「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate for semiconductor devices excellent in thermal diffusion characteristics and heat dissipation characteristics without generating curvature and deformation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

反り及び変形が発生せず、熱拡散性及び放熱性が優れた半導体装置用積層基板の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer.例文帳に追加

拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming an impurity low-density diffusion region close to a gate electrode in a second region, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

第２領域において不純物低密度拡散領域をゲート電極に近接して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses diffusion of copper elements in a semiconductor substrate direction and a leakage current between adjacent wiring layers, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

銅元素の半導体基板方向への拡散及び隣接した配線層間のリーク電流を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the resistance ratio when connecting the upper electrode of a trench capacitor to the diffusion layer of a transistor, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

トレンチキャパシタの上部電極と、トランジスタの拡散層とを接続する際の低抵抗化が可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor power module, where cooling capacity and heat diffusion capacity with respect to a semiconductor chip, are high and the fatigue destruction of a bonding material is prevented.例文帳に追加

半導体チップに対する冷却能力や熱の拡散能力が高く、したがって接合材等の疲労破壊を防止する半導体パワーモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of preventing diffusion of magnesium from a p-type nitride semiconductor layer and ensuring excellent normally-off characteristics.例文帳に追加

ｐ型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁

After a gate pattern 200 is formed on a semiconductor substrate 100, a diffusion-preventing film 164 is formed over the entire surface of the semiconductor substrate 100 including the gate pattern 200.例文帳に追加

半導体基板１００上にゲートパターン２００を形成後、ゲートパターン２００を含む半導体基板１００の全面に拡散防止膜１６４を形成する。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor device in which diffusion of Li contained in a ZnO-based substrate into a semiconductor layer formed on the substrate, is restrained.例文帳に追加

ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The first semiconductor element 701 functions as the heat diffusion board of heat generated from the second semiconductor element 702 as loss, and it transmits heat to the wiring board 1.例文帳に追加

第1の半導体素子７０１は第2の半導体素子７０２から損失として発生した熱の熱拡散板として機能するようにし、配線基板１に熱を伝える。 - 特許庁

A depletion layer 60 is formed in the semiconductor layer 2 by applying a voltage Vdd, Vk from the outside to the semiconductor substrate 1 and the first diffusion layer 3.例文帳に追加

そして、半導体基板１，第１の拡散層３に外部から電圧Ｖｄｄ，Ｖｋを印加することにより半導体層２に空乏層６０を発生させる。 - 特許庁

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing occurrence of ion diffusion, and forming a film excelling in adhesiveness to a glass substrate; a semiconductor manufacturing device; and its manufacturing method.例文帳に追加

イオン拡散の発生を防止でき、さらにガラス基板との密着性の良い膜を形成する半導体デバイス、半導体製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the short channel effect in forming pocket regions on a semiconductor substrate without increasing the junction capacitance between a source-drain diffusion region and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にポケット領域を形成する場合に、ソース・ドレイン用拡散領域と半導体基板間の接合容量を増大させることなく、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention portion 62 contains Si as the impurities, so Zn impurities from the semiconductor buried layer 70 are trapped.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２が不純物としてＳｉを含んでいるため、半導体埋込層７０からのＺｎ不純物をトラップする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is constituted in a structure that a semiconductor manufacturing device main body 100 has a treating chamber 11 for using a diffusion furnace and the like, a POCl3 (phosphorus oxychloride) and the like and a liquid source of the acid series.例文帳に追加

半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、ＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを使用する処理チャンバ１１を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第１拡散領域１０１の不純物濃度は、第２拡散領域１０８に電圧を印加した際に、第１拡散領域１０１と半導体基板１００との接合面から拡張する空乏層が第１拡散領域１０１の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.例文帳に追加

半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁

Thus the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S before the copper wiring forming step, thereby the diffusion of copper atoms (including copper compounds) from the back surface of the semiconductor substrate 1S can be prevented.例文帳に追加

このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成することにより、半導体基板１Ｓの裏面から銅原子（銅化合物を含む）が拡散することを防止できる。 - 特許庁

The non-volatile memory device of the present invention includes first and second impurity diffusion regions formed on a semiconductor substrate and a memory cell formed over a channel region between the first and second impurity diffusion regions of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、半導体基板に形成された第１及び第２不純物拡散領域、前記第１及び第２不純物拡散領域の間の半導体基板のチャンネル領域上に形成されたメモリセルを含む。 - 特許庁

