板にダミー拡散層が形成された半導体装置について、そのノイズ耐性を向上させる。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

To suppress deterioration in device characteristics due to impurities diffusion in semiconductor laser using an InP substrate.例文帳に追加

InP基板を用いた半導体レーザにおいて、不純物拡散によるデバイス特性劣化を抑制する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 22 is formed in the semiconductor substrate 11 around a lower part of the trench 21.例文帳に追加

不純物拡散層２２は、トレンチの下部の周囲において半導体基板内に形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY MEANS OF DOUBLE PATTERNING PROCESS UTILIZING ACID DIFFUSION例文帳に追加

酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