「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor evaluating apparatus, which measures and evaluates at high resolution a fine structure such as p-n junction position of a semiconductor and diffusion distance of minor carrier using a proximity field interaction.例文帳に追加

本発明は近接場相互作用を利用して半導体のｐ−ｎ接合位置や少数キャリアの拡散長等の微細構造を高分解能で測定して評価する半導体評価装置を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor element with a desired characteristic by suppressing the diffusion of unnecessary dopant of the group III-V compound semiconductor element, so as to suppress the deterioration of an element characteristic.例文帳に追加

本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の不必要なドーパントの拡散を抑えることにより、素子特性の劣化を抑制し、所望の特性のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A laser device 10 obliquely irradiates a light beam onto the surface of the semiconductor wafer 1, and a photoelectric transfer element 20 receives diffusion light generated on the surface of the semiconductor wafer 1 to output an image signal.例文帳に追加

レーザー装置１０は光ビームを半導体ウェーハ１の表面へ斜めに照射し、光電変換素子２０は半導体ウェーハ１の表面で発生した散乱光を受光して画像信号を出力する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor substrate 11 is mounted in a diffusion furnace 14, polymerization reaction is made to progress by heating at 450°C for sixty minutes while N2 gas is made to flow into the diffusion furnace 14, and the organic SOG film 12 is cured, as shown in a figure (d).例文帳に追加

次いで、図１（ｄ）に示すように、拡散炉１４内に半導体基板１１を載置し、拡散炉１４の中にＮ_2 ガスを流し込みながら、４５０℃６０分間加熱することにより、重合反応を進行させ、有機ＳＯＧ膜１２を硬化させる。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたドリフト領域１１の一方の側方にＰ型ボディ部５を形成し、このＰ型ボディ部５上にＮ^＋型第１ソース拡散領域部７1ＳおよびＮ^＋型第２ソース拡散領域部７２Ｓを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which, even if a nitride film is present near a transistor, enhanced diffusion of arsenic into a silicon dioxide film and enhanced diffusion of arsenic into a silicon substrate can be avoided and also deterioration of a tunnel oxide film will not be caused.例文帳に追加

トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the penetration of a contact hole into a diffusion layer can be prevented and the generation of defective conduction without allowing the contact hole to extend to the diffusion layer can be prevented without increasing manufacturing manhour.例文帳に追加

製造工数の増加を行わなくても、コンタクトホールの拡散層の突き抜けを防止できると共に、コンタクトホールが拡散層に到達せずに導通不良が発生することを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second drain region 3 is formed with a low concentration having a deep diffusion length to a first drain region 5 and, at the same time, a punch through preventing area 2 of a low concentration having a diffusion length shallower than that of the second drain region 3 is provided in a channel forming region.例文帳に追加

第２ドレイン領域３を第１ドレイン領域５に対して深い拡散長の低濃度で形成するとともに、チャネル形成領域にドレイン領域３より浅い拡散長の低濃度のパンチスルー防止領域２を設けた。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、ＤＲＡＭ及びロジック回路の形成領域において、拡散層６上に層間絶縁膜７を堆積し、所定位置に拡散層６とメタル配線Ｍ１とのコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for restraining a diffusion layer from increasing in sheet resistance due to segregation of impurities and forming an impurity diffusion layer of shallow junction depth without contaminating a substrate.例文帳に追加

基板の汚染を発生させることなく、不純物の偏析に起因する拡散層のシート抵抗値の増大を抑制することができ、浅い接合深さの不純物拡散層を形成するのに好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high reliable semiconductor device which reduces the effect due to the diffusion of nitrogen and hydrogen from silicon nitride film for suppressing diffusion of metals from a metal wiring portion to an inter layer dielectric film, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

金属配線部から、金属が層間絶縁膜に拡散することを抑制するためのシリコン窒化膜等から窒素や水素が拡散することによる影響を軽減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

The sensor system is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pairs of photo gates each including a first photo gate and a second photo gate, a first shared floating diffusion region formed in the semiconductor substrate, and a plurality of first transmission transistors formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第１フォトゲートと第２フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第１共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第１伝送トランジスタと、を含む。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light receiving element array has a light absorbing layer 3 formed on a conductivity type semiconductor substrate 2, and also has a plurality of diffusion regions 5 of the opposite conductivity type from the conductivity type semiconductor substrate 2 formed in a conductivity type semiconductor layer 4 provided right on the light absorbing layer 3.例文帳に追加

受光素子アレイは、導電型半導体基板２上に形成された光吸収層３を有し、かつ、導電型半導体基板２と逆の導電型の拡散領域５を光吸収層３の直上に設けられた導電型半導体層４内に複数形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線２２０とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン４３２ａを含む。 - 特許庁

