「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of restraining a semiconductor substrate from being expanded in a diffusion layer area formed on a surface of the semiconductor substrate, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成された拡散層領域における半導体基板の膨張の発生を抑制することが可能な、半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing increase in the contact resistance caused by the shrinkage of a diffusion layer region, even when forming the diffusion layer region thiny.例文帳に追加

拡散層領域を細く形成する場合でも、拡散層領域の縮みによるコンタクト抵抗の増大を抑えることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer such as silicon nitride Si_3N_4, or silicon dioxide SiO_2 is provided between the metal and the semiconductor to prevent diffusion and silicidation of the metal at elevated temperatures.例文帳に追加

窒化珪素Ｓｉ_３Ｎ_４または二酸化珪素ＳｉＯ_２などの拡散バリア層は、高温下における金属の拡散およびシリサイド化を防ぐために金属と半導体との間に設けられる。 - 特許庁

A solar cell is provided with a p-type diffusion layer and an electrode that are formed by heat treatment after the p-type diffusion layer formation composition is applied on a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 - 特許庁

A diffusion layer 11 related to a circuit element is formed on an Si semiconductor substrate, and a barrier layer 14 is installed between a conductive member 16 and the diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板上において、回路素子に関係する拡散層１１が形成され、導電部材１６と拡散層１１との間にはバリア層１４が設けられている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

Each bit line 21 extending perpendicularly to word lines 11 comprises a diffusion bit line 211 formed in a semiconductor substrate 10 and of a metal line-shaped bit line 212 located above the diffusion bit line 211.例文帳に追加

ワード線１１に直交するビット線２１の各々は、半導体基板１０内に形成された拡散ビット線２１１と、その上方のライン状の金属ビット線２１２とから成る。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities even if the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.例文帳に追加

ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which allows efficient diffusion of only a specified impurity element.例文帳に追加

特定の不純物元素だけを効率よく拡散させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current capacity can be enhanced through an arrangement provided with no buried diffusion layer.例文帳に追加

埋め込み拡散層を設けない構成で電流能力を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor evaluation element, such as, an MOS transistor has a gate, a diffusion layer, a measureming contact, and a floating contact.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ等の半導体評価素子は、ゲートと、拡散層と、測定用コンタクトと、フローティングコンタクトとを具備する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and the manufacture thereof whereby the number of diffusion steps after forming contacts can be lessened.例文帳に追加

コンタクト形成以降の拡散工程数を削減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the deterioration of the crystal quality of an active layer of a ZnO-based compound semiconductor element due to the diffusion of an n-type dopant.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。 - 特許庁

A via hole 105 whose inner wall is coated with an insulating film 107 and a diffusion barrier film 109 is formed in a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

基板１０１に絶縁膜１０７と拡散防止膜１０９で内壁を被覆したビアホール１０５を形成する。 - 特許庁

On a side face of the columnar semiconductor 14, silicide 18 and an n-type diffusion layer (impurity region) 19 are formed.例文帳に追加

柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。 - 特許庁

Consequently, uniform thickness, quality and impurity diffusion can be ensured for a film formed on a plurality of semiconductor wafers 12.例文帳に追加

したがって、複数の半導体ウェーハ１２に形成した膜に、均一な膜厚、膜質、不鈍物拡散を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which reduces crystal defects with inhibiting diffusion of implanted impurities.例文帳に追加

注入した不純物の拡散を抑制しつつ結晶欠陥を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a thin gate oxide film 12 is formed on the upper surface of a P type diffusion layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の拡散層５上面には薄いゲート酸化膜１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor which can achieve defect control and diffusion control at the same time with high reliability.例文帳に追加

欠陥制御と拡散制御を同時に実現し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is not limited by the concentration of a diffusion layer and of which junction leak current is reduced enough.例文帳に追加

拡散層濃度に制約されず、接合リーク電流が十分に低減された半導体装置を製造する。 - 特許庁

A first impurity diffusion region is formed on a surface layer portion of the semiconductor substrate on the inner side of the seal ring.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域が、シールリングよりも内側において、半導体基板の表層部に形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus capable of efficiently suppressing diffusion of metal contained in the wiring.例文帳に追加

