「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device equipped with a plurality of diffusion layer resistances each of which has a different resistance value, while reducing the manufacturing steps and manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加

低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし，素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solution tank 11 is used for heating the GaN base semiconductor wafer 4, the solution tank 12 is used for impurity diffusion, and the solution tank 13 is used for cooling the GaN base semiconductor wafer 4.例文帳に追加

ここで、溶液槽１１はＧａＮ系半導体ウエハ４の加熱用、溶液槽１２は不純物拡散用、溶液槽１３はＧａＮ系半導体ウエハ４の冷却用である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing diffusion of metal into a semiconductor substrate with a simple manufacturing method while minimizing increase of the number of processes.例文帳に追加

簡易な製造方法で且つ工程数の増加を最小限に抑制しながらも、半導体基板中への金属の拡散防止を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a measuring error due to deviation and diffusion of focal point surface generated from difference in refractive indices between air layer and liquid in the optical-semiconductor device for liquid immersion semiconductor exposure apparatus.例文帳に追加

液浸型半導体露光装置用の光学半導体装置において、空気層と液体との屈折率の違いから生じる焦点面のずれや拡散による計測誤差を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing deterioration in an element characteristic caused by diffusion of heavy metal adhering to the rear side of a semiconductor substrate, and increasing the mechanical strength.例文帳に追加

半導体基板の裏面に付着した重金属の拡散に起因する素子特性の劣化を抑制し、且つ機械的強度を高めることが出来る半導体装置を提供する。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

After eliminating the oxide films, a semiconductor layer of which wafer surfaces are diffused in a high concentration is eliminated through etching (6), and a semiconductor device having stable wafers is obtained by further drive diffusion.例文帳に追加

酸化膜を除去後，ウェハ表面の非常に高濃度に拡散された半導体層をエッチングにより除去し，さらにドライブ拡散して安定したウェハの半導体装置を得る。 - 特許庁

Alternatively, source/drain extension regions can be formed only in the upper corners of the semiconductor body adjacent to the gate conductor and deep source/drain diffusion regions can be formed in the ends of the semiconductor body.例文帳に追加

あるいは、ゲート導体に隣接する半導体ボディの上部コーナにのみソース／ドレイン拡張領域を形成し、半導体ボディの端部に深いソース／ドレイン拡散領域を形成し得る。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, a diffusion layer 12, a wiring layer 20, a contact plug 30, a contact testing opening 34, a via plug 40 and a via testing opening 44.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０、拡散層１２、配線層２０、コンタクトプラグ３０、コンタクト試験用開口３４、ビアプラグ４０、およびビア試験用開口４４を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To stably modulate a semiconductor laser chip by preventing physical breakage of the chip caused by the diffusion of a surface material into the solder used in the joining sections of a semiconductor laser, heatsink, and sub-mount.例文帳に追加

半導体レーザ、ヒートシンク、サブマウントの各接合部に使用した半田への表面材料の拡散による物理的破壊を防止し、半導体レーザチップの変調動作を安定して行う。 - 特許庁

To provide an inverse level shift circuit at a low cost with excellent reliability without using a Pch-DMOS(P-channel Double diffusion Metal Oxide Semiconductor) transistor that is configured on the same semiconductor substrate as a level shift circuit.例文帳に追加

Ｐｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタを使用せず、かつ、レベルシフト回路と同一半導体基板上に構成することで低コストで信頼性に優れた逆レベルシフト回路を提供する。 - 特許庁

The generation of the shape (111) facet can be restrained, by means of forming the peripheral area of the junction face of the elevated source/drain diffusion layer and the semiconductor substrate to the orientation <;010>; of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、エレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層と半導体基板との接合面の周辺部分を半導体基板の<010>方向に形成することで、形(111)ファセットの生成を抑制できる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for suppressing diffusion of aluminum into oxide semiconductor and etching selectively oxide semiconductor and aluminum oxide.例文帳に追加

アルミニウムの酸化物半導体への拡散を抑えると共に、酸化物半導体と酸化アルミニウムを選択的にエッチングすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent crystal defects originating from diffusion dislocation from occurring so as to improve a semiconductor device in manufacturing yield when the semiconductor device is formed by the use of a diffused silicon wafer.例文帳に追加

拡散シリコンウェハを用いて半導体デバイスを製造する際に、拡散転移に基づいて生じる結晶欠陥の発生を防止し、半導体デバイス製造の歩留まりを改善する。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.例文帳に追加

第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a division method of a nitride semiconductor wafer capable of reducing cost by dispensing with the formation of a current diffusion conductive film with respect to a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に対する電流拡散導電膜の形成を不要なものし、コストの低廉化を図ることができる窒化物半導体ウエハの分割方法を提供する。 - 特許庁

An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２下の半導体基板１１内には不純物領域１７が形成され、半導体基板１１の表面領域には拡散層１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the reduction in the breakdown voltage of the capacitor dielectric film formed on the impurities diffusion region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の不純物拡散領域上に形成されるキャパシタ誘電体膜の耐圧が低下するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the semiconductor memory 31 and the semiconductor switching element 32 is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加

