「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which forms a minute impurity diffusion region, and to provide the semiconductor apparatus and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

微細な不純物拡散領域を形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby.例文帳に追加

半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, in which a carbon-containing region is formed for preventing dopant diffusion during production of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造中にドーパントの拡散を防止するために、炭素含有領域が形成される半導体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique for applying a silicide layer to a diffusion layer on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated-circuit device having a logic and DRAMs.例文帳に追加

ロジックとＤＲＡＭとを備えた半導体集積回路装置において、半導体基板の拡散層にシリサイド層を適用することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device which can suppress the external diffusion of impurities introduced to a polysilicon resistor.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗に導入された不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a barrier layer excellent in adhesion with copper and in copper diffusion prevention performance, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

銅との密着性および銅拡散防止性能に優れるバリア層を有する半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device contains a second conductivity-type first diffusion region tub formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor substrate sub.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、第１導電型の半導体基板ｓｕｂの表面に形成された第２導電型の第１拡散領域ｔｕｂを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and its manufacturing method capable of efficiently preventing the diffusion of a metal for an interlayer connection of a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の層間接続のための金属の拡散を効率よく防止できる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide means for stabilizing the overlap quantity of a low concentration diffusion layer beneath the gate electrode of a semiconductor electrode and for refining the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のゲート電極下の低濃度拡散層のオーバラップ量を安定させると共に半導体素子の微細化を図る手段を提供する。 - 特許庁

The method for forming the electrically conductive metal line onto a semiconductor substrate includes forming a diffusion prevention film 105 on the whole area of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板上への導電金属ラインの形成方法は、半導体基板１００の全面上に拡散防止膜１０５を形成することを含む。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor 30A having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタ３０Ａを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having diffusion of Zn into an active layer suppressed, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

活性層中へＺｎの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in size of a semiconductor device by forming a resistance element on a diffusion layer with a good area efficiency.例文帳に追加

半導体素子の拡散層に抵抗素子を面積効率よく形成し、半導体素子の大型化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses variance in resistance value of an impurity diffusion region.例文帳に追加

不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high density diffusion region with a low resistance, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗な高濃度拡散領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing narrow channel effect due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

不純物の拡散によるナローチャネル効果の発生を抑制することを可能にする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which suppresses diffusion of Zn and Si, and does not deteriorate an active layer.例文帳に追加

ＺｎおよびＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させることがない半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a shallow junction depth by suppressing excessive accelerated diffusion.例文帳に追加

過度増速拡散を抑制することにより浅い接合深さを持つ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a dislocation and the rise of a diffusion resistance in an edge of source/drain regions of CMIS.例文帳に追加

ＣＭＩＳのソース・ドレイン領域端部における転位の発生および拡散抵抗の上昇を防止する。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a surface photo diode 5 and the floating diffusion 7, on a front surface side of a semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体基板３の表面側に表面フォトダイオード５とフローティングディフュージョン７とを備えている。 - 特許庁

At least the edge of the semiconductor layer (the P+ diffusion region, the intrinsic region) is covered with the anode electrode.例文帳に追加

この半導体層（Ｐ＋拡散領域、真性領域）の少なくともエッジ部分をアノード電極で被覆する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided, where a diffusion layer 5 is formed at a SOI layer 12 under a sidewall 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、サイドウォール１４の下のＳＯＩ層１２には、拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE OF SUCH STRUCTURE THAT DIFFUSION OF COPPER IS RESTRAINED, AND ITS MANUFACTURE, AND METHOD OF DETECTING DIFFUSED COPPER例文帳に追加

銅の拡散を抑制した構造の半導体装置とその製造方法、及び拡散した銅の検出方法 - 特許庁

By heating the semiconductor substrate 11 to reactivate boron, borons in the two diffusion layers are relocated.例文帳に追加

半導体基板１１を加熱して、ボロンを再活性化させることにより、２つの拡散層のボロンを再配置させる。 - 特許庁

A first conductivity type charge transfer destination diffusion layer 22 is formed on a surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

第１導電型の電荷転送先拡散層２２は、半導体基板１１の表面に形成されている。 - 特許庁

POLISHED COMPOSITION FOR COPPER-BASED METAL, POLISHED COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅系金属用研磨組成物、銅拡散防止材料用研磨組成物および半導体装置の製造方法 - 特許庁

A second impurity diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 to overlap with the floating gate 40.例文帳に追加

第２の不純物拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which effectively reduces the junction leakage current in the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域の接合リーク電流を効果的に低減した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform diffusion layer in the surface of a spherical semiconductor.例文帳に追加

球状の半導体の表面に均一な拡散層を形成するための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By heating the semiconductor substrate 11, the regions of the diffusion layers which are turned into silicides are turned into silicides to form silicide layers 21A and 21B.例文帳に追加

半導体基板１１を加熱することにより、シリサイド化させてシリサイド層２１Ａ，２１Ｂを形成する。 - 特許庁

An inner diffusion layer 118 and a low carrier concentration semiconductor layer 119 are also formed on the light receiving surface side.例文帳に追加

また、受光面側にも、内部拡散層１１８及び低キャリア濃度半導体層１１９が形成される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of preventing diffusion of Mg doped in a barrier layer.例文帳に追加

障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer (CCD transfer channel) 4 is selectively formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１の表面に選択的にｎ型拡散層（ＣＣＤ転送チャンネル）４を形成する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTING OUTWARD DIFFUSION OF CARBON IN WAFER HAVING CARBON-CONTAINING REGION例文帳に追加

炭素含有領域を有するウエハの炭素外方拡散を防止するための半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

The impurity diffusion region consists of a pair of regions formed at the location sandwiching the gate electrode formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。 - 特許庁

The plurality of heat transfer diffusion portions 31 are arranged while layered so as to hold the semiconductor element 26 from both sides.例文帳に追加

複数の伝熱拡散部３１は、半導体素子２６を両側から挟持するように積層して配置される。 - 特許庁

Thereafter, a thermal oxidization process is applied to the semiconductor substrate 100, including the diffusion-preventing spacer 164a formed thereon.例文帳に追加

以後、拡散防止スペーサ１６４ａが形成された半導体基板１００に対して熱酸化工程を実施する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device, and its fabricating method, in which a diffusion of copper is prevented surely.例文帳に追加

銅の拡散が確実に防止された信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein changes of locations of junctions of source and drain diffusion layers are avoided.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層のジャンクションの位置が変化することを回避可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has: a first-conductivity-type well 10; a plurality of first diffusion layers 200 formed in the well 10; a plurality of second diffusion layers 300 formed in the well 10; and a diffusion resistance layer 400 formed in the well 10.例文帳に追加

第１導電型のウェル１０、ウェル１０に形成された複数の第１の拡散層２００、ウェル１０に形成された複数の第２の拡散層３００、及びウェル１０に形成された拡散抵抗層４００を有する。 - 特許庁

A semiconductor device has impurity diffusion regions formed on a substrate 11, the impurity diffusion mask 12 which is provided with cutouts and formed on the substrate 11, and electrodes formed on the impurity diffusion regions.例文帳に追加

基板１１に形成された複数の不純物拡散領域と、前記基板１１上に形成され、部分的に欠けた形状を有する不純物拡散用マスク１２と、前記不純物拡散領域上に形成された電極とを有する。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