「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A resistance change portion 22 is formed between a part of surface region of the semiconductor substrate on the underside of the control electrode and the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部２２は、半導体基板の表層領域の、制御電極の下側の領域部分と不純物拡散領域との間に形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A plurality of island-like back gate diffusion layers 7bs of a first conductivity type are formed in contact with the semiconductor substrate 1 inside the source 7s.例文帳に追加

ソース７ｓ内に、半導体基板１に接して形成された島状の第１導電型のバックゲート拡散層７ｂｓが複数形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring structure and wiring forming method of semiconductor integrated circuit of lower resistance with maintaining barrier properties of Cu diffusion prevention function.例文帳に追加

Ｃｕ拡散防止機能のバリア性を維持しつつ、より低抵抗の半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for effectively etching the insulating film formed on a substrate when forming a diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中に拡散領域を形成する場合において、基板上に形成された絶縁膜のエッチング処理を効率良く行う方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric film 5 is formed on the surface of an SOI semiconductor substrate 3 surface, including the surfaces of piezoresistance elements R1-R8 and diffusion lead wires L1-L12.例文帳に追加

ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８と拡散リード線Ｌ１〜Ｌ１２の表面を含むＳＯＩ半導体基板３表面には絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上に、第２の拡散防止層７、第２の層間絶縁膜８およびキャップ層９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing impurity diffusion to a silicide layer, and for sufficiently transferring impurity in a silicon layer.例文帳に追加

シリサイド層への不純物拡散を抑制し、シリコン層中に不純物を十分行き渡ることのできる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein device performance can be improved by preventing diffusion of impurities from a gate electrode to the outside.例文帳に追加

ゲート電極からの不純物の外方拡散を防止して、デバイス性能を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

COPPER DIFFUSION-PREVENTING BARRIER FILM, FORMATION METHOD OF THE SAME, FORMATION METHOD OF SEED LAYER FOR DAMASCENE COPPER WIRING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THE DAMASCENE COPPER WIRING例文帳に追加

銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing a parasitic capacity between two impurity diffusion regions having opposite conductive types mutually.例文帳に追加

相互に反対導電型を有する２つの不純物拡散領域の間の寄生容量を低減させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor comprises a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁

Grooves 13a and 13b are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 15, and impurity diffusion layers 12a and 12b are formed on bottoms of the grooves 13a and 13b.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板１５に溝１３ａ，１３ｂを形成し、この溝１３ａ，１３ｂ底面部に、不純物拡散層１２ａ，１２ｂを形成する。 - 特許庁

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage wherein a plurality of ferroelectric capacitors are fully covered with a hydrogen diffusion preventing film, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタを水素拡散防止膜で十分に被覆した半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加

補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor and a method of manufacturing the same, capable of preventing diffusion of Cu around electrodes and reducing leak current.例文帳に追加

電極の周囲へのＣｕの拡散を防止することができ、かつ、リーク電流の低減を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device capable of restraining an output from lowering owing to hydrogen diffusion of an undesired amount to a crystalline semiconductor.例文帳に追加

結晶系半導体への不所望な量の水素拡散に起因する出力の低下を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor region 12 on the opposite sides of the channel portion 13, n-type impurity diffusion layers 161 and 162 for source/drain electrodes are formed.例文帳に追加

チャネル部１３を隔てた両側の半導体領域１２にソース／ドレイン電極用のＮ型不純物拡散層１６１，１６２が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part.例文帳に追加

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。 - 特許庁

This variable gain circuit is equipped with two diffusion regions 12 and 13 which are made at a specified interval within a semiconductor substrate, an insulating layer 16 which is provided in the region caught between the two diffusion regions 12 and 13 besides being on the semiconductor substrate, and a gate 17 which is provided on this insulating layer 16.例文帳に追加

この発明は、半導体基板内に所定間隔をおいて形成させた２つの拡散領域１２、１３と、半導体基板上であってその２つの拡散領域１２、１３に挟まれた領域に設けた絶縁層１６と、この絶縁層１６上に設けたゲート１７とを少なくとも備えている。 - 特許庁