配線に含まれる金属の拡散を効果的に抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n^+ diffusion layer 8c is electrically connected to the wiring 12b and formed on the main surface of the semiconductor substrate 41.例文帳に追加

ｎ^+拡散層８ｃは、配線１２ｂと電気的に接続して半導体基板４１の主表面に形成されている。 - 特許庁

The radiating fin 41 radiates heat generated in the semiconductor element 26 and transferred through each heat transfer diffusion portion 31.例文帳に追加

放熱用フィン４１は、半導体素子２６で発生し、伝熱拡散部３１を通じて伝わった熱を放熱する。 - 特許庁

A diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 and it is separated from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加

拡散層６０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁

A pn junction 6s is formed to the semiconductor columns 10a to 10c that is longer than diffusion depth of the p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of freely setting a diffusion depth and a trench depth to optimal values.例文帳に追加

拡散深さとトレンチ深さを最適な値に自由に設定することの可能な化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

Products, such as semiconductor wafer, can advance through the through-way without prevention of the diffusion apparatus.例文帳に追加

貫通経路を介して、半導体ウェーハなどの製品は、拡散装置によって妨げられずに前進することができる。 - 特許庁

The barrier layer is used for avoiding diffusion of the metal of the contact layer into the second conductivity semiconductor layer.例文帳に追加

バリア層はコンタクト層の金属が第２の導電性半導体層に拡散するのを回避するために用いられる。 - 特許庁

The source/drain diffusion layer region 107b has a slope 101B to a principal surface of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂは、半導体基板１０１の主面に対して傾斜面１０１Ｂを有している。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P type buried diffusion layer 4 is formed on a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板２とエピタキシャル層３とにＰ型の埋込拡散層４が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N type buried diffusion layer 4 is formed over a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板２とエピタキシャル層３とに渡りＮ型の埋込拡散層４が形成されている。 - 特許庁

The silicon nitride 3 prevents diffusion failure of Zn to obtain a compound semiconductor 1 which has stable characteristics.例文帳に追加

また、窒化シリコン３がＺｎの拡散不良を防止し、安定した特性の化合物半導体１を得ることができる。 - 特許庁

The side spacer 40 is formed on the semiconductor substrate 110 between the diffusion layer 14 and the polysilicon layer 30.例文帳に追加

サイドスペーサ４０は、半導体基板１１０の上において、拡散層１４とポリシリコン層３０との間に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as a DRAM, capable of suppressing an excessive diffusion of a dopant in a source-drain diffusion layer in a peripheral circuit region, while heat treatment condition is adopted that is appropriate for the source/drain diffusion layer in a memory array region.例文帳に追加

メモリアレイ領域のソース・ドレイン拡散層に適した熱処理条件を採用しつつも、周辺回路領域のソース・ドレイン拡散層での不純物の過度の拡散を抑制できるＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.例文帳に追加

固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element with high performance and high reliability, capable of effectively preventing diffusion of Cu, particularly capable of effectively preventing the diffusion of the Cu, even if the thickness is small, and capable of simply forming a thin and highly accurate Cu diffusion prevention film.例文帳に追加

Ｃｕの拡散を効果的に防止でき、特に、厚さが薄くてもＣｕの拡散を効果的に防止でき、更には薄くて高精度なＣｕ拡散防止膜を簡単に形成でき、高性能で信頼性に富む半導体素子を提供することである。 - 特許庁

The Hall element 100 is provided with the principal part of the Hall element 100 or a diffusion area 22 formed on the main surface of a semiconductor substrate 21, while a groove 30 deeper than the diffusion area 22 is formed around the diffusion area 22 perpendicular to the main surface, so as to be symmetrical with respect to the center 22c of the diffusion area on the main surface of the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板２１の主面に、ホール素子１００の主要部である拡散領域２２が形成され、半導体基板２１の主面における拡散領域の中心２２ｃに対して対称的に、拡散領域２２の周りで主面に対して垂直方向に、拡散領域２２より深い溝３０が形成されてなるホール素子１００とする。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