「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

An annular field plate 19 and a floating limiter ring 20 are formed along the edge of a semiconductor substrate while surrounding an impurity diffusion region composing the element and an electrode.例文帳に追加

素子を構成する不純物拡散領域及び電極を囲むように、環状のフィールドプレート１９及びフローティングリミッティングリング２０が半導体基板の縁に沿って形成される。 - 特許庁

In this case, the diffusion of hydrogen atoms existing in the layer to the side of a semiconductor layer can be suppressed by a force which adsorbs the hydrogen-adsorbing layer 110 or the integrated layer the hydrogen.例文帳に追加

ここで、水素吸着層（１１０）または一体化層がその水素を吸い寄せる力によって、その層内に存在する水素原子が半導体層側へ拡散することを抑制し得る。 - 特許庁

To eliminate digging of side portion of a gate electrode of a semiconductor substrate, and to reduce variations of an overlap region between the gate electrode and an extension diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板におけるゲート電極の側方部分の掘り込みをなくすと共に、ゲート電極とエクステンション拡散層とのオーバラップ領域のばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing capacitor of semiconductor element by which the deterioration of a dielectric layer can be prevented by preventing the diffusion of hydrogen generated in a chamber at the time of forming a protective film.例文帳に追加

本発明は、保護膜形成時にチャンバ内に発生する水素の拡散を防止し、誘電体層の劣化を防止できる半導体素子のキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form interconnection which passes through a diffusion barrier, an etching stop, and a dielectric material for electrical interconnection of a device in a dual damascene structure comprising vias, trenches, and a semiconductor device 300.例文帳に追加

ビア、トレンチ、及び半導体デバイス(300)のデュアルダマシン構造における電気的なデバイスの相互接続用の拡散バリア、エッチング停止、及び誘電体物質を通る相互接続を形成すること - 特許庁

Therefore, the diffusion of Zn from the p-type layer (6) included in the III-V group compound semiconductor device to an adjacent layer (4) in which Zn is not contained can be suppressed.例文帳に追加

それによって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置中に含まれるそのｐ型層（６）からその近隣のＺｎを含まない層（４）へのＺｎの拡散が抑制され得る。 - 特許庁

To stably maintain high cleanliness within a cabinet in a substrate treatment apparatus for manufacturing a semiconductor device by conducting processes such as film forming and impurity diffusion or the like to the substrate.例文帳に追加

基板に製膜処理、不純物の拡散等の処理をして、半導体装置を製造する基板処理装置に於いて、筐体内の高清浄度を安定して維持できる様にする。 - 特許庁

In a semiconductor device that uses a high dielectric constant insulating film for a gate insulating film, a diffusion layer 12 requiring high temperature treatment is first formed, and then, a gate insulating film 15 is formed.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いる半導体装置において、高温熱処理を必要とする拡散層１２を先に形成し、その後ゲート絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is dipped in a solution, containing hydrogen peroxide so that a silicon oxide film 16 with a uniform thickness of less than 10 Å is formed on the surface of the base diffusion layer 6.例文帳に追加

その後、これを過酸化水素を含有する溶液に浸漬することにより、ベース拡散層６の表面に均一な１０Å以下の膜厚のシリコン酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

An infrared ray is led from an infrared-transmissive glass plate 12 located at the upper edge of the head along a through hole 11 via a diffusion lens 13, and heats the rear face of the semiconductor bare-chip.例文帳に追加

ヘッド上端の赤外線透過性ガラス板１２から貫通孔１１に沿って赤外線を導き、拡散レンズ１３を経由して半導体ベアチップの裏面を加熱できるようにしている。 - 特許庁

An MOS structure is formed of polysilicon 10 and the n-type diffusion resistor 11, as a variable resistor 5 between the IN terminal and the power switch element 2 for the semiconductor device 1.例文帳に追加

また、半導体装置１のＩＮ端子とパワースイッチ素子２の間には、可変抵抗体５として、ポリシリコン１０とＮ型拡散抵抗１１とでＭＯＳ構造が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein diffusion profile of impurities to be introduced to a substrate can be accurately controlled by selectively removing a natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜を選択的に除去することにより、基板に導入する不純物の拡散プロファイルを精度良くコントロールすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁

A gate electrode 12 is formed on a semiconductor substrate 10 through the intermediary of a gate insulating film 11, and a P-type impurity diffusion layer 13 is formed under the gate electrode 12.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が形成されており、該ゲート電極１２の下側にはｐ型の不純物拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device containing a ferroelectric capacitor having such a structure as to prevent the diffusion of hydrogen into a ferroelectric film without needing an additional process.例文帳に追加

追加の工程を必要とすることなく強誘電体膜への水素拡散を防止することができる構造の強誘電体キャパシタを備える半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

After forming side walls 109 on the side walls of the gate electrode 105a, a source drain diffusion layer 111 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 101 by the ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａの側壁にサイドウォール１０９を形成した後、イオン注入によって半導体基板１０１の表面側にソース・ドレイン拡散層１１１を形成する。 - 特許庁

Therefore, impurities used for forming source/drain regions in the silicon semiconductor substrate can be restrained from thermal diffusion, and a fine MOS device can be formed.例文帳に追加

したがって、シリコン半導体基板中の、例えば、ソース／ドレイン領域形成に用いられるドーパント不純物の熱拡散を抑えることができるので微細ＭＯＳ素子を形成することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which narrows a distance between a plurality of active layers mutually, while suppressing the diffusion of high-concentration dopant constituting tunnel junction.例文帳に追加