An LDMOS transistor comprises: a gate electrode formed on a semiconductor substrate via a gate insulating film; a source diffusion region and a drain diffusion region each formed in the semiconductor substrate at the both side of the gate electrode; and a field drain portion.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板中にそれぞれ形成されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、フィールドドレイン部と、を備える。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which is used for evaluation of contamination in the semiconductor substrate manufacturing process and the semiconductor device manufacturing process, is characterized in that the structure is composed of three layers of a semiconductor substrate body, a contaminant diffusion preventing film, and a contamination evaluation layer.例文帳に追加

半導体基板製造工程及び半導体デバイス製造工程の汚染評価に用いられる半導体基板であって、その構造が半導体基板本体、汚染物質の拡散阻止膜、及び汚染評価層の三層からなるようにした。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which further facilitates current diffusion in a semiconductor film and prevents light emission from a side surface of the optical semiconductor element for eliminating color unevenness of luminescent colors in a vertical type optical semiconductor element.例文帳に追加

縦型光半導体素子において、半導体膜内における電流拡散が更に促進され、更に発光色の色ムラ解消に寄与するべく光半導体素子側面からの光放出の抑えた光半導体素子を提供する。 - 特許庁

A heating temperature is set as a temperature which is broader than plastic temperatures of the Si semiconductor wafer 1 and the compound semiconductor wafer, and in which the metal is diffusible to stick the Si semiconductor wafer 1 to the compound semiconductor wafer 2 by a solid-phase diffusion junction.例文帳に追加

加熱温度をＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハの塑性温度よりも広く且つ金属の拡散可能な温度として固相拡散接合によってＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。 - 特許庁

An epitaxial semiconductor layer 2 is formed on an N-type semiconductor substrate 1, and a charge transfer channel 3 is formed in the epitaxial semiconductor layer 2, so that the increase in the impurity concentration in the semiconductor layer 2 due to the diffusion of impurities from the substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１上にエピタキシャル半導体層２を形成し、エピタキシャル半導体層２内に電荷転送チャネル３を形成し、基板１からの不純物の拡散による半導体層２内の不純物濃度の増加を抑制する。 - 特許庁

A gate oxide film 12, a gate electrode 13, and a protective insulating film 14 are sequentially formed on a semiconductor substrate surface 11 and impurity injection is conducted, and after the formation of an extremely shallow impurity diffusion region 18, a semiconductor material film 21 having an impurity diffusion rate higher than that of the semiconductor substrate 11 is deposited on the extremely shallow impurity diffusion region 18.例文帳に追加

半導体基板面１１にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、保護絶縁膜１４を順次形成した後、不純物注入を行い、極浅不純物拡散領域１８を形成後、極浅不純物拡散領域１８上に、半導体基板１１の不純物拡散係数以上の不純物拡散係数を有する半導体材料膜２１を成膜する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor base S, a cell transistor T having a pair of source/drain diffusion layers 11 formed on the semiconductor base S, and a ferroelectric capacitor C connected to the cell transistor T.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板Ｓと、半導体基板Ｓ上に形成された一対のソース／ドレイン拡散層１１を有するセルトランジスタＴと、セルトランジスタＴに接続された強誘電体キャパシタＣとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing diffusion of conductive metal in an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜中への導電性金属の拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having reduced a bit line resistance and also reduced a short channel effect by diffusion of impurity.例文帳に追加

ビット線抵抗を低減すると共に、不純物の拡散による短チャネル効果が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

First and second impurity diffusion regions are arranged, at an interval, in a part of the surface layer part of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表層部の一部に、ある間隔を隔てて第１及び第２の不純物拡散領域が配置されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises substrates 1 and 10, a high-concentration diffusion layer region 11, a first well 4, and a second well 3.例文帳に追加

半導体装置は、基板１、１０と、高濃度拡散層領域１１と、第１ウェル４と、第２ウェル３とを具備している。 - 特許庁

Thus, the temperature inside the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with the semiconductor wafer 14 can be accurately measured.例文帳に追加

従って、半導体ウェハ１４の熱処理時における拡散炉１０の内部の温度を正確に測定することができる。 - 特許庁

After a process in which the second silicon oxide film is remained on the sidewalls of the gate electrode, an impurity diffusion layer is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す工程の後、半導体基板に不純物拡散層を形成する。 - 特許庁