「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁

Subsequently, a glass film is formed by heating it at a temperature lower than the diffusion temperature of Al and Al is diffused to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次に、Ａｌの拡散温度よりも低い温度で加熱してガラス膜を形成し、しかる後、Ａｌを半導体基板１に拡散する。 - 特許庁

A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加

第１の不純物拡散層６０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁

A ring-like n^+ diffusion region 1 is formed in the peripheral area of the surface region of a semiconductor substrate to surround a transistor cell.例文帳に追加

半導体基板の表面領域の外周領域にトランジスタセルを取り囲むようにリング状のｎ^+拡散領域１が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁

This semiconductor device comprises two trench capacitors 2a and 2b formed inside a semiconductor substrate 1, a first diffusion area 12 formed on those two trench capacitors 2a and 2b, a gate electrode 13 formed on a portion of the first diffusion area 12 and a second diffusion area 16 formed in the periphery of a gate electrode 13 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１内部に形成された２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂと、この２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂ上に形成された第１の拡散領域１２と、この第１の拡散領域１２上の一部に形成されたゲート電極１３と、半導体基板１表面であってゲート電極１３の周縁に形成された第２の拡散領域１６とを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lateral diffusion furnace is made to start dropping in temperature at the same time when the semiconductor wafers are started to be unloaded from the furnace, by which the furnace can be improved in temperature-fall follow-up properties.例文帳に追加

横型拡散炉の降温と半導体ウェハの搬出を同時に開始することにより、降温追従性が向上する。 - 特許庁

To provide a method for forming a capacitor of a semiconductor element, wherein an oxygen diffusion preventing characteristics is improved to prevent a leakage current from increasing.例文帳に追加

酸素拡散防止特性を向上させ、漏洩電流の増加を防止できる、半導体素子のキャパシター形成方法を提供する - 特許庁

To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a structure that is reduced in contact resistance between bit wiring and an impurity diffusion layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はビット配線と半導体基板上の不純物拡散層とのコンタクト抵抗を低減した構造の提供を目的とする。 - 特許庁

Then, impurities are introduced into the semiconductor wafer with the thermal oxide film 12 as a mask and then are diffused, thus forming a diffusion layer 10.例文帳に追加

その後、熱酸化膜１２をマスクとして半導体ウェハに不純物を導入し、拡散することにより拡散層１０を形成する。 - 特許庁

To prevent a deterioration in electrical characteristics of a semiconductor chip due to the mixture of impurities, which are associated with diffusion of impurities having opposite conductivity types.例文帳に追加

反対導電形の不純物拡散に伴う不純物の混合による半導体チップの電気的特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element which can be improved in crystallinity by preventing the diffusion of impurities such as Mg into an active layer.例文帳に追加

活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

A component for suppressing a diffusion of hydrogen included in the nitride semiconductor laser element 10 is included in the sealed atmosphere 80.例文帳に追加

封入雰囲気８０には、窒化物半導体レーザ素子１０中に含まれる水素の拡散を抑制する成分が含有されている。 - 特許庁

COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD例文帳に追加

アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where a fluorine diffusion preventing film which is uniform in thickness can be formed to keep it high in reproducibility.例文帳に追加

均一な厚さのフッ素拡散抑制膜を再現性よく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a two-wavelength semiconductor laser device suppressing the cause of a failure because of a diffusion of a dopant, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ドーパントの拡散による不具合の発生が抑制された二波長半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.例文帳に追加

この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁

To improve electrical characteristics furthermore when an impurity diffusion layer is formed in a semiconductor substrate used in a solar cell or the like.例文帳に追加

太陽電池などに用いられる半導体基板中に不純物拡散層を形成したときに電気特性のさらなる向上を図る。 - 特許庁

The holding capacitor is composed of a common electrode 11 comprising a diffusion layer formed on a semiconductor substrate and the capacitor electrode 10.例文帳に追加

保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。 - 特許庁

P^+ diffusion areas 23, 24 and 25 of 14-20 μm in depth (design value) are selectively formed on the surface layer of an n^- semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２２の表面層に、１４〜２０μｍ（設計値）の深さのｐ^+拡散領域２３，２４，２５を選択的に形成する。 - 特許庁

In the introduction of the electromagnetic absorber section 40, a semiconductor micro fabrication technique such as ion implantation or thermal diffusion can be used.例文帳に追加

