「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method for manufacturing a semiconductor device, the lower electrode of a MIS capacitor 88 is formed by an N+ diffusion layer 62b and the lower electrode of a MIM capacitor 89 is formed by a polycrystalline Si film 66b.例文帳に追加

Ｎ^+ 拡散層６２ｂでＭＩＳ容量素子８８の下部電極を形成し、多結晶Ｓｉ膜６６ｂでＭＩＭ容量素子８９の下部電極を形成する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a drop in power supply voltage without increasing the width of a power supply wiring connected to the power source node of a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層の電源ノードと接続される電源配線の幅を大きくすることなく、電源電圧のドロップの抑制を図り得る半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To ensure uniform thickness, quality and impurity diffusion of a film formed on a plurality of semiconductor wafers in a vertical reaction tube.例文帳に追加

縦型反応炉内において複数の半導体ウェーハを均一に処理ガスにさらすことによって、半導体ウェーハに均一な膜厚、膜質、不鈍物拡散を得ること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor wafer, or in the method for manufacturing the display device, air diffusion pipes 26, 27 and 28 are arranged on the bottom of a raw water tank 1.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハの製造方法に於いて、または表示装置の製造方法に於いて、原水タンク１底部に散気管２６、２７、２８を設置する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device equipped with a gate protecting function while restraining an increase of an array area in a transistor array equipped with diffusion bit lines and word lines intersecting the bit lines.例文帳に追加

拡散ビット線とこれに交差するワード線を備えたトランジスタアレイにおいて、アレイ面積の増大を抑制しつつ、ゲート保護機能を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing the diffusion of impurities, such as fluorine and hydrogen, into a memory element without degrading rectification characteristics in a rectifying element.例文帳に追加

整流素子における整流特性を劣化させることなく、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate in which reduction in yield can be suppressed while impurity diffusion into a semiconductor film is suppressed.例文帳に追加

半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。 - 特許庁

The sample formed with an insulation film 105 on a surface where upper faces of the diffusion area 103, a well area 102 and a silicon substrate 101 are exposed is prepared by working a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工して拡散領域103 およびウエル領域102 およびシリコン基板101 の上面を露呈させた表面に絶縁膜105 を形成した試料を作成する。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加

半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing diffusion of Cu and suppressing the increase of an interlayer dielectric constant, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device which is less likely to generate cracks on an interlayer insulating film, under a hydrogen diffusion preventing film, even if annealing is conducted thereto.例文帳に追加

水素拡散防止膜を形成した後にアニールを行っても、その下の層間絶縁膜にクラックが生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of polysilicon film and sheet resistance after diffusion of impurity are measured respectively, and the semiconductor film forming conditions are adjusted so as to always provide fixed values for the product of these values.例文帳に追加

ポリシリコン膜の膜厚と不純物導入後のシート抵抗をそれぞれ測定し、それらの積が常に一定になるように、半導体膜の形成条件を調整する。 - 特許庁

A structure which reduces and even prevents the diffusion from the NFET side of a gate to the PFET side of a gate in a semiconductor device, and a method for manufacturing the same are disclosed.例文帳に追加

半導体デバイスにおいてゲートのＮＦＥＴ側からゲートのＰＦＥＴ側への拡散を低減する又は防止さえする構造、同様にその製造方法が開示される。 - 特許庁

By the diffusion of a chlorine plasma from the mask to the semiconductor surface, the etching depth becomes shallower as it goes more away from a mask end, thus forming a shape having the tilted surface a (f).例文帳に追加

マスクから半導体表面への塩素プラズマの拡散によりマスク端から離れるにつれてエッチング深さが浅くなり、傾斜面ａを有する形状が形成される（ｆ）。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device in which a gold ball such as an Au bump is bonded to an Au electrode by solid phase diffusion, and the quality of the bonded part is easily determined.例文帳に追加

Au電極に、Auバンプ等の金ボールを固相拡散接合する半導体装置であって、接合部の良否判定を容易に行うことができる構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein increase of resistance value of a diffusion layer can be restrained by restraining the etching of a silicon substrate by substrate cleaning.例文帳に追加

基板洗浄によるシリコン基板のエッチングを抑制し、拡散層の抵抗値の増大を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a backside hole, when forming a current diffusion layer using hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor laser which can reduce threshold current with a low cost by effectively suppressing the diffusion of an injecting current in a horizontal direction.例文帳に追加

