「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1A includes a diode (sensor) D made of an impurity diffusion layer formed on a surface layer of a semiconductor substrate 101 and an oxide insulating film 9A formed on the diode D and containing carbon.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層からなるダイオード（センサ）Ｄと、ダイオードＤ上に設けられた炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａとを備えた固体撮像装置１Ａ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wavelength filter 210 covering the diffusion region 204 is, for example, a compound semiconductor thin film having a thickness of 7 μm consisting of InGaAsP having an absorption edge wavelength of 1.4 μm, and bonded using resin 211.例文帳に追加

拡散領域２０４を覆う波長フィルタ２１０は、例えば吸収端波長１．４μｍのＩｎＧａＡｓＰよりなる厚さ７μｍの化合物半導体薄膜であり、樹脂２１１によって接着されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that prevents charging damage to a transistor, when forming a moisture diffusion prevention film, and suppresses the infiltration of moisture to a ferroelectric capacitor, when forming wiring.例文帳に追加

水分拡散防止膜の形成時におけるトランジスタへのチャージングダメージを防止すると共に、配線形成時における強誘電体キャパシタへの水分の侵入を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, mutual diffusion and interaction of atoms between the resonator end face and the end face coat film can be suppressed; and high COD tolerance, high output, and long lifetime can be provided to the nitride semiconductor laser element 10.例文帳に追加

これにより、共振器端面と端面コート膜との間での原子の相互拡散、相互反応を抑制でき、窒化物半導体レーザ素子１０をＣＯＤ耐性が高く、高出力かつ長寿命とすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process, handleable in a light room, exposed with a blue semiconductor laser scanning type exposure machine and is superior, particularly in printing performance.例文帳に追加

明室下で取り扱い可能で、青色半導体レーザー走査型露光機で感光する銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版で、印刷性能特に優れた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can prevent diffusion of the impurities contained in the gate electrode and improve the reliability of the gate insulation film and the durability of the hot carriers.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The MOSFET includes a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate, a gate electrode 12 formed on the gate insulating film, and a source/drain diffusion layer 21 sandwiching a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２１と、を含む。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

As explained above, the manufacturing process of a semiconductor can be simulated more accurately by considering the effect on the phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of implanting high concentration ions when the impurity diffusion is calculated.例文帳に追加

このように、高濃度イオン注入のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響を不純物拡散計算中に考慮することにより、半導体の製造プロセスをより正確にシミュレーションすることができる。 - 特許庁

In the semiconductor layer element, a dopant resulting from mixing two elements Mg and Zn different in ease of diffusion is added to a p-InGaP clad layer 13 formed on an infrared laser active layer 12.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed.例文帳に追加

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the area of the part of the anode electrode 3 formed with the insulating film 9 interposed is smaller than the area of the insulating film 9 on the surface of the outer circumferential portion 8 of the anode diffusion region 2.例文帳に追加

、前記アノード拡散領域２の外周部８の表面の絶縁膜９の面積より、該絶縁膜９を介して形成されるアノード電極３部分の面積が小さい半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage that prevents a machined shape in a diffusion region from varying easily for reducing variation in the characteristics of a transistor, and can achieve high integration in a CMOS-type SRAM memory.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、拡散領域の加工形状が変動しにくく、その結果としてトランジスタの特性ばらつきが少なく、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a control electrode 34, first and second impurity diffusion regions 24a and 24b, first and second resistance change portions 22a and 22b, and first and second charge accumulation portions 40a and 40b.例文帳に追加

制御電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an element wherein when directly joining a semiconductor layer such as n^+-Si and an Al-Ni-based alloy layer, the mutual diffusion of Al and Si can be so prevented as to be able to maintain the ohmic characteristic of the element.例文帳に追加

ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金層を直接接合させる場合、ＡｌとＳｉとの相互拡散が防止でき、オーミック特性を維持することが可能な素子を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit includes a semiconductor substrate, a low dielectric layer on the semiconductor substrate, a first groove in the low dielectric layer, and a first diffusion barrier layer covering the low dielectric layer in the first groove, so that the first diffusion barrier layer has a bottom connected to a side wall which has an upper side surface close to the upper side surface of the low dielectric layer.例文帳に追加

集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of semiconductor device with the conductor layer formed by laminating silicon and cobalt silicide comprises a process for forming and laminating a diffusion suppressing film consisting of silicon into which nitrogen is mixed, a process for forming and laminating the diffusion suppressing film and a cobalt film, and a process for forming the cobalt silicide by reacting silicon and cobalt.例文帳に追加

