「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of suppressing diffusion of impurities from source/drain regions.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の拡散を抑制することができるＳＯＩ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device for thinning metal wiring, while suppressing diffusion of a wiring material.例文帳に追加

配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent device characteristics from deteriorating due to the diffusion of metal impurities to a semiconductor substrate in CMP or the like of a material film.例文帳に追加

金属膜のＣＭＰ等において、金属不純物が半導体基板へ拡散し、デバイス特性を劣化させることを防止する。 - 特許庁

To restrain the leakage current caused, i.e., by the ion diffusion in an embedded layer for forming an overflow barrier in the deep part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の深部にオーバフローバリアを形成するための埋め込み層のイオン拡散等によるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of increasing the impurity concentrations on the surface of a diffusion layer at low cost.例文帳に追加

低コストで拡散層の表面の不純物濃度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the diffusion region of boron can be formed in a predetermined region.例文帳に追加

所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。 - 特許庁

Then, treatment gas is diffused in the gas diffusion void 7 and is discharged from gas discharge holes 5 toward a semiconductor wafer W.例文帳に追加

この後、処理ガスはガス拡散用空隙７内で拡散して、各ガス吐出孔５から半導体ウエハＷに向けて吐出する。 - 特許庁

To provide a sputtering target used when a Ti-W film is formed as a diffusion-preventive film on a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の拡散防止膜として使用するＴｉ−Ｗ膜を形成するためのスパッタリングターゲットをを提供する。 - 特許庁

A Wheatstone bridge, that uses an impurity diffusion zone considering crystal orientation, is formed in a semiconductor single-crystal substrate.例文帳に追加

また、半導体単結晶基板において結晶方位を考慮に入れた不純物拡散層を用いたホイートストンブリッジを形成する。 - 特許庁

To provide a dual-gate semiconductor device capable of solving a problem associated with boron diffusion, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ホウ素拡散に伴う問題点を解決可能なデュアルゲート半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A feature of this embodiment 1 is that the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

本実施の形態１の特徴は、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成する点にある。 - 特許庁

In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

To improve the degree of integration by preventing the diffusion of semiconductor impurities that occurs in a manufacturing process of a vertical NPN transistor.例文帳に追加

縦型ＮＰＮトランジスタの製造過程で生じる半導体不純物の拡散を抑制して、集積度を向上させる。 - 特許庁

A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.例文帳に追加

また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing an effective structure having a function for preventing diffusion of hydrogen to a capacitor.例文帳に追加

キャパシタへの水素の拡散防止機能を有する効果的な構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Two impurity diffusion layers 4 are formed on a surface of the semiconductor substrate 1 at positions across the gate electrode 3 in plan view.例文帳に追加

半導体基板１の表面の、平面視でゲート電極３を挟む位置に２個の不純物拡散層４が形成されている。 - 特許庁

With this method, the diffusion of impurity ions in a semiconductor element can be prevented, and the contact resistance and leakage current can be reduced.例文帳に追加

これにより、半導体素子の不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる。 - 特許庁

A floating diffusion layer 1 for temporarily storing charges stored in a photodiode 5 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に、フォトダイオード５に蓄積された電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散層１が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加

活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The electrical characteristic prediction expression is an expression showing a correspondence relationship between the electrical characteristic of the semiconductor device and multiple types of diffusion parameters.例文帳に追加

電気特性予測式とは、半導体装置の電気特性と複数種の拡散パラメータとの対応関係を示す式である。 - 特許庁

To reduce resistance of a source diffusion layer, without having to increase the pattern area of a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルのパターン面積の増大を伴なうことなくソース拡散層の低抵抗化を行う。 - 特許庁

Spacers 14a and 14b are disposed between diffusion regions 11a and 11b, constituting a semiconductor element, and an element separation trench opposite the diffusion regions 11a and 11b to make constant stress from the element separation trench to the diffusion regions.例文帳に追加

半導体素子を構成する拡散領域１１ａ，１１ｂに対向して、拡散領域１１ａ，１１ｂと素子分離トレンチとの間に位置するようにスペーサ１４ａ，１４ｂを配置することにより、素子分離トレンチから拡散領域への応力を一定にするようにした。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

