「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a horizontal diffusion furnace capable of manufacturing a diffusion wafer with high in-plane uniformity of a depth of a diffusion layer within a wafer surface including a center part and an outer peripheral part without complicating the horizontal diffusion furnace, and to provide a heat treatment method of a semiconductor wafer.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The protective diode includes a plurality of p^+-type diffusion layers and a plurality of n^+-type diffusion layers, both provided on a p-well of a p-type semiconductor substrate, the plurality of the p^+-type diffusion layers serving as anodes, and the plurality of the n^+-type diffusion layers serving as cathodes.例文帳に追加

本発明の保護用ダイオードは、Ｐ型半導体基板のＰウェル上に複数のＰ＋型拡散層と、複数のＮ＋型拡散層を設け、複数のＰ＋型拡散層をアノード、複数のＮ＋型拡散層をカソードとして構成される。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same which prevents the salicidation of a diffusion region simply, by increasing the contact area between a strap unit and the diffusion region.例文帳に追加

ストラップ部と拡散領域との接触面積を増やし、拡散領域のサリサイド化を簡易に防ぐ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently the internal state of a diffusion furnace 10 at the time of temperature measurement is similar to the internal state of the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with a semiconductor wafer 14.例文帳に追加

このため、温度測定時の拡散炉１０の内部状態は、半導体ウェハ１４の熱処理時の拡散炉１０の内部状態と近くなる。 - 特許庁

A p-type low concentration diffusion layer 7 and a p-type high concentration diffusion layer 8 penetrating through the n-type epitaxial layer 5 to get the semiconductor substrate 20 are formed.例文帳に追加

また、ｎ型エピタキシャル層５を貫通して半導体基板２０に至るｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８が形成される。 - 特許庁

To suppress the generation of abnormal diffusion while preventing the reduction of the number of semiconductor substrates placeable in a diffusion furnace at once and an increase of the number of manufacturing processes.例文帳に追加

拡散炉内に一度に載置できる半導体基板数の減少と製造工程数の増大とを防ぎながら、異常拡散の発生を抑える。 - 特許庁

Furthermore, a p-type diffusion layer 31 and an n-type diffusion layer 32 are formed closely to the vertical electric charge transfer region 2 on the surface side of the semiconductor substrate 23.例文帳に追加

更に、半導体基板２３の表面側の垂直電荷転送領域２の近傍には、ｐ型拡散層３１とｎ型拡散層３２が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁

The first MOS transistor 100 and the diffusion region 5 of the semiconductor element S lie alongside in a y direction and electrically isolated from each other by the diffusion region 2b.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ１００と半導体素子Ｓの拡散領域５とは、ｙ方向に並んで、拡散領域２ｂで電気的に分離されている。 - 特許庁

After that, an anti-diffusion film 40 composed of titanium nitride TiN is formed on the upper surface of the lower thin film 30, and a anti-diffusion film of a semiconductor device is manufactured.例文帳に追加

その後、前記下部薄膜３０の上面に、チタニウム窒化物ＴｉＮの拡散防止膜４０を形成して半導体素子の拡散防止膜を製造する。 - 特許庁

To provide a capacitor of semiconductor device provided with a diffusion stop film for effectively suppressing a malfunction of the capacitor due to a diffusion of enzyme, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

酸素の拡散によるキャパシタ誤動作を效果的に抑制する拡散防止膜を備えた半導体のキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the film 11 is heated at a temperature lower than the phosphorous diffusion temperature, and it subsequently is heated at a temperature higher than the phosphorous diffusion temperature to diffuse phosphorous in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１１に拡散する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which contact resistance between a diffusion layer and a contact connected to the diffusion layer is reduced, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

拡散層と拡散層に接続されるコンタクトとの接触抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Therefore, the diffusion prevention layer 42 effectively suppresses diffusion of Zn into the active layer 30 in the semiconductor optical element 1A.例文帳に追加

従って、この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止層４２により活性層３０中へＺｎの拡散が効果的に抑制されている。 - 特許庁

To make adhesion of a buried semiconductor structure and Cu diffusion preventing capability be compatible with respect to a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、埋込導体構造の密着性とＣｕ拡散防止能を両立する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus that prevents diffusion of materials of a magnetic film during a process for manufacturing the semiconductor apparatus, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the interlayer insulating film 2 on a semiconductor substrate 1, and a step of then forming a first Cu diffusion barrier insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成した後、第１のＣｕ拡散バリア絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a diffusion layer 11 formed around the bottom of a trench formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層１１を含む。 - 特許庁

To provide a jig for laminating semiconductor wafers which is effective for improving the productivity of a diffusion wafer and a method for producing the semiconductor wafer.例文帳に追加