また、シリコンとコバルトシリサイドとを積層した導体層を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコンに窒素が混入した拡散抑制膜を積層形成する工程と、前記拡散抑制膜にコバルトの膜を積層形成する工程と、前記シリコンとコバルトとを反応させてコバルトシリサイドを形成する工程とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置２０は、ＮＭＯＳトランジスタ３１を含む内部回路１と、ｐ型ウェル拡散領域１１と、そのｐ型ウェル拡散領域１１内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のｎ型領域１２ａおよび１２ｂとを有する保護素子４１を含む静電気保護回路２とを備えている。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor device having a metallic wiring covered by a low-permittivity film without the low-permittivity film and a metal-diffusion-preventing film exfoliated by improving an adhesion at the interface between the metal-diffusion-preventing film for preventing the diffucion from the metal wiring and the low-permittivity film.例文帳に追加

低低誘電率膜に覆われた金属配線を有する半導体装置において、金属配線からの拡散を防止する金属拡散防止膜と低誘電率膜との界面における密着性を向上させ、低誘電率膜と金属拡散防止膜とが剥離しにくい信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for an electronic device that can improve crystallinity of a group III nitride semiconductor grown above an aluminum diffusion region by providing the aluminum diffusion region in a predetermined region of a silicon substrate and setting surface roughness within a proper range and a method of manufacturing the same, and an epitaxial substrate for a group III nitride electronic device.例文帳に追加

シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3.例文帳に追加

前記拡散抵抗領域３は第二トレンチ６および一導電型の不純物領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ６の側壁に絶縁膜７を介して設けられている導電性ポリシリコン５が、前記拡散抵抗領域３のいずれかの端部４ａと短絡接続されている半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置２０は、エピタキシャル層２のｎ型ウェル領域２ａに形成されたトレンチ３と、トレンチ３の内面上に形成された埋め込み電極５と、エピタキシャル層２のｐ^-型領域２ｂに形成され、複数のｎ^+型拡散領域７およびｐ^+型拡散領域８によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region.例文帳に追加

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。 - 特許庁

Electrons as minority carriers formed by having light incident on a division part which is a part between the two N-type semiconductors 103 and 104 of the P-type semiconductor layer 101 are suppressed in diffusion in the depth direction of the P-type semiconductor layer 101 by a P-type semiconductor 107 formed on the division part, and quickly introduced to the N-type semiconductors 103 and 104.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１０１の２つのＮ型半導体部１０３，１０４の間の部分である分割部に光が入射して形成された少数キャリアとしての電子は、この分割部に形成されたＰ型半導体部１０７によってＰ型半導体層１０１の深さ方向への拡散が抑制されて、迅速にＮ型半導体部１０３，１０４に導かれる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a nitride-based semiconductor laser which replaces local impurity diffusion carried out so far for such materials that an impurity is not easily diffused like nitride-based semiconductor materials, for example, GaAlAs-based and AlGaInP-based materials, the manufacturing method being effective, good in precision, and suitable for mass production; and nitride-based semiconductor laser manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

Here, before applying the light-transmitting adhesive agent 31, a weir portion 24 on the semiconductor substrate 20 is so formed that the light-transmitting adhesive agent 31 applied to the region corresponding to the light receiving part 21 is prevented from flowing into the region corresponding to the floating diffusion part 22 on the semiconductor substrate 20 (S18).例文帳に追加

ここで、透光性接着剤３１の塗布前に、半導体基板２０上に、受光部２１に対応する領域に塗布された透光性接着剤３１が半導体基板２０上の浮遊拡散部２２に対応する領域に流れ込むのを防止するように堰部２４を形成する（Ｓ１８）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a diffusion problem with a surface layer forming metal can be certainly solved, magnetically adverse effects on a semiconductor element, and further are eliminated by realizing a non-magnetic external electrode, deterioration of electrical conductivity is not caused even when the frequency of a transmit signal increases.例文帳に追加

表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1.例文帳に追加

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板１と、上記主表面１ａに配置された電極層４と、主表面１ａの一部に設けられた多孔質層１０とを備え、半導体基板１のうち主表面１ａの近傍には不純物が拡散された拡散層３が形成されている。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which the thickness of electroless Ni-P plating of circuit patterns is not thick as the film, and the diffusion of Ni in the Ni-P plating into solder is restrained, and which has high reliability and can be manufactured with high yield, and to prove a manufacturing method of the power semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、回路パターンの無電解Ｎｉ−Ｐめっきの厚さを厚膜化することなくＮｉ−Ｐめっき中のＮｉがはんだ中に拡散することを抑制し、かつ、信頼性および歩留まりを高めることができる電力半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an asymmetric thermoelectric module and a manufacturing method of the same, that can prevent diffusion of a semiconductor element and prevent deterioration due to aging by forming auxiliary layers for both sides of a semiconductor element to improve the thermoelectric performance and eliminate the defect caused by contact crack.例文帳に追加

半導体素子の両側に融点の異なった補助層を形成して熱電性能を向上させ、接点クラックによる不良を改善し、時間経過による劣化を防止するうえ、半導体素子の拡散を防止することができるようにする、非対称熱電モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