The diffusion layer 5 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 of the region specified by the position specifier, 4a so that its shape may be specified and the diffusion layer 5 may be connected with the electric conductive film 4 in series.例文帳に追加

拡散層５は、位置規定部４ａにより規定された領域の半導体基板１の表面上に形成されて形状が規定され、導電膜４と拡散層５が直列に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a p-type MIS transistor, which suppresses an increase of resistance of a p-type extension diffusion layer even when the p-type extension diffusion layer is joined shallowly.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタを有する半導体装置において、ｐ型のエクステンション拡散層の浅接合化を進めた場合でも、ｐ型のエクステンション拡散層が高抵抗化されることを抑制する。 - 特許庁

In the surface of the semiconductor regions 5, n-type diffusion regions 7 are formed, while between the n-type diffusion regions 7 and an insulation film 2, an n-type high- density embedded region is formed.例文帳に追加

また、半導体領域５の表面にはｎ形拡散領域７を形成すると共に、ｎ形拡散領域７と絶縁膜２との間にはｎ形高濃度埋込み領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer is configured such that a P+ diffusion region 8 and an N+ diffusion region 9 are respectively formed at each of both ends respectively connected to the anode electrode and the cathode electrode while the center is made as an intrinsic region 3.例文帳に追加

この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a window of a semiconductor laser capable of arranging a diffusion source film in the further vicinity of an active layer than before, and capable of further stably controlling the diffusion region.例文帳に追加

拡散源膜を従来方法よりも活性層の近くに配置することができ、拡散領域をより安定的に制御することができる半導体レーザの窓形成方法を提供する。 - 特許庁

A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view.例文帳に追加

押込拡散領域４４０よりも低濃度のＰ型の第１ウェル領域３００は、半導体層２００に、平面視で一部が押込拡散領域４４０と重なるように設けられている。 - 特許庁

The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.例文帳に追加

第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a formation method of a diffusion prevention film and a manufacturing method of a semiconductor device in which both prevention of variation in a threshold voltage due to diffusion of a threshold adjustment chemical element, etc. and simplification of a manufacturing process are achieved.例文帳に追加

拡散防止膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、閾値調整元素の拡散等による閾値電圧の変動の防止と製造工程の簡素化を両立する。 - 特許庁

In this MOS semiconductor device, an insulator composed of an oxide film, nitride film, etc., formed by the CVD method is embedded in the overlapping section of a gate electrode and a source diffusion layer or a drain diffusion layer, so that no void is formed.例文帳に追加

ゲート電極とソース拡散もしくはドレイン拡散のオーバーラップ部分に空隙が生じない様にＣＶＤ法による酸化膜もしくは窒化膜等の絶縁物を埋め込んだことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for controlling electrical characteristics of a semiconductor layer by which an n type diffusion layer and a p type diffusion layer that have low resistance and high impurity density can be very simply formed.例文帳に追加

極めて簡単な方法で、低抵抗・高不純物密度のｎ型拡散層及びｐ型拡散層を形成することが出来る半導体層の電気的特性制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities although the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.例文帳に追加

ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode 10 on a substrate 50, and a source diffusion layer 30 and a drain diffusion layer 30 which are adjacent each via an insulation film 20 in the gate electrode 10.例文帳に追加

半導体装置は、基板５０上に、ゲート電極１０と、ゲート電極１０に絶縁膜２０を介して夫々隣接するソース拡散層３０及びドレイン拡散層３０とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a wiring part 50 containing copper wirings 16a and 16b and a memory cell part 30 on a semiconductor substrate 1, while in a region surrounding the memory cell part, copper diffusion preventing films 14, 9b, and 13b for preventing diffusion of the copper atom from the wiring part are provided.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板１上にメモリセル部３０と銅配線１６ａ，１６ｂを含む配線部５０とを備え、メモリセル部を取り囲む領域に、配線部からの銅原子の拡散を阻止する銅拡散防止膜１４，９ｂ，１３ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