「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an AlGaInP based semiconductor laser element in which diffusion of dopant from a clad layer to a semiconductor active layer is controlled without thickening an anti-diffusion layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子において、拡散防止層を厚くすることなくクラッド層から半導体活性層へのドーパントの拡散を抑制する。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｎ−型の半導体層２の表面には、Ｐ−型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer diffusion device and a method of manufacturing a semiconductor device, with which entrainment of the atmosphere into a diffusion furnace can be prevented, when a semiconductor wafer is inserted into the furnace.例文帳に追加

半導体ウエハを拡散炉内に挿入する際に、炉内に大気が巻き込まれるのを抑制できる半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type second diffusion layer which corresponds to each of the pads and is provided in the first diffusion layer.例文帳に追加

上記パッドのそれぞれに対応し、上記第１拡散層内に設けられたＰ型の第２拡散層を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor layout which keeps balance of capacity loads at paired wirings connected to a plurality of diffusion layers, respectively though parasitic capacitance with respect to wirings respectively connected to a plurality of diffusion layers varies when the plurality of diffusion layers are shared for saving of a semiconductor integrated circuit area.例文帳に追加

半導体集積回路の面積を節約するために、複数の拡散層を共有化すると、それらの拡散層に接続された配線に対する寄生容量が変化する。 - 特許庁

Or, the semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the insulation film and has its part surrounded by the diffusion layer patterns and is formed through the diffusion layer patterns and the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、絶縁膜には接することなくその一部が拡散層パターンに包囲されて拡散層パターンおよび半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer and the solar cell having the n-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the n-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加

このｎ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

The p-type diffusion layer and the solar cell having the p-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the p-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加

このｎ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 120, there is an impurity diffusion layer 122.例文帳に追加

半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。 - 特許庁

ABRASIVE COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅拡散防止膜用研磨組成物および半導体装置の製造方法 - 特許庁

SOLID PHASE DIFFUSION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE METHOD例文帳に追加

固相拡散法及びその方法を使用した半導体装置の製造方法 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

Between a source diffusion layer 8 and a drain diffusion layer 9 of a semiconductor substrate 1, a memory transistor and a select transistor are formed side by side via an intermediate diffusion layer 10.例文帳に追加

半導体基板１のソース拡散層８とドレイン拡散層９との間に中間拡散層１０を介してメモりトランジスタとセレクトトランジスタとを並べて形成する。 - 特許庁

Selection transistors having a diffusion layer in an upper portion of the semiconductor substrate are provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

前記半導体基板上に、前記半導体基板上層部に拡散層を有する選択トランジスタが設けられる。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; a through electrode 7 penetrating the semiconductor substrate 1; a diffusion layer 24 that is located at the upper part of the semiconductor substrate 1 and provided in a region located at the side of the through electrode 7; and the diffusion layer 22 provided at the upper part of the diffusion layer 24.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１を貫通する貫通電極７と、半導体基板１の上部であって、貫通電極７の側方に位置する領域に設けられた拡散層２４と、拡散層２４の上部に設けられた拡散層２２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 11, a first diffusion region 12 arranged on the semiconductor substrate, the semiconductor element 17 arranged on the first diffusion region 12, and a passage 14 which is arranged on the first diffusion region 12 and to which a fluid for cooling is supplied.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板に設けられた第１の拡散領域１２と、第１の拡散領域１２に設けられた半導体素子１７と、第１の拡散領域１２に設けられ、かつ冷却用の流体が供給される通路１４とを含む。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５に隣接したＮ−型の半導体層２の表面にはＮ＋型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the diffusion of impurities into an active layer.例文帳に追加

不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The upper surface of the N-type extension diffusion layer of the semiconductor substrate is flat.例文帳に追加

半導体基板におけるＮ型エクステンション拡散層の上面は平坦である。 - 特許庁

A semiconductor device uses a source-drain impurity diffusion layer as the resistance zone.例文帳に追加

ソース・ドレイン不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。 - 特許庁

Next, in a diffusion process, semiconductor impurities are diffused on a surface of one side in a thickness direction of the semiconductor wafer 2 on which the diffusion prevention film 7 is formed.例文帳に追加

次に、拡散工程で、前記拡散防止膜７が形成された半導体ウエハ２の厚み方向一方側の表面部に、半導体不純物を拡散させる。 - 特許庁

On the upper surface of the P-type semiconductor layer 5, a current diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体層５の上面には、電流拡散層６を形成してある。 - 特許庁

A main electrode is provided on the impurity diffusion region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

主電極は、半導体基板の不純物拡散領域上に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an interlayer insulating film has a Cu diffusion barrier property.例文帳に追加

層間絶縁膜にＣｕ拡散バリア性を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device (module with built-in semiconductor), and its manufacturing method capable of improving in the diffusion of the heat from a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップからの熱の放散を高めることができる半導体装置（半導体内蔵モジュール）とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device wherein a diffusion layer hardly has thermal diffusion and word lines can be finely processed.例文帳に追加

拡散層の熱拡散が生じにくく且つワード線の微細加工が容易な不揮発性半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To restrain fluctuation of a threshold voltage of a PMOS semiconductor element by obstructing diffusion of boron atoms to a silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

ボロン原子のシリコン半導体基板への拡散を阻止して、ＰＭＯＳ半導体素子の閾値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、エピタキシャル層１２と、高濃度拡散領域１３と、Ｐ型半導体領域１４を備える。 - 特許庁

To provide a method for simply measuring the diffusion depth Xj of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の拡散深さＸｊを簡単に計測する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the diffusion of impurities into an active layer is prevented.例文帳に追加

不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

This makes the diffusion depth Xj of the semiconductor device visible.例文帳に追加

これによって、当該半導体装置の拡散深さＸｊを可視化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a low resistance and shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

低抵抗で浅い不純物拡散領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor layer, a current diffusion layer 5 is formed, on which a protective film 6 is formed.例文帳に追加

半導体層上に電流拡散層５を設け、その上に保護膜６を設ける。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR PRODUCTION DIFFUSION FACILITY FOR FORMING AIR CURTAIN AND CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加

エアカ—テンが形成される半導体製造用拡散設備及びこれを制御する方法 - 特許庁

The impurity deposited on the semiconductor wafer is diffused by a diffusion furnace.例文帳に追加

上記半導体ウェハの上記デポジションされた不純物は、拡散炉により拡散される。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH DIFFUSION REGION AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 - 特許庁

A diffusion mask 3 with openings 3a and 3b is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に開口３ａ，３ｂを有する拡散マスク３を形成する。 - 特許庁

The drain diffusion well (115) has a dopant type, which has dopant type opposite to that of the doped semiconductor substrate (105).例文帳に追加

ドレイン拡散ウエル(115)は、ドープされた半導体基板(105)とは反対のドーパント型をもつ。 - 特許庁

An impurity diffusion region is formed in each 1st semiconductor film.例文帳に追加

第１の半導体膜の各々の内部に不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

At this time, the diffusion prevention film 105 is exposed at the edge of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

この時、拡散防止膜１０５は半導体基板１００の端上に露出される。 - 特許庁

A diode is formed of an N+ diffusion layer 209 and a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２０９とＰ型の半導体基板２０１とで、ダイオードが形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, OUTPUT DATA DIFFUSION METHOD, AND PROGRAM例文帳に追加

半導体集積回路、情報処理装置、および出力データ拡散方法、並びにプログラム - 特許庁