トンネルジャンクションを構成する高濃度のドーパントの拡散を抑制しつつ複数の活性層の相互間の間隔を狭くする半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A stress film 31 is continuously formed over the gate electrode and source/drain diffusion layer and in the trench and applies a tensile stress or compressive stress to the semiconductor substrate.例文帳に追加

応力膜３１は、ゲート電極上とソース／ドレイン拡散層上およびトレンチ内に連続して形成され、半導体基板に引っ張り応力または圧縮応力を与える。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer capable of suppressing the diffusion of a p-type dopant to an active layer during crystalline growth or LED energization, and to provide a semiconductor luminescent device using the wafer.例文帳に追加

結晶成長時又はＬＥＤ通電時のｐ型ドーパントの活性層への拡散を抑制することが可能なエピタキシャルウェハ及びそのウェハを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition excellent in relative permittivity having ≤3.5 and crack resistance and having a function preventing diffusion of copper as an interlaminar insulating film in such as semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、３．５以下の比誘電率とクラック耐性に優れ、かつ銅の拡散防止機能を有する膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

To surely form a diffusion prevention layer on columnar electrodes by a simple process, in a semiconductor device called a CSP wherein solder balls are formed on the columnar electrodes made of copper.例文帳に追加

銅からなる柱状電極上に半田ボールが設けられたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極上に拡散防止層を簡単な工程で確実に形成する。 - 特許庁

It is also provided with a peripheral electrode 5 which is formed on the entire peripheral area of the surface of the semiconductor substrate in a manner to enclose the diffusion layer and the functional electrode, and which is at the same potential as the rear electrode.例文帳に追加

拡散層及び機能電極を包囲するように、半導体基板の表面周辺全域に形成された、裏面電極と同電位の周辺電極５を有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is subjected to heat treatment after implanting impurities to a plurality of depths L1-L5, thereby forming the deep impurity diffusion region 8 by heat treatment in a short period of time.例文帳に追加

複数の深さＬ１〜Ｌ５に不純物を注入しておいてから熱処理をするので、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で形成することができる。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For successful operation of the prototype semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit for shipment is manufactured, by forming impurity diffusion region 16P and 16N of transistor in the prescribed region (region comprising only solid line part) which is enclosed by the field oxide film on the semiconductor wafer 15 for shipment.例文帳に追加

試作された半導体集積回路が所望の動作をした場合に、出荷用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分のみから成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して出荷用の半導体集積回路を製造する。 - 特許庁

To provide a film forming method which can form a semiconductor device by epitaxial growth without segregating an impurity; and to provide a semiconductor device manufacturing method which can shallowly keep the depth of diffusion of the impurity on surface of the semiconductor substrate by elevating source/drain in an application of the film forming method.例文帳に追加

不純物の偏析なく半導体層をエピタキシャル成長によって形成することが可能な成膜方法および、この成膜方法を適用して積み上げソース・ドレインすることにより半導体基板の表面側における不純物の拡散深さを浅く保つことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

Or, an insulating thin film which transmits light of ≤2,000 nm in wavelength by ≥95% and contains elements given the same or different conductivity with the semiconductor substrate is provided on the photodetection surface side of the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、半導体基板の受光面側に波長２０００ｎｍ以下の光を９５％以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer.例文帳に追加

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, method for manufacturing an active layer of the thin film transistor, and a display device for minimizing deterioration of semiconductor properties of a polycrystalline semiconductor layer due to density difference of metal catalysts even if a silicon layer is formed to the polycrystalline semiconductor layer by using diffusion of the metal catalysts.例文帳に追加

金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method for suppressing the diffusion to a semiconductor substrate of nitrogen for suppressing the punch-through of conductive impurities introduced into a gate electrode, while suppressing the punch-through to the semiconductor substrate of the conducive impurities and suppressing the deterioration of transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート電極中に導入された導電性不純物の半導体基板への突き抜けを抑止しつつ、当該導電性不純物の突き抜けを抑止するための窒素の半導体基板への拡散をも抑止してトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photodetector incorporated semiconductor device which can have a large ratio of photosensitivity, specially, to two wavelengths, can be manufactured through a consistent manufacturing process for semiconductor device without forming deep diffusion, and can individually extract corresponding electric signals by processing lights of two wavelengths by one semiconductor element.例文帳に追加

特に２つの波長に対する受光感度比を大きくとれ、しかも深い拡散を作る必要がなく、一貫した半導体装置の製造プロセスで製作でき、１つの半導体素子で異なる２つの波長の光を処理して、別々に対応する電気信号を取り出すことが出来る受光素子内蔵半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

At the surface heating step S10, a temperature of the semiconductor substrate 12 at the depth 50 after the implantation step S8 is kept to be lower than a hydrogen ion outward-diffusion temperature, whereby the surface 12b of the semiconductor substrate 12 is heated until a temperature of the surface 12b of the semiconductor substrate 12 reaches a crystal defect disappearing temperature or higher.例文帳に追加

表面加熱工程Ｓ１０は、注入工程Ｓ８後の前記深さ５０の半導体基板１２の温度を水素イオン外方拡散温度未満に維持しながら、半導体基板１２の表面１２ｂの温度が結晶欠陥消滅温度以上に昇温するまで半導体基板１２の表面１２ｂを加熱する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a means for reducing a mounting area and suppressing a temperature rise by stack-mounting semiconductor elements which separately generate heat in different time zones or different places, and functioning the semiconductor element near a wiring board as a heat diffusion board of the semiconductor element far from the wiring board.例文帳に追加

異なる時間帯もしくは異なる場所で別々に発熱する半導体素子をスタック実装し、配線基板に近い半導体素子が配線基板から遠い半導体素子の熱拡散板として機能させることで実装面積低減と温度上昇の抑制を両立させる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