半導体記憶素子３１，半導体スイッチング素子３２はそれぞれ、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタからなる。 - 特許庁

A blocking region 23 for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of a first control electrode 17 to the metal-semiconductor compound of a second control electrode 18 is formed.例文帳に追加

第１の制御電極１７の金属半導体化合物から、第２の制御電極１８の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域２３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 10 includes a first main electrode, connected to the third diffusion layer 2, a second main electrode connected to the semiconductor substrate 21 and a bus line 12 connected to both ends of the gate electrode.例文帳に追加

さらに、第３の拡散層２７と接続する第１主電極と、半導体基板２１と接続する第２主電極と、ゲート電極の両端に接続されるバスライン１２とを含む。 - 特許庁

To provide a new deep trench(DT) collar process which reduces disturbance of strap diffusion to an array metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのアレイ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に対するストラップ拡散の侵害を低減する、新しいディープ・トレンチ（ＤＴ）カラー・プロセスを提供する。 - 特許庁

A method is also provided for the formation of shallow junctions in a semiconductor substrate by diffusion of dopant from an implanted layer contained within a dielectric layer into the semiconductor surface.例文帳に追加

ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 - 特許庁

In the semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency; a clad layer 4, adjoining a substrate side of an active layer 5 is doped with diffusion impurities Zn so that the diffusion coefficient of the diffusion impurities becomes large in a portion doped with the diffusion impurities, thereby the impurities are prevented from accumulation in the active layer 5 of the impurities are restrained.例文帳に追加

ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with high performance and high reliability by suppressing diffusion of channel impurity of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのチャネル不純物の拡散を抑制し、高性能・高信頼性を実現しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for spectral diffusion type radar systems in which any virtual image signal due to a nonlinear component of an active device is inhibited.例文帳に追加

能動素子の非線形成分に起因した虚像信号を抑制したスペクトル拡散型レーダ装置用半導体装置を提供する。 - 特許庁

A thin film 14 composed of low melting point material is formed on a cleavage plane 12 of semiconductor laser 11 via a thermal diffusion preventing film 13.例文帳に追加

半導体レーザ１１のへき開面１２に熱拡散防止膜１３を介して低融点材料からなる薄膜１４を成膜する。 - 特許庁

The first diffusion layers 200 are each a second conductivity type, and are connected in parallel with each other to an input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

第１の拡散層２００は、第２導電型であり、半導体装置の入出力端子に互いに並列に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having small variations in resistance values of a lower diffusion layer and high reliability, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves low power consumption operation and high speed operation by reducing the parasitic capacity of a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層の寄生容量を低減させて、低消費電力動作および高速動作を達成する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can be operated at a low voltage by increasing the coupling ratio of a diffusion layer and a floating gate.例文帳に追加

拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加させることによって、低電圧化を図ることが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The P+ diffusion layers 4 and 5 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are provided on the rear surface side to the incident surface of a semiconductor board 3.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層４，５、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板３の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where, comprising a copper wiring, a trace amount of diffusion of a copper atom into a memory housing region is surely prevented.例文帳に追加

銅配線を備え、メモリ収納領域への銅原子の微量の拡散を確実に防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a high-concentration impurity diffusion layer 9 is embedded in a polysilicon film as a gate electrode of the groove type transistor.例文帳に追加

溝型トランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜中に高濃度不純物拡散材料９が埋設された構造を有する。 - 特許庁

To provide a film formation method capable of restraining diffusion of copper to an interlayer film from a copper substrate used for a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子などに使用される銅基板から層間絶縁膜への銅の拡散を抑制できる膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which simplify manufacturing processes and suppress the diffusion of copper.例文帳に追加

製造工程を簡略化でき且つ銅の拡散をより抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The P+ diffusion layers 3 and 4 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are formed at the back face side faced to the incident face of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層３，４、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板２の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

Accordingly, diffusion of B at activation thermal treatment can be suppressed and areas made of p-type semiconductor are formed without spreading.例文帳に追加

これにより、活性化熱処理の際のＢの拡散が抑制され、ｐ型半導体で構成される各領域が広がらずに形成される。 - 特許庁

Further, unwanted diffusion of an impurity introduced into the semiconductor substrate is suppressed, by forming the film under low temperature conditions.例文帳に追加

また、低温条件で成膜することにより、半導体基板内に導入されている不純物の不要な拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell with high photoelectric conversion efficiency by easily forming an impurity diffusion layer on one of sides of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一方の面に不純物拡散層を容易に形成し、光電変換効率の高い太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for forming a memory cell suppressed in leak current through a storage diffusion layer.例文帳に追加

ストレージ拡散層を介したリーク電流の抑制が図られたメモリセルの作製に適した、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor which suppresses the short channel effect by forming a shallow impurity diffusion layer.例文帳に追加

深さの浅い不純物拡散層を形成することにより短チャネル効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