「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A cap film for supplying hydrogen to a region sandwiched between the embrittled region and the surface of the semiconductor substrate and preventing the diffusion of hydrogen from the embrittled region is provided for the semiconductor substrate, whereby a semiconductor layer can be transferred from the semiconductor substrate to a base substrate.例文帳に追加

そして、脆化領域からの水素の拡散を防ぎ、且つ脆化領域と半導体基板の表面に挟まれた領域に水素を供給できるキャップ膜を半導体基板に形成し、当該半導体基板からベース基板に半導体層を転載する発明に至った。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a lamp annealing unit, which realizes the temperature rises or drops quickly so as to thermally diffuse impurities into an impurity diffusion region accurately and quickly in a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体装置における不純物拡散領の熱拡散などを迅速的確に行うために、ランプアニール装置の高速昇降温を実現する半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the impurities are diffused into the semiconductor substrate by rapid heat treatment by a solid-state diffusion method for the formation of a shallow junction.例文帳に追加

次いで、急速熱処理を通じて半導体基板に固体状態拡散法でｉｍｐｕｒｉｔｙを拡散させて浅い接合を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a lower wiring 110, interlayer insulating films 100 and 200, anti-diffusion films 120 and 240, and an upper wiring 230.例文帳に追加

半導体装置は、下部配線１１０、層間絶縁膜１００、２００、拡散防止膜１２０、２４０、上部配線２３０を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element, which prevents the increase in the diffusion speed of impurity and can obtain the epitaxial silicon layer channel of high quality.例文帳に追加

不純物の拡散速度増加を防止し、高品質のエピタキシャルシリコン層チャネルを得られる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a hard-to-remove compound is formed on a silicon semiconductor substrate when a diffusion region is formed using a liquid state impurity source.例文帳に追加

液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions.例文帳に追加

注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加

この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device that can form an extremely shallow diffusion layer.例文帳に追加

極浅拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent a resistance value of a diffusion resistance region from becoming unstable, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

拡散抵抗領域の抵抗値が不安定になることを防ぐことのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element that can lower diffusion temperature of impurities and prevent a decrease in light emission efficiency and an increase in threshold current.例文帳に追加

不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のＮ型ドリフト領域２内部に、ベース領域５に対し離間配置されるＰ型の拡散層７を形成する。 - 特許庁

A source region 5 and an unnecessary N semiconductor region 28 are formed by diffusing an N impurity also using a P diffusion mask.例文帳に追加

Ｐ型拡散用マスクを兼用してＮ型不純物を拡散してソース領域５及び不要なＮ型半導体領域２８を形成する。 - 特許庁

A transfer gate electrode 103 for transferring charges from a photodiode to the floating diffusion 105 is disposed above a semiconductor substrate via an insulator.例文帳に追加

ＰＤからＦＤ１０５に電荷を転送するための転送ゲート電極１０３が半導体基板上に絶縁体を介して配される。 - 特許庁

An element separation layer 2 and n+diffusion layer 5 are formed on a surface of p-type semiconductor substrate 1, and an interlayer insulation film 7 is deposited on the same.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１表面に素子分離層２及びｎ^+拡散層５を形成し、その上に層間絶縁膜７を堆積する。 - 特許庁

An impurity diffusion preventing film 36 is provided on a part of the surface of a first group III nitride semiconductor region 28 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体領域２８の表面の一部に不純物拡散防止膜３６を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is provided with a barrier metal having high adhesiveness and diffusion preventive property, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高い密着性と拡散防止性とを備えたバリアメタルを有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a simulation which can contribute to design and development that can cope with the scale down, etc., of a semiconductor, by calculating the accurate diffusion and distributions of impurities.例文帳に追加

正確な不純物の拡散分布を算出し、半導体の微細化等に対応できる設計、開発に寄与するシミュレーションを実現する。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the diffusion of metal from the upper surface of wiring.例文帳に追加

本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etching process of a semiconductor improved such that etching level difference of a diffusion layer can be increased.例文帳に追加

拡散層のエッチング段差を大きくすることができるように改良された半導体のエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a hydrogen barrier to protect a ferroelectric capacitor C_FE from a hydrogen diffusion in a semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