When erasing information in the non-volatile semiconductor memory device, the semiconductor substrate 1 is made to be in a floating state, and a voltage having a first polarity is applied to the first diffusion region 2 or the second diffusion region 3, and a pulsing voltage having a second polarity which is the opposite polarity of the first polarity is applied to the gate electrode 7.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の消去時は、半導体基板１をフローティングの状態とし、第１の拡散領域２または第２の拡散領域３に第１の極性を持つ電圧を印加し、ゲート電極７に第１の極性とは逆の極性である第２の極性を持つパルス状の電圧を印加する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加

半導体素子は、素子領域内の半導体基板１１に離間して設けられた１対の第２拡散層２１５と、１対の第２拡散層２１５間の素子領域表面上に設けられた第１絶縁膜１１１ｂと、第１絶縁膜１１１ｂ上に設けられた第１ゲート電極１１２ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which diffusion of impurity ions into an organic function layer can be prevented without elevating the drive voltage and deterioration in emission efficiency or reliability due to such diffusion can be eliminated, and to provide a light emitting device, a process for fabricating a semiconductor device, and a process for fabricating a light emitting device.例文帳に追加

駆動電圧を高めることなく、有機機能層内への不純物イオンの拡散を防止でき、かかる拡散に起因する発光効率の低下や信頼性の低下を解消可能な半導体装置、発光装置、半導体装置の製造方法、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention film which can effectively suppress the permeation of hydrogen and which is superior in a hydrogen barrier property, to provide a method of manufacturing the diffusion preventive film, to provide a semiconductor memory element which is equipped with a capacitor comprising a stable ferreoelectric characteristic or a high dielectric characteristic and whose yield is satisfactory, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory element.例文帳に追加

水素の透過を効果的に抑制でき、水素バリア性の優れた拡散防止膜およびその製造方法を提供すると共に、安定した強誘電体特性または高誘電体特性を有するキャパシタを備えた歩留まりのよい半導体記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加

本発明の半導体電子線検出器は、Ｎ型である第１の半導体基板の表面上に、Ｐ型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第２の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suitably be used as a semiconductor chip to be mounted on an MCP, suppresses diffusion of heavy metal from the backside of the semiconductor device to nearby an element active area, and has high mechanical strength; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＭＣＰに搭載される半導体チップとして好適に使用でき、半導体装置の裏面から素子活性領域の近傍への重金属の拡散を抑制し、且つ高い機械的強度を有する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a plurality of bit line diffusion layers 108 formed above a p-type semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in parallel with each other, and a plurality of word line electrodes 110 formed above the semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in a direction respectively crossing the bit line diffusion layers 108 and in parallel with each other.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、Ｐ型の半導体基板１０１の上部にそれぞれが互いに並行に延びるように形成された複数のビット線拡散層１０８と、半導体基板１０１の上で、且つそれぞれが各ビット線拡散層１０８と交差する方向に互いに並行に延びるように形成された複数のワード線電極１１０とを有している。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor layer, two diffusion layers formed in the semiconductor layer and serving as the source region and the drain region respectively, a channel region defined between the two diffusion layers, a gate insulating film formed on the channel region and consisting of a silicon oxide film containing carbon atoms by 0.1-5.0 atm%, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

半導体層と、該半導体層内に形成され、ソース領域及びドレイン領域となる２つの拡散層領域と、該２つの拡散層領域間に定められるチャネル領域と、該チャネル領域上に形成され、炭素原子を０．１乃至５．０アトミックパーセント含むシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical diffusion furnace in which, even if a plurality of semiconductor substrates of orientation flat are loaded on a boat, the stream of a reactive gas is made uniform, so that an oxide film formed on a semiconductor substrate 10 becomes uniform.例文帳に追加

縦型拡散炉において、オリフラ１０ａのある複数の半導体基板１０をボ−トに積載しても反応ガスの流れを一様にし半導体基板１０に形成される酸化膜を均一にするようにする。 - 特許庁