The diffusion agent composition used for forming an impurity diffusion layer into a semiconductor substrate contains: an impurity diffusion composition (A); a silicon compound (B); and a solvent (C) containing a solvent (C1) having a boiling point of 100°C or less, a solvent (C2) having a boiling point of 120-180°C and a solvent (C3) having a boiling point of 240-300°C.例文帳に追加

拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、ケイ素化合物（Ｂ）と、沸点が１００℃以下である溶剤（Ｃ１）、沸点が１２０〜１８０℃である溶剤（Ｃ２）、および沸点が２４０〜３００℃である溶剤（Ｃ３）を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。 - 特許庁

To provide a solid imaging device and the manufacturing method thereof wherein the optical reflection caused by the difference between the refractive index of a wiring interlayer film and the one of a metal-diffusion preventing film is reduced, without the conventional selective removal of the metal-diffusion preventing film disposed above a sensor portion, and the diffusion of its metal wiring to its semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a DRAM section 102, including a transistor consisting of a first diffusion layer 108 formed in a silicon substrate 101, a gate electrode 118 formed on the silicon substrate 101, and a second diffusion layer 106 provided on the side opposite to the first diffusion layer 108, while holding the gate electrode 118 in between.例文帳に追加

半導体装置１００は、ＤＲＡＭ部１０２を含み、ＤＲＡＭ部１０２に、シリコン基板１０１内に形成された第１拡散層１０８と、シリコン基板１０１上に形成されたゲート電極１１８と、ゲート電極１１８を挟んで第１拡散層１０８の反対側に設けられた第２拡散層１０６とから構成されるトランジスタを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a polycrystaline silicon electrode connected to the diffusion layer of a cell transistor and a metal electrode connected to the diffusion layer of a peripheral transistor are installed, and bonding leakage current of the diffusion layer is restrained in which the polycrystaline silicon electrode has been formed, so that good data holding characteristics is installed.例文帳に追加

セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１とするたとえばｎ形の半導体層の表面側に規則的にｐ形の拡散領域（ボディ領域２）が複数個形成されている。 - 特許庁

To provide an insulating film which can be used as a hard mask, an etching stopper, a CMP stopper, a metal diffusion stopper, etc. in the manufacturing of a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体装置などの製造において例えばハードマスク、エッチングストッパー、ＣＭＰストッパー、金属拡散ストッパーなどとして利用できる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a resistance regulating device that electrically regulates, so that variation in resistance value of a diffusion layer manufactured in a semiconductor process is contained within a definite range.例文帳に追加

半導体プロセスによって製造された拡散層の抵抗値のばらつきを一定の範囲内に入るように、電気的に調整可能な抵抗調整装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which signal delay can be suppressed and diffusion of a barrier metal into an interlayer dielectric being formed with a contact hole having a high aspect ratio is reduced.例文帳に追加

信号遅延を抑制することができるとともに、アスペクト比が高い接続孔が形成される層間絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減する。 - 特許庁

In a guard ring region 3, second diffusion layers 3a, 3b, 3c of a second conductivity type are provided in the main surface of a semiconductor substrate 5 of a first conductivity type.例文帳に追加

ガードリング領域３において、第１導電型の半導体基板５の主面に、ガードリングとなる第２導電型の第２拡散層３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of injecting a uniform current into a gain unit by suppressing the Zn diffusion in the resonator lengthwise direction through the heat treatment upon the formation of a window structure.例文帳に追加

窓構造形成時の熱処理により共振器長方向へのＺｎ拡散を抑制し、利得部に均一な電流注入ができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a static protection element in which static damage is reduced by avoiding concentration of current to the vicinity of surface of an impurity diffusion region.例文帳に追加

静電保護用素子を有する半導体装置において、不純物拡散領域の表面近傍における電流集中を回避して静電破壊を起こり難くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a barrier insulating film of lower specific inductive capacity can be formed, while maintaining denseness by which the diffusion of copper can be prevented.例文帳に追加

銅の拡散を防止できる緻密性を維持しつつ、さらに低い比誘電率のバリア絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem, where nickel of a nickel-plated layer is moved the surface of a gold-plated layer for diffusion, and the electrode of a semiconductor element cannot be connected firmly and electrically to a wiring layer.例文帳に追加

ニッケルめっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散して半導体素子の電極を配線層に強固に電気的接続できない。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that prevents a drop in bonding breakdown voltage of a source-drain diffusion layer while improving reliability to hot carrier effects.例文帳に追加

ホットキャリア効果に対する信頼性を向上させると共にソースドレイン拡散層の接合耐圧を低下させることがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