電磁波吸収体部40の導入において、イオン注入または熱拡散などの半導体微細加工技術を用いることができる。 - 特許庁

The substrate 1 is heated at a temperature lower than the phosphorus diffusion temperature and the phosphorus is diffused in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１に拡散する。 - 特許庁

Diffusion layers as source or drain regions are formed in the semiconductor substrates 11 positioned on both sides of the floating gate FG.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧの両側に位置する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層が形成されている。 - 特許庁

A p-type diffusion region 3 is formed as an anode 2 of a diode on one-side main surface side of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の一方の主表面の側には、ダイオードのアノード２として、ｐ型拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

To reduce the deterioration of the characteristics of a semiconductor device due to the deformation of a connecting part by minimizing the number of connecting parts on a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上での接続部の数を最小として、接続部の変形による半導体デバイスの特性低下を低減する。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

The insulation circuit board has structure wherein one or more layers of a heat diffusion plate in which a ceramics plate is disposed are arranged between a circuit board and a radiating plate, the heat diffusion plate is made a current flowing path of the semiconductor power element, and, if necessary, a water channel for cooling is formed in the heat diffusion plate.例文帳に追加

回路板と放熱板の間に、セラミックス板を設けた熱拡散板を１層以上配置した基板で、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とし、必要に応じ熱拡散板中に冷却用の水路を設けた構造の絶縁回路基板。 - 特許庁

When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

The semiconductor image pickup element includes: a first conductivity-type semiconductor region 21 formed on a semiconductor substrate 30; a transfer gate 23 formed on the semiconductor substrate 30; a photodiode region 34 formed on the first conductivity-type semiconductor region 21; and a second conductivity-type floating diffusion region 31.例文帳に追加

半導体基体３０に形成された第１導電型の半導体領域２１と、半導体基体３０上に形成された転送ゲート２３と、第１導電型の半導体領域２１に形成されたフォトダイオード領域３４、及び、第２導電型のフローティングディフュージョン領域３１とを備える半導体撮像素子を構成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device has a pair of diffusion regions (for example, N-type diffusion regions 5) which are formed in the element formation region 1 so as to be apart from each other in a channel-length direction D on the basis of the gate electrode 4.例文帳に追加

更に、ゲート電極４を基準としてチャネル長方向Ｄに相互に離間するように素子形成領域１に形成された一対の拡散領域（例えば、Ｎ型拡散領域５）を有する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１に、Ｎ型拡散層３とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、Ｎ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

In a semiconductor device (an electronic device) 1, a liquid phase diffusion junction layer 56 is interposed on an electrode 110, having liquid phase diffusion metal at least on a surface layer to joint a metal bump electrode 40.例文帳に追加

半導体装置（電子デバイス）１において、少なくとも表面層に液相拡散金属を有する電極１１０上に液相拡散接合層５６を介在させて金バンプ電極４０が接合されている。 - 特許庁

To manufacture a photoelectric conversion element capable of achieving high photoelectric conversion efficiency by facilitating diffusion of an n-type dopant into a light absorption layer comprising a CIGS compound semiconductor in a uniform and sufficient diffusion density.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系化合物半導体からなる光吸収層へのｎ型ドーパントの拡散を容易に、均一かつ十分な拡散密度とし、高い光電変換効率を達成可能な光電変換素子を製造する。 - 特許庁

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

To make compatible the formation of a silicide layer for lowering the resistance of a diffusion layer and the formation of a diffusion layer compensation area for preventing the short circuit of a contact and a semiconductor substrate by over-etching at the formation of a contact hole.例文帳に追加

拡散層の低抵抗化を図るシリサイド層の形成と、コンタクトホールを形成する際のオーバエッチングによるコンタクトと半導体基板とのショートを防ぐ拡散層補償領域の形成との両立を図る。 - 特許庁

The high concentration diffusion area 13 keeps an approximately equal distance from the p-type semiconductor region 14 as if it surrounds the p-type semiconductor region 14, and has a first high concentration diffusion regions 13a to a sixth 13f that are respectively formed by keeping the equal distance.例文帳に追加

高濃度拡散領域１３は、Ｐ型半導体領域１４を囲むようにＰ型半導体領域１４からほぼ均等な距離だけ離間し、且つそれぞれ離間して形成された第１の高濃度拡散領域１３ａ〜第６の高濃度拡散領域１３ｆを備える。 - 特許庁