「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor chip 11 is provided with a silicon substrate 16 including an element forming region 21 on the upper side of which a MIS transistor source-drain diffusion layer is formed, and a scribe region 22 for surrounding the element forming region 21.例文帳に追加

半導体チップ１１は、ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層を上面に有する素子形成領域２１と、素子形成領域２１の周囲を囲むスクライブ領域２２とを有するシリコン基板１６を備える。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

To prevent generation of an intermediate region due to metal diffusion in a connection portion between conductors in a semiconductor device provided with the two conductors, at least one of them having an FUSI (fully silicided) structure.例文帳に追加

少なくとも一方がＦＵＳＩ構造である２つの導電体を備えた半導体装置において導電体同士の接続箇所での金属拡散に起因する中間相領域の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor product having arsenic N+ diffusion that prevents the deterioration of protectiveness caused by a rise (walkout) in trigger voltage which occurs when an ESD pulse is applied to the product several times in the case where the product has a phosphorus-diffused ESD protective off-transistor.例文帳に追加

リン拡散のESD保護オフトランジスタをもつ場合、何回ものESDパルスが掛かったことにより起こるトリガー電圧の上昇（ウオークアウト）による保護性の劣化を防止した砒素N＋拡散をもつ半導体製品の提供。 - 特許庁

To provide a wafer with a tapered edge of an improved manufacturing yield for film forming in a semiconductor manufacturing process, by chemical vapor deposition (CVD), impurity diffusion, annealing, epitaxial growth, or other processes.例文帳に追加

半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which does not have overlap regions between an impurity diffusion layer and a floating gate of a memory cell, properly improves the scalability of the gate length and has a large capacity and low bit cost.例文帳に追加

不純物拡散層とメモリセルの浮遊ゲートとの間のオーバーラップ領域がなく、ゲート長のスケーラビリティを大幅に改善し、大容量・低ビットコストの不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has RESURF structure that can actualize high breakdown voltage without adding a diffusion step at high temperature for a long time and improve reliability, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高温長時間の拡散工程を追加することなく、高耐圧を実現することができ、かつ信頼性を向上することができるリサーフ構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a substrate 11 is installed, and a silicon oxide film 12, a lower electrode layer 13, a ferroelectric oxide layer 14, a diffusion prevention layer 15, and an upper electrode layer 16, are laminated in order on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上にシリコン酸化膜１２、下部電極層１３、強誘電体酸化物層１４、拡散防止層１５、上部電極層１６が順次積層されて構成された構成とする。 - 特許庁

A semiconductor switch is provided with resistors 31 and 32 respectively connected to a source 21 and a drain 22 in an n-type MOSFET 1a having the source and the drain, which is an n-type diffusion layer formed in a P well.例文帳に追加

半導体スイッチは、Ｐウェルに形成されるｎ型拡散層であるソース及びドレインを有するｎ型ＭＯＳＦＥＴ１ａにおいて、ソース２１及びドレイン２２のそれぞれに接続された抵抗３１、３２を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for preventing diffusion of impurities included in a gate electrode, and improving the reliability and resistance to hot carriers of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The plurality of channel patterns 101 is extended over two edges of a diffusion layer 211 formed on a semiconductor substrate and is arranged in parallel in order to form a plurality of channel parts arranged in parallel with each other.例文帳に追加

複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.例文帳に追加

不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加

これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁

To provide a optoelectric transducer element which is manufactured by using a compound semiconductor crystal substrate made of 12 (2B) group element and 16 (6B) group element of the periodic table and forming a pn joint through thermal diffusion.例文帳に追加

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成して作製される光電変換機能素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent a part becoming CMOSFET from being exposed to excessive heat in a heat treatment for emitter diffusion in a manufacturing method of a semiconductor device where a bipolar transistor and CMOSFET are formed on one substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、ＣＭＯＳＦＥＴとなる部分をエミッタ拡散のための熱処理によって過剰な熱に晒さないようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device structure which is improved in manufacturing yield by alleviating the influence of the diffusion of a p-type dopant element on its characteristics, and by distributing the concentration of a p-type dopant element as designed.例文帳に追加

ｐ型ドーパント元素の拡散による特性に対する影響を軽減し、かつｐ型ドーパント元素を設計通りに濃度分布させることが可能な、歩留まりの高い半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加

レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Piezoresistance 3 and diffusion wiring 4 are formed at a preset position on one side of the diaphragm 1a, and an oxide film 5 and nitride film 6 are formed on the side of the semiconductor pressure sensor tip 1 where the piezoresistance 3 is formed.例文帳に追加

ダイヤフラム１ａの一面側所定位置には、ピエゾ抵抗３及び拡散配線４が形成され、半導体圧力センサチップ１のピエゾ抵抗３形成面側には酸化膜５／窒化膜６が形成されている。 - 特許庁

