「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device, a p-type diffusion layer 5 is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３にＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The polysilicon layer 30 is formed on the semiconductor substrate 110 and near the diffusion layer 14.例文帳に追加

ポリシリコン層３０は、半導体基板１１０の上において、拡散層１４の付近に形成されている。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit 1 includes a plurality of cells including transistors each formed of a gate and a diffusion layer.例文帳に追加

半導体集積回路１は、ゲートと拡散層から形成されるトランジスタを含むセルを複数具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁

A pair of second diffusion layers 5b, which are deeper surface layers than the first diffusion layers 5a of the semiconductor substrate, are formed in a region under a sidewall 7 and externally adjacent to the first diffusion layers 5a.例文帳に追加

また、半導体基板の第１の拡散層５ａよりも深い表層であって、第１の拡散層５ａと外方で隣り合うサイドウォール７の下部の領域に一対の第２の拡散層５ｂが形成されている。 - 特許庁

The Hall element has a first N type diffusion region 10 provided in a semiconductor substrate 1, a plurality of second N type diffusion regions 20 provided in the semiconductor substrate 1 and bonded electrically to the first N type diffusion region 10, and an STI region 30 provided in the semiconductor substrate 1 and electrically separating the plurality of second N type diffusion regions 20.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing diffusion of In to the surface of an N-type ohmic electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

N型オーミック電極の表面へのInの拡散を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves the insulation of an insulating film by suppressing an impurity diffusion in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散をより抑制し、絶縁膜の絶縁性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, an impurity diffusion region is formed in the semiconductor substrate so as to be self-aligned with respect to the gate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、前記ゲートと自己整合的に前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To make excellent the reliability of a semiconductor device by making excellent a contact force between a Cu diffusion prevention film of the semiconductor device and Cu wiring.例文帳に追加

半導体装置のＣｕ拡散防止膜とＣｕ配線との密着力を良好とし、半導体装置の信頼性を良好とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a shallow impurity diffusion region without inviting damages in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中にダメージを招かずに、浅い不純物拡散領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.例文帳に追加

半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of balancing prevention of generation of a leak current, with a reduction in the resistance in a diffusion region, in manufacturing a semiconductor device that include the diffusion region having a step.例文帳に追加

段差を有する拡散領域を含む半導体装置の製造に際し、リーク電流の発生回避と拡散領域内の低抵抗化との両立可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

On both ends of each semiconductor region 5 in the shape of a bent pattern, an n-type high-density diffusion region 9 and a p-type high-density diffusion region 10 are formed, to form diodes in the semiconductor regions 5.例文帳に追加

一方、屈曲型パターン形状の半導体領域５の両端には、ｎ形高濃度拡散領域９、ｐ形高濃度拡散領域１０を設け、半導体領域５内にダイオードを形成する。 - 特許庁

The semiconductor product is constituted in such a structure that the drain diffusion of the phosphorus-diffused ESD protective off-transistor is not provided adjacently to an off-gate and the arsenic N+ diffusion 5 is provided in the adjacent area of an element separating region 8.例文帳に追加

リン拡散のESD保護オフトランジスタのドレイン拡散をオフゲートに隣接せず、かつ素子分離領域８と隣接する領域に砒素N+拡散５を設ける構造とした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.例文帳に追加

チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type diffusion layer 6 is formed as a source region so that it is convoluted with a P-type diffusion layer 5 as a backgate region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と重畳するように、ソース領域としてのＮ型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A diffusion layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, and an insulating film 3 is formed on the surface of the diffusion layer 2 except on a region where a contact hole 4 is formed (a).例文帳に追加

半導体基板１に拡散層２を形成し、拡散層２の表面のコンタクトホール４の形成領域を除いた表面に絶縁膜３を形成する（ａ）。 - 特許庁

In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁

A thin impurity diffusion inhibition layer with an approximately 1 nm thickness is buried into a semiconductor region for forming such impurity diffusion layer as source/drain regions in advance.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域等の不純物拡散層を形成する半導体領域に予め、膜厚１ｎｍ程度の薄い不純物拡散抑制層を埋め込み形成しておく。 - 特許庁

