「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a capacitor manufacturing method of a semiconductor element which can prevent a lower diffusion preventing film from being oxidized, by reducing oxygen as reaction gas for forming an Ru film at the time of forming the Ru film as a lower electrode.例文帳に追加

下部電極としてＲｕ膜を形成する際に、Ｒｕ膜を形成するための反応ガスとしての酸素を還元することにより、下部の拡散防止膜が酸化されることを防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層（拡散層）を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that will not cause increasing diffusion of arsenic into silicon oxide film or in a silicon substrate, and will not cause degradation of tunnel oxide film even if a nitride film exists near transistors.例文帳に追加

トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置１は、溝部１６と、溝部１６の表面上に形成されたゲート絶縁膜１７と、溝部１６に埋め込まれたゲート電極１８と、溝部１６に隣接するように形成されたＮ^＋型ソース拡散層１５とを備えている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit comprises a gate 12 insulated from a diffusion layer 11 of a transistor, wiring 13, 14 connected to the gate 12, wiring 15 in parallel with and adjacent to the wiring 13, and wiring 16 connected to the wiring 15.例文帳に追加

半導体集積回路は、トランジスタの拡散層１１と絶縁されて設けられるゲート１２と、ゲート１２に接続される配線１３、１４と、配線１３に平行して隣接する配線１５と、配線１５に接続される配線１６と、を備える。 - 特許庁

The display device 100 comprises: a circuit wiring board 10 comprising a board 10a having a dispersed light diffusion material and a circuit board 10c; a group III nitride based compound semiconductor light-emitting device 201; wire bondings 3n, 3p; and a shading member 4.例文帳に追加

表示装置１００は、光拡散材料が分散された基板部１０ａと回路配線１０ｃとから成る回路配線基板１０、III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１、ワイヤボンディング３ｎ及び３ｐ、並びに遮光部材４から成る。 - 特許庁

By subjecting the end-surface regions of the semiconductor light emitting element to mixed crystallization, the energy level of the bottom of the band structure of each end-surface region becomes higher than the band structure of the inside of the element subjected to no mixed crystallization to reduce the diffusion of carriers to each end surface of the element.例文帳に追加

素子の端面領域を混晶化することにより、端面領域のバンド構造の底のエネルギー準位が混晶化されない素子内部のバンド構造に比べて相対的に高くなり、端面へのキャリアの拡散を低減する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.例文帳に追加

基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A laminate 13 comprising the supporting member 10, the metallic member 12 and the metal bonding material 2 is subjected to isotropic compression and, are heated at the melting temperature of the metal bonding material 2 or less, and the semiconductor wafer supporting member 10 and the metallic member 12 are subjected to diffusion bonding.例文帳に追加

支持部材１０、金属部材１２および金属接合材２を含む積層体１３を等方加圧しながら、金属接合材２の融点以下の温度で加熱し、半導体ウェハー支持部材１０と金属部材１２とを拡散接合する。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an epitaxial high-κ insulating film which can be reduced in film thickness in terms of SiO_2, improved in heat-resistant properties with its interface characteristics kept excellent, and improve the impurity diffusion resistant-properties.例文帳に追加

エピＨｉｇｈ−κのＳｉＯ_２換算膜厚低減の可能性、良質な界面特性を保持しつつ、耐熱性を向上させ、不純物拡散耐性をも改善させたＨｉｇｈ−κ絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate, an active region 101 and another active region 102 intersecting the region 101 at right angles are specified, and diffusion regions are formed in the active regions 101 and 102 so as to pinch the intersecting region 103 of the active regions 101 and 102.例文帳に追加

半導体基板表面に活性領域１０１とそれに直交する活性領域１０２を規定し、交差領域１０３を挟むように活性領域１０１及び活性領域１０２内に拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion function element having high strength and emitting light stably by employing a compound semiconductor crystal substrate of group 12(2B) and 16(6B) elements and forming a pn junction by thermal diffusion.例文帳に追加

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成し、強度が高く、かつ安定した光を発光する光電変換機能素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the implantation depth heating step S12, after the surface heating step S10, at least the semiconductor substrate 12 at the depth 50 is heated until reaching a temperature of the hydrogen ion outward-diffusion temperature or higher within a hydrogen ion activation-temperature range.例文帳に追加

注入深さ加熱工程Ｓ１２は、表面加熱工程Ｓ１０後に、少なくとも前記深さ５０の半導体基板１２を、水素イオン活性化温度域内にあって水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MIS transistor provided with an FUSI gate electrode and the polysilicon resistor, a part provided in a contact formation region of the polysilicon resistor is silicified simultaneously with the gate electrode or an impurity diffusion region.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート電極とポリシリコン抵抗体とを有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン抵抗体のうちコンタクト形成領域に設けられた部分は、ゲート電極または不純物拡散領域と同時にシリサイド化される。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.例文帳に追加

Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.例文帳に追加

この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁

The method for forming the ohmic electrode comprises the steps of forming the ohmic electrode 7 in which a stable layer 8 and an Au layer 9 containing a predetermined element and suppressing the diffusion of an Au are sequentially laminated, on the ohmic contact semiconductor layer 6 doped with a dopant made of the predetermined element.例文帳に追加

所定元素からなるドーパンドでドープされたオーミック接触半導体層６上に、前記所定元素を含むとともにＡｕの拡散を抑制する安定層８及びＡｕ層９を順次積層させたオーミック電極７を形成する。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.例文帳に追加

また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第ＩＶ族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

A laser beam for HD and a laser beam for DVD emitted from semiconductor lasers 101 and 102 converted into parallel beams (an infinite conjugated system) by a collimator lens 106 and made incident in the objective lens 111 and a laser beam for CD emitted from a semiconductor laser 103 is made incident in the objective lens 111 in a diffusion state (a finite conjugated system).例文帳に追加

半導体レーザ１０１、１０２から出射されたＨＤ用レーザ光とＤＶＤ用レーザ光はコリメートレンズ１０６によって平行光とされて（無限共役系）対物レンズ１１１に入射され、半導体レーザ１０３から出射されたＣＤ用レーザ光は拡散状態（有限共役系）のまま対物レンズ１１１に入射される。 - 特許庁

The vehicle headlamp 1 forms a desired low-beam light distribution pattern by a condensing lamp unit 20 and a diffusion lamp unit 30 which have respectively semiconductor light-emitting elements 22, 32 with rectangular light-emitting faces 22a, 32a and projection lenses 21, 31 for projecting light emitted from the semiconductor light-emitting elements 22, 32 to the front of the lamp.例文帳に追加

車両用前照灯１は、長方形の発光面２２ａ，３２ａを有する半導体発光素子２２，３２と、半導体発光素子２２，３２からの出射光を灯具前方へ投影する投影レンズ２１，３１とをそれぞれ備えた集光用灯具ユニット２０及び拡散用灯具ユニット３０によって所望のすれ違い用配光パターンを形成する。 - 特許庁

The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusion layer 50b provided on the other surface.例文帳に追加

請求項１の発明は、第１の面及び第２の面を有してなる透光性基板２と；前記第１の面に配設された複数の半導体発光素子７と；前記複数の半導体発光素子を覆うように第１の面に設けられた蛍光体層１８と；前記第２の面に設けられた光拡散層５０ｂと；を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

The semiconductor module for power conversion comprises an insulating substrate (10), an electrode wiring layer (11A) provided on one major surface thereof, and a switching element (12) and a circulation diode (13) mounted on the electrode wiring layer wherein thermal resistance against diffusion of heat generated from the circulation diode is lower than thermal resistance against diffusion of heat generated from the switching element.例文帳に追加

絶縁基板（１０）と、その一方の主面上に設けられた電極配線層（１１Ａ）と、その電極配線層の上にマウントされたスイッチング素子（１２）及び還流ダイオード（１３）と、を備えた電力変換用の半導体モジュールであって、還流ダイオードにおいて生じた熱の拡散に対する熱抵抗が、スイッチング素子において生じた熱の拡散に対する熱抵抗よりも小さいものとする。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a first area where a first transistor having a high threshold voltage is formed and a second area where a second transistor having a low threshold voltage is formed, and the interval L1 of the diffusion area of the adjacent transistor in the first area is wider than the interval L2 of the diffusion area of the adjacent transistor in the second area.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、高い閾値電圧を有する第１のトランジスタが形成される第１の領域と、低い閾値電圧を有する第２のトランジスタが形成される第２の領域と、を備え、第１の領域において隣接するトランジスタの拡散領域の間隔Ｌ１は、第２の領域において隣接するトランジスタの拡散領域の間隔Ｌ２のよりも広いことを特徴とするものである。 - 特許庁

Further, a bonding wire for semiconductor comprises a core formed of a first metal having a conductivity or an alloy formed mainly of the first metal, an outer peripheral part formed of a second metal having a conductivity different from that of the first metal of the core or an alloy formed mainly of the second metal, and a diffusion layer disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient.例文帳に追加

また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と、前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部、さらにその芯線と外周部の間に、拡散層を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 - 特許庁