To accurately detect the completion point of polishing of a semiconductor wafer having a film to prevent diffusion of a metal of a metallic film being a called barrier film between a metallic film of a topmost layer and an insulation layer of a lower layer.例文帳に追加

最上層の金属膜と下層の絶縁層との間のバリア膜といわれる金属膜の金属の拡散を防止するための膜を有する半導体ウェハ研磨の終了点を正確に検出する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制（バリヤ）層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents not only the metal ion diffusion from a gate insulating layer to an organic semiconductor layer but also the deterioration of the characteristics, a high-reliability electronic circuit, a display device and electronic device.例文帳に追加

ゲート絶縁層から有機半導体層への金属イオンの拡散が防止され、特性の低下を抑制し得る薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加

ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

In this structure, a selectively oxidized film 13 and an oxide film 12 are formed on a silicon semiconductor substrate 11 and impurity diffusion layers 14 connected to circuit wiring (181) are formed on both sides of the film 13.例文帳に追加

シリコン半導体基板１１上に選択酸化膜１３、酸化膜１２が形成され、選択酸化膜１３を隔てた両側に各々が回路配線（１８１）に繋がる不純物拡散層１４が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device of the present invention comprises first Cu wiring 102 and a first barrier insulating film 103 that is provided on the first Cu wiring 102 and prevents diffusion of Cu from the first Cu wiring 102.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。 - 特許庁

To provide a high luminance nitride-based semiconductor light-emitting diode adapted to optimize a current diffusion effect and minimize an electrostatic discharge impact to make it possible to stabilize from a high static electricity.例文帳に追加

電流拡散効果を最適化すると共に、静電気放電衝撃を最小化することにより、高い静電気から安定化させることができる高輝度の窒化物系半導体発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

To enable anyone to quickly extract failure factors causing the product yield to drop in machining processes such as diffusion steps to meet the actual situation in a semiconductor manufacturing factory.例文帳に追加

半導体製造工場の拡散工程等の加工プロセス工程において製品の歩留り低下を引き起こす異常要因を抽出するに際して、実態に即して迅速にかつ誰でもが抽出できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor capable of enhancing electrostatic resistance by utilizing an existing diffusion layer even when there is restriction in space; and to provide a semiconductor integrated circuit device using the same.例文帳に追加

本発明は、スペース上の制約がある場合であっても、既存の拡散層を利用し、静電耐性を高めることができるＭＯＳトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

Then the thermal diffusion plate 73 is for diffusing heat energy from the heating plate 74 and thus uniformly heating the semiconductor wafer W and is composed of quartz having thermal conductivity lower than that of the heating plate 74.例文帳に追加

一方、熱拡散板７３は、加熱プレート７４からの熱エネルギーを拡散して半導体ウエハーＷを均一に加熱するためのものであり、加熱プレート７４よりも熱伝導率が低い石英から構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has suppressed metal diffusion from a conductive pad to a solder bump and low contact resistance between the conductive pad and the solder bump, and is capable of achieving improved reliability, high speed, and high integration.例文帳に追加

導電パッドから半田バンプへの金属拡散が抑制され、導電パッドと半田バンプとの接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The resistive element comprises two or more kinds of electric conduction layers containing an electric conductive film 4 and a diffusion layer 5, and a position specifier 4a for specifying a region to the semiconductor substrate 1 consisting of the same material as the electric conductive film.例文帳に追加

抵抗素子は、導電膜４と拡散層５を含む２種類以上の導電層と、導電膜と同一材料により構成され、半導体基板１に領域を規定する位置規定部４ａとを備える。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a leakage current even when MIS transistors having a plurality of kinds of threshold voltages are made high in threshold voltage without increasing a number of photoresists and without adding an impurity diffusion step.例文帳に追加

複数種類の閾値電圧のＭＩＳトランジスタをフォトレジスト数及び不純物拡散工程を追加することなく、閾値電圧を高くしてもリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加

また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulation film wherein its reaction on the gate electrode of the device is suppressed, and any impurity diffusion performed from the gate electrode to it can be suppressed, and further, its film thickness calculated in terms of a silicon oxide film is made small.例文帳に追加

ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thermal treatment equipment heats a semiconductor wafer W held by a thermal diffusion plate 73 and a heating plate 74 with flashlight by projecting the flashlight upon the wafer W from a light source 5 provided with a plurality of flash lamps 69.例文帳に追加

複数のフラッシュランプ６９を備える光源５から閃光を照射することによって、熱拡散板７３および加熱プレート７４に保持された半導体ウェハーＷに対するフラッシュ加熱を行う。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