When the diffusion blocking semiconductor layer 25 is composed of AlGaAs, diffusion of Ge, Ni and Au from the contact metal layer 32 into the emission layer part 24 is suppressed effectively.例文帳に追加

拡散ブロック用半導体層２５をＡｌＧａＡｓで構成すると、コンタクト金属層３２から発光層部２４へのＧｅ、Ｎｉ及びＡｕの拡散抑制に効果がある。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a channel area 34, and a source diffusion area 39 and a drain diffusion area 40 formed at the both sides of the channel area 34.例文帳に追加

本半導体装置は、チャネル領域３４と、チャネル領域３４の両側に形成されたソース拡散領域３９及びドレイン拡散領域４０とを備えている。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１とは間隔をもってＮ型ウエル３に互いに間隔をもってＮ型拡散層５及びＰ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A flash EEPROM has such a structure where a well diffusion region is formed on a semiconductor substrate, and furthermore a low- concentration layer is formed on the surface of the well diffusion layer.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭの構造で、ウェル拡散領域が半導体基板に形成され更にこのウェル拡散領域表面に低濃度層が設けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate and a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing ingress and diffusion of metal elements, causing performance degradation, into a semiconductor substrate.例文帳に追加

性能劣化を招く金属元素の半導体基板への侵入及び拡散を防ぐことのできる半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

This semiconductor comprises a semiconductor substrate 11, a heterogeneous conductor material used for electrodes 14a and 14b connected to each of 11 and an impurity diffusion layer 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、半導体基板１１の表面に形成された不純物拡散層１３の各々に接続された電極１４ａと１４ｂに異種導体材料を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such that when the semiconductor element having a semiconductor layer containing a donor element is formed, diffusion of the donor element into an upper layer is suppressed.例文帳に追加

ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is equipped with: a semiconductor area; a cell transistor formed in the semiconductor area and provided with first and second diffusion layers, a charge accumulating layer and a control gate electrode; a bit line connected to the first diffusion layer; a source line connected to the second diffusion layer; and a control circuit for controlling the semiconductor area, bit line and source line.例文帳に追加

本発明の例に係る不揮発性半導体記憶装置は、半導体領域と、半導体領域内に形成され、第１及び第２拡散層、電荷蓄積層及びコントロールゲート電極を有するセルトランジスタと、第１拡散層に接続されるビット線と、第２拡散層に接続されるソース線と、半導体領域、ビット線、及び、ソース線を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing separation areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中に分離領域を熱拡散により形成する際に、その横方向拡散を抑制して、半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses the diffusion of p-type impurities into adjacent semiconductor crystal layers and in turn has good and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing diffusion of a bonding material, which is used in mounting the semiconductor device, into an adhesion layer.例文帳に追加

半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To reduce a thickness of a metamorphic layer caused by diffusion/segregation of In in the hetero-interface between a compound semiconductor including In and a compound semiconductor not including In.例文帳に追加

Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。 - 特許庁

After an n-type impurity diffusion layer 3 is formed on at least one surface of the semiconductor substrate 1, a rear surface is abraded for thinning the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面に少なくともｎ型の不純物拡散層３を形成後、裏面を削って前記半導体基板１を薄くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element that is superior in retention characteristic and can suppress the degradation of a characteristic of a semiconductor film caused by the diffusion of oxygen from an external environment or the like.例文帳に追加

外部環境からの酸素拡散などによる半導体膜の特性劣化を抑制し、保持特性の優れた半導体記憶素子を提供する。 - 特許庁

To simultaneously achieve adhesion of a barrier metal with an insulating film and Cu and Cu diffusion prevention, relating to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD IN SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, IMPURITY DIFFUSING DEVICE FOR USE THEREIN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM例文帳に追加

半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING DIFFUSION OF BORON IN SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT BY FORMING NITROGEN BARRIER, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT例文帳に追加

窒素のバリアを形成することにより、半導体構成要素中へのホウ素の拡散を防止する方法、およびそのようにして得られた半導体構成要素 - 特許庁