半導体装置内の水素拡散から、強誘電体キャパシタＣ_FEを保護するための水素障壁及びその製造方法が提供される。 - 特許庁

A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧの両側に対応する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層Ｓ／Ｄが形成されている。 - 特許庁

Consequently, source/drain 11 composed only of a shallow diffusion layer where the impurities (a) are diffused only to the surface layer of the semiconductor thin film 5 is formed.例文帳に追加

これにより、不純物ａを半導体薄膜５の表面層のみに拡散させた浅い拡散層からなるソース／ドレイン１１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with a desired impurity profile by suppressing the diffusion of added impurities, and to provide a manufacturing method for the substrate.例文帳に追加

添加した不純物の拡散を抑制し、不純物プロファイルを所望のものにした半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 101 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 beneath the interlayer insulating film 11 facing the pad PAD.例文帳に追加

パッド部ＰＡＤと対向する層間の絶縁膜１１下の半導体基板１０表面に不純物拡散層１０１が設けられている。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To reduce contact resistance between a backside contact electrode and a diffusion layer so as to improve the operation speed of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

The lower part of the side walls 17 formed on a drain diffusion layer 15 side are formed in the position lower than the main surface of the semiconductor region.例文帳に追加

ドレイン拡散層１５側に形成されたサイドウォール１７は、その下部が半導体領域の主面よりも低い位置に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a ZnO-based substrate 1 containing Li, and a zinc silicate layer 3 formed thereon and restraining diffusion of Li.例文帳に追加

半導体装置は、Ｌｉを含むＺｎＯ系基板１と、その上方に形成されＬｉの拡散を抑制するジンクシリケート層３とを有する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which prevents the shortening of semiconductor pattern length by the diffusion of metal ion.例文帳に追加

本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To effectively control mutual diffusion and redistribution of impurities in a CMOS semiconductor device, as well as to simplify the process of forming gate electrodes.例文帳に追加

ＣＭＯＳ半導体装置の不純物の相互拡散と再分布を有効に抑制し、またゲート電極の形成工程を簡略化する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 100 includes a capacitor contact layer 147 for electrically connecting the first diffusion layer 108 and the metal lower electrode 124.例文帳に追加

また、半導体装置１００は、第１拡散層１０８とメタル下部電極１２４とを電気的に接続する容量接続層１４７を含む。 - 特許庁

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier.例文帳に追加

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the generation o a projection on a copper (Cu) wiring layer and preventing the diffusion of Cu.例文帳に追加

銅(Ｃｕ)配線層の突起の発生を防止してＣｕの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

To improve the resistance to NBTI (negative bias temperature instability) of a p-type MIS transistor by preventing over-diffusion of fluorine injected into a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に注入したフッ素のアウトディフュージョンを防ぐことにより、ｐ型ＭＩＳトランジスタのＮＢＴＩ耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which the diffusion of a metal component of a metal plating film formed on a barrier metal film from the metal plating film into an interlayer insulating film is prevented.例文帳に追加

バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 has a semiconductor substrate 11, bumps B1 made of Au and formed on a surface of the semiconductor substrate 11, a diffusion preventing film 14 made of TiW and formed on the entire top surfaces of the bumps B1, and a junction film 15 formed on the diffusion preventing film 14 for junction with an electric connection of another device.例文帳に追加

半導体チップ１は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面に形成され、ＡｕからなるバンプＢ１と、このバンプＢ１の頂面の全域に形成され、ＴｉＷからなる拡散防止膜１４と、この拡散防止膜１４上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜１５とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing an increase in the manufacturing cost by dispensing with an additional lithographic step, in manufacturing semiconductor devices having asymmetrical diffusion layer regions.例文帳に追加

非対称型の拡散層領域を持つ半導体装置を製造するに際、付加的リソグラフィー工程を不要とし、製造コストの増加を抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the like capable of efficiently protecting a semiconductor chip from sputters at the time of laser welding by a relatively small quantity of resin and with a good workability, and having an excellent thermal diffusion property.例文帳に追加

良好な作業性で比較的少量の樹脂により効率的に半導体チップをレーザ溶接時のスパッタから保護することができる、熱拡散性に優れた半導体装置等の提供。 - 特許庁