注入電流の横方向への拡散を効果的に抑えることによって閾値電流を低くし、かつ、低コストの新規な半導体レーザ装置を提案すること。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the upper IMD 4 is physically separated from the upper wiring 8 by the barrier film 7, thereby preventing the occurrence of diffusion between the upper IMD 4 and the upper wiring 8 to ensure steady resistance characteristics of the semiconductor device.例文帳に追加

これにより、上側ＩＭＤ４と上側配線８との間の拡散が防止されるため、半導体デバイスの抵抗特性が安定に確保される。 - 特許庁

Consequently, the latch-up resistance of the power semiconductor element is improved, by reducing the diffusion resistance of a P-type base layer, and at the same time, the on-state voltage of the element is lowered by improving the latch-up resistance of the element by scaling down the element.例文帳に追加

これにより、Ｐ型ベース層の拡散抵抗を小さくしてラッチアップ耐量を向上すると共に素子の微細化を行ないオン電圧を低くした。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

A dummy gate pattern 4 is formed above an n well 1 in a semiconductor wafer and p^+ diffusion regions 2 and 3 are formed on both sides of the dummy gate pattern 4 with the pattern as an inhibition mask.例文帳に追加

半導体ウェハ中のｎウェル１の上方にダミーゲートパターン４を形成し，ダミーゲートパターン４を阻止マスクとしてその両側にｐ^+ 拡散領域２，３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of reducing crystal defects in a diffusion layer and further reducing the chip size by reducing the dead area.例文帳に追加

拡散層の結晶欠陥を減少させることができ、さらにデッドエリアを減少させてチップサイズを小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably and effectively obtain FM modulation output which becomes always constant ratio to a center frequency without depending on diffusion irregularity and temperature fluctuation of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の拡散バラツキ・温度変動に依存しないで中心周波数に対して常に一定比となるＦＭ変調出力を安定に効率よく得ること。 - 特許庁

To provide an optical receiver in which performance and reliability can be enhanced by suppressing a diffusion current generated in the circumference of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の周囲部で発生する拡散電流を抑止することで、性能および信頼性の向上を図ることが可能な光受信装置を提供する。 - 特許庁

According to this data writing method, first, a voltage between a source and a drain is applied to the source and drain diffusion areas 103 and 104 of a semiconductor memory device 100 via a bit line.例文帳に追加

まず、ビット線を介して、半導体メモリ素子１００にソース拡散領域１０３およびドレイン拡散領域１０４に、ソース・ドレイン間電圧を印加する。 - 特許庁

The field drain portion is an insulator formed in the semiconductor substrate under the gate electrode so as to be interposed between the gate electrode and the drain diffusion region.例文帳に追加

フィールドドレイン部は、ゲート電極とドレイン拡散領域との間に介在するように、ゲート電極の下方の半導体基板中に形成された絶縁体である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SPE process can be conducted with or without diffusion of germanium into the underlying silicon 500, and so is applicable to SOI as well as conventional semiconductor substrates.例文帳に追加

ＳＰＥプロセスは、下地のシリコン５００中へのゲルマニウムの拡散を用いてまたは用いずに実際され得、従って、ＳＯＩ及び従来の半導体基板に適用可能である。 - 特許庁

A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加

半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極４の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第１の拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

To enable a source region, a drain region, and other impurity diffusion regions to be reduced in resistance by applying a quick means in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。 - 特許庁

To provide a method for forming on a semiconductor substrate a silicon-containing insulation film having a dielectric constant of 2.9 or less, and a diffusion coefficient of 250 μm^2/min or less.例文帳に追加

半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm^2/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an MIPS gate structure and prevented in diffusion of silicon from a polycrystalline silicon layer to a metal layer without forming a notch shape on the metal layer.例文帳に追加

金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a heterostructure magnetic shield having high magnetic shield effect, while preventing diffusion of the material of the magnetic material film during manufacturing processes.例文帳に追加

製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device where depth of impurity diffusion in an anode electrode region can be made shallow so as to reduce recovery loss.例文帳に追加

リカバリー損失の低減を図るべく、アノード電極領域の不純物拡散深さを浅くすることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A field effect transistor is provided with a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂとを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a coating liquid for boron diffusion for diffusing boron in higher concentration to a large size wafer larger than 4 inches without fluctuation of resistance value of a semiconductor device.例文帳に追加

４インチ以上の大型ウェーハに半導体デバイスの抵抗値のばらつきなく、高濃度にホウ素を拡散させることができるホウ素拡散用塗布液を提供する。 - 特許庁