拡散ウェハの生産性向上に有効な半導体ウェハの積層治具および半導体ウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type first diffusion layer which extends on a semiconductor substrate including the lower layer of a plurality of bonding pads (hereafter referred to as pads) mounted on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に設置された複数のボンディングパッド（以下パッド）下層を含む上記半導体基板上に延在するＮ型の第１拡散層を備える。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加

一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板１００と半導体層１０１との間に、半導体層１０１よりも不純物濃度の高いＰ型埋め込み拡散層１１６を形成する。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

After a thermal diffusion layer 1 having a thermal conductivity higher than that of a substrate 4 is formed on the surface of a semiconductor layer 2, the semiconductor layer 2 is irradiated with a laser beam from above the thermal diffusion layer 1.例文帳に追加

半導体層２の表面に基板４よりも熱伝導率が高い熱拡散層１を形成した後、該熱拡散層１の上から半導体層２に対してレーザ光を照射する。 - 特許庁

To provide a anti-diffusion film of a semiconductor device which can prevent the phenomenon that impurities diffuse into a semiconductor substrate, electrical resistance is made high and a leakage current is increased, and a manufacturing method of the anti-diffusion film.例文帳に追加

不純物が半導体基板内に拡散して、電気的抵抗を高くし、漏泄電流を増大させる現象を防止し得る半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device using the SOI substrate, a P well diffusion layer or an N well diffusion layer is formed only in a body region being a lower part of a gate electrode in a semiconductor thin film layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、半導体薄膜層のゲート電極下部に当たるボディ領域のみにＰウェル拡散層またはＮウェル拡散層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.例文帳に追加

拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁

Further, a diffusion control layer 9 for controlling the diffusion of gas reaching the oxide semiconductor 7 from the atmosphere is provided at the entire periphery of the ceramic substrate 3 including the surface of the oxide semiconductor 7.例文帳に追加

また、酸化物半導体７の表面を含むセラミック基板３の全周には、雰囲気から酸化物半導体７に至るガスの拡散を制御する拡散制御層９が設けられている。 - 特許庁

The diffusion resistance layer 400 is connected to the input/output terminal of the semiconductor device, while being arranged in parallel with the first diffusion layers 200, and connects the internal circuit and the input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

拡散抵抗層４００は、半導体装置の入出力端子に対して第１の拡散層２００と並列に接続しており、かつ半導体装置の内部回路と入出力端子を接続する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加

半導体基板１０の表面層に設けられ、導電性に寄与する第１の不純物及びゲルマニウムを含む第１の拡散領域２２と、第１の拡散領域２２の表面から第１の拡散領域２２より浅く設けられ、導電性に寄与しない第２の不純物を含む第２の拡散領域２４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層（３）とを具備するＭＩＳトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁

A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加

レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 - 特許庁

To decrease variation in the resistance of a resistance diffusion layer in a dielectrically isolated semiconductor device.例文帳に追加

誘電体分離型半導体装置における抵抗拡散層の抵抗値のばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide a boat for a lateral diffusion furnace, which can suppress a slip of a heat-treated semiconductor wafer.例文帳に追加

熱処理される半導体ウェハへのスリップを抑制し得る横型拡散炉用ボートを提供する。 - 特許庁

The storage node electrode is electrically connected to a diffusion region 19 of a semiconductor substrate by means of the plug section.例文帳に追加

プラグ部によって半導体基板１の拡散領域１９との電気的接続を図っている。 - 特許庁

The embedded photo diode 9 is arranged in a semiconductor substrate 3 part, at a position deeper than the surface photodiode 5 and floating diffusion 7.例文帳に追加

これよりも深い位置の半導体基板３部分には埋込フォトダイオード９が設けられている。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

When the single crystal semiconductor layer is made in a melted state, the outward diffusion of oxygen is promoted.例文帳に追加

単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。 - 特許庁

An N+ semiconductor region 12 is formed at a lower part 3a of a p-type diffusion region 3 where a channel is generated.例文帳に追加

チャネルが生じるｐ型拡散領域３の下部３ａにｎ^+半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor region 101 and a floating diffusion 105 are disposed in an active region 115.例文帳に追加

活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。 - 特許庁

A pair of diffusion layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1, and a gate insulating film 3 is laminated thereon.例文帳に追加

半導体基板１には、一対の拡散層２が形成され、ゲート絶縁膜３が積層されている。 - 特許庁

INSTRUMENT FOR MEASURING ANGLE OF SAMPLE, AND METHOD OF MEASURING THICKNESS OF DIFFUSION LAYER OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加

試料の角度測定装置およびこれを用いた半導体ウェーハの拡散層の厚さ測定方法 - 特許庁