「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A resistance diffusion region 7 is formed inside a semiconductor substrate 1 under a first MOS transistor 4 and a second MOS transistor 5, so as to be isolated by an insulating film 2.例文帳に追加

抵抗拡散領域７は絶縁膜２を隔てて第１および第２ＭＯＳトランジスタ４，５下部の半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high reliability by surely suppressing source/drain lateral direction diffusion so as to satisfy requirements of further micronization and high performance.例文帳に追加

ソース／ドレインの横方向拡散を確実に抑止し、更なる微細化及び高性能化の要請を満たし、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

To efficiently conduct a film-depositing work such as epitaxial growth or a work such as thermal diffusion or thermal oxidation for a semiconductor substrate having a large size while saving electric power.例文帳に追加

大面積半導体基板に対してエピタキシャル成長等の成膜作業や熱拡散、熱酸化等の作業を省電力で効率よく行う。 - 特許庁

Multiple values exceeding four values can be written by changing a writing voltage which is applied to a diffusion region, when accumulating an electric charge on an accumulation nitride film in an MONOS-type laminated structure of the nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型積層構造中の蓄積窒化膜に電荷を蓄積する最に、拡散領域に印加される書込み電圧の値を変化させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device including low resistance n-type diffusion region in germanium or silicon germanium containing 20% germanium and higher.例文帳に追加

ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が２０％以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のｎ型拡散領域を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor wafer and a highly reliable light-emitting device which suppress deterioration in the output of light emission based on the diffusion of an impurity to an active layer.例文帳に追加

活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing diffusion to the interlayer insulating film of a wiring material, such as a barrier metal and Cu.例文帳に追加

バリアメタルやＣｕなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device manufacturing method wherein misalignment between a tunnel diffusion region and a tunnel window is suppressed without enlargement of the device.例文帳に追加

トンネル拡散領域とトンネル窓のアライメントずれを抑制することができ、大型化することのない半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

The semiconductor element 2, an input electrode 3A, an output electrode 3B, an insulation 4, and the thermal diffusion section 5 are modularized together by the resin mold 6.例文帳に追加

樹脂モールド６により、半導体素子２、入力電極３Ａ、出力電極３Ｂ、絶縁材４、熱拡散部５が一体モジュール化されている。 - 特許庁

To perform a total operational check in an on-wafer state as much as possible after a diffusion process for reduction in the manufacturing cost of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製品コストを下げるためには、拡散工程後にオン・ウェハ状態で出来るだけ全動作チェックを行えることが重要である。 - 特許庁

To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.例文帳に追加

消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device improved in electrical and optical characteristics by enhancing current diffusion effect and giving surface roughness.例文帳に追加

電流拡散効果を改善し、さらに表面粗さを与えることにより、電気的、光学的特性が向上した窒化物半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for quickly extracting suitable parameters from a diffusion model in computer simulation of semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体の製造プロセスの計算機シミュレーションでの拡散モデルのパラメータの抽出方法において、適切なパラメータを迅速に抽出することを可能にする。 - 特許庁

The CMOS circuits (7 to 11), resistor (13) and capacitor (12) are respectively provided in a semiconductor region 2 surrounded by the diffusion region 6 for contact.例文帳に追加

コンタクト用拡散領域６に囲まれた半導体領域２に、ＣＭＯＳ回路（７〜１１など）、抵抗（１３など）、容量（１２など）が設けられている。 - 特許庁

This light source device uses a semiconductor laser 1 having a small diffusion of emitted light and exhibiting a large speckle amount, and is applied to IrDA1.1.例文帳に追加

光源装置は、出射光の拡散程度が小さく大きなスペックル量を呈する半導体レーザ１を用いており、ＩrＤＡ１.１に適用される。 - 特許庁

To form a film for preventing diffusion of solder at a low cost, and to provide a reliable wiring board or semiconductor device.例文帳に追加

本発明の目的は、はんだの拡散を防止する膜を低コストで形成し、信頼性の高い配線基板または半導体装置を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor is composed of the diffusion layer 1 with a plurality of power source nodes 7 provided, a first wiring layer 2, a second wiring layer 8, and a package 11.例文帳に追加

複数の電源ノード７が設けられた拡散層１と、第１の配線層２と、第２の配線層８と、パッケージ１１とで半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a Zn diffusion region 7, having a Zn concentration of 5E18/cm^3 or lower inside an Al_xGa_1-xAs (0<x<1) semiconductor crystal 1.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１中に５Ｅ１８個／ｃｍ^3以下のＺｎ濃度を有するＺｎ拡散領域７を提供する。 - 特許庁

To make a semiconductor device finer, and suppress a current leak in a common contact connecting a gate electrode and an impurity diffusion area.例文帳に追加

半導体装置を微細化するとともに、ゲート電極と不純物拡散領域とを接続する共通コンタクトにおける電流リークを抑制する。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has a plug coming into contact with a capacitor electrode capable of preventing a dielectric film and a diffusion barrier film from coming into contact.例文帳に追加

誘電膜と拡散バリア膜との接触を防止し得るキャパシタ電極と接するプラグを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An impurity is implanted to form a low concentration diffusion layer 15 on the surface layer of the semiconductor substrate 1 with the gate electrode 5 and the sidewall 13 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極５およびサイドウォール１３をマスクにして半導体基板１の表面層に低濃度拡散層１５形成のための不純物を導入する。 - 特許庁

To form a diffusion prevention layer of copper with a material which does not cause a decrease in the performance of a resistance change type semiconductor storage device.例文帳に追加

本発明は、抵抗変化型の半導体記憶装置の性能低下を引き起こさない材料で銅の拡散防止層が形成されることを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device where a titanium-containing nitride film hard to be peeled and having high barrier properties to the diffusion of metal can be formed.例文帳に追加

剥離しにくく、金属の拡散に対してバリア性の高いチタン含有の窒化膜を形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

In this case, the first metallic layer 19 is formed by the thermal diffusion of the Pd to the surface area of the semiconductor substrate 12 through the second metallic layer 20.例文帳に追加

ここで、第１金属層１９は、第２金属層２０を介した半導体基板１２の表面領域への、Ｐｄの熱拡散により形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents diffusion of gold though wiring composed of a gold layer is used and has an excellent anticorrosiveness, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金層からなる配線を用いながら、金の拡散を防止でき、腐食性も良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a gap between a plurality of adjacent guard ring diffusion layers is narrowed and a breakdown voltage at a terminating part is increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数の隣り合うガードリング拡散層間の間隔を狭め、終端部における耐圧を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses diffusion of Al of a DBR including an AlGaAs layer and also suppresses a decrease in light emission intensity.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲにおけるＡｌの拡散を抑え、発光強度の低下を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents spikings into a thin back diffusion region, and has a high breakdown voltage non-detectiveness ratio; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

薄い裏面拡散領域に侵入するスパイキングを防止し、高い耐圧良品率を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor device in which generation of a junction leak current is suppressed by suppressing diffusion of metal.例文帳に追加

金属の拡散を抑えることによって、接合リーク電流の発生を抑制するとともに信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the p-type semiconductor region 45, the position of an impurity concentration peak is located separate from the forming position of a low-concentration n-type impurity diffusion region 44.例文帳に追加

このｐ型半導体領域４５において、不純物濃度のピーク位置は、低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の形成位置から離れている。 - 特許庁

To suppress increase of wire resistance by a barrier film while securing a function as a diffusion barrier of the barrier film, in wiring of a semiconductor device or a circuit board.例文帳に追加

半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element comprising a capacitor protective film and a low-resistance contact material film which prevent degradation of a capacitor dielectric film due to impurity diffusion.例文帳に追加

不純物拡散によるキャパシタ誘電膜の劣化を防止するキャパシタ保護膜及び低抵抗コンタクト用物質膜を含む半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded insulating film 4.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering the contact resistance of a gate diffusion layer and a gate electrode and realizing a high- speed operation, and a manufacturing method.例文帳に追加

ゲート拡散層とゲート電極との接触抵抗が低くて高速な動作を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Hydrogen in the insulating layer is immobilized to prevent diffusion of hydrogen from the insulating layer to the oxide semiconductor layer by the chlorine implantation.例文帳に追加

塩素の導入により、絶縁層中の水素を固定化し、絶縁層中から酸化物半導体層中への水素の拡散を防ぐとことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which comprises a full silicide gate of which short-circuit is prevented between a gate electrode and a source-drain diffusion layer.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン拡散層との間でのショートが防止されたフルシリサイドゲートを有する半導体装置およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces a capacitance related to a gate electrode and source/drain regions provided with stacked diffusion layers, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極と、積み上げ拡散層を有するソース、ドレイン領域とに纏わる容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the transistor array, an epitaxial layer is formed on a semiconductor substrate, and n double diffusion DMOS transistors (Trs) are horizontally arranged on the epitaxial layer.例文帳に追加

このトランジスタアレイは、半導体基板上にエピタキシャル層が形成され、エピタキシャル層にｎ個の二重拡散トランジスタＤＭＯＳ Ｔｒ．が横に配列される。 - 特許庁