「semiconductor diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

Namely, the heat generated in the first active region R1 is prevented (relieved) from thermally concentrating on a center portion of the semiconductor element 2, and effect of heat diffusion to the periphery is enhanced to lower the highest temperature of the semiconductor element 2, thereby making a temperature distribution uniform.例文帳に追加

すなわち、第１活性領域Ｒ１で生じた熱が半導体素子２の中央部へ熱集中するのを防ぐ（緩和する）と共に、周囲への熱拡散効果を高め、半導体素子２の最高温度を低下させ、温度分布を均一化することができる。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of which an abrasive trace is formed on a surface; and a part of a dopant diffusion region that extends along the abrasive trace, forming an angle to the abrasive trace within a range of -5° to +5°.例文帳に追加

半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−５°〜＋５°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

To manufacture a model which excludes causes such as the mobility, the diffusion and the speed of electrons reducing the reliability of a semiconductor element such as a MOSFET element when the semiconductor element with a more reduced gate size is modeled in order to simulate an electric movement.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのような半導体素子において電気的な動きをシミュレートするために、よりゲート寸法を縮小した素子においてモデル化する場合に信頼性を低下させる電子の移動度、拡散及び速度のような要因を排除したモデルを作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a drain drift region including a RESURF region formed on a semiconductor substrate, the drain drift region and/or the RESURF region having a diffusion region having a lower surface in a wave shape in a gate width direction.例文帳に追加

半導体基板上に形成したリサーフ領域を含むドレインドリフト領域を備える半導体装置であり、ドレインドリフト領域及び／又はリサーフ領域がゲート幅方向に波型（ウェーブ）状の下面形状の拡散領域を有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can realize a conductive path for connecting the front and the rear of a semiconductor substrate using implanting of local impurity by ion implantation, local diffusion of an impurity by laser beam irradiating; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入による局所的な不純物の打ち込みや、レーザー光照射による局所的な不純物の拡散を用いて半導体基板の表裏をつなぐ導電路を実現することができる半導体素子及びその製造方法を得るものである。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

Each of the first and second magnetic shield layered structures 16A and 16B includes a magnetic shield film composed of a magnetic material and covering the semiconductor element 12 and a buffer film disposed between the semiconductor element 12 and the magnetic shield film and preventing diffusion of the magnetic material.例文帳に追加

第一および第二の磁気シールド積層構造１６Ａおよび１６Ｂは、いずれも、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜および半導体素子１２と磁気シールド膜との間に介在し磁性体の拡散を防止するバッファ膜とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench-type MOSFET capable of suppressing deterioration in impurity concentration of a silicon electrode layer near a bottom portion of a trench while suppressing diffusion of impurities from a silicon electrode layer into a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン電極層から半導体基板内への不純物の拡散を抑制しつつ、トレンチの底部付近におけるシリコン電極層の不純物濃度の低下を抑制可能な溝型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses non-volatile memory elements and is capable of optimizing its device characteristics and improving its manufacturing yield after a diffusion process is performed, and to provide a voltage transformation method and an inspection method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子を用い、拡散工程後にデバイス特性の最適化と歩留りの向上を実現することができる半導体装置、電圧変換方法および検査方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the diffusion light-distribution pattern P1 is obtained by reflecting the light L1 of the semiconductor type light source 7 with a first reflection surface 8 formed by the parabolic-columnar curved surface.例文帳に追加

この結果、この発明は、半導体型光源７からの光Ｌ１を放物柱状曲面からなる第１反射面８で反射させることにより、拡散タイプの配光パターンＰ１が得られる。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法（深さ）を十分に短縮し，且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁

To provide a small crosstalk noise semiconductor device and its manufacturing method which can prevent diffusion of copper into a low permattrurty insulating film and reduce the permattrurty of a low-permattrurty insulating film and water absorptance.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜への銅の拡散を防止でき、低誘電率絶縁膜の誘電率および吸水性を低減できる小さなクロストークノイズの半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

Thereby, the enhanced diffusion of the boron can be prevented, and the occurrence of a short channel effect of a miniaturized semiconductor element can be suppressed by allowing the halo region 306 to be formed with high precision.例文帳に追加

これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a heat conduction member and a semiconductor support member which are excellent in chemical resistance, can suppress diffusion of aluminum component and have high affinity with a silicon substrate, and to provide a bonded wafer utilizing the heat conduction member.例文帳に追加

耐薬品性にすぐれ、アルミニウム成分の拡散を抑制することができ、シリコン基板との親和性が高い熱伝導部材、半導体支持部材、ならびに、それを利用した貼り合わせウェーハを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing equipment 1 having a vertical furnace such as a vertical diffusion CVD equipment with a substrate transfer machine 2, the direction of the substrate transfer machine 2 is set to a direction where dead space is reduced for arrangement.例文帳に追加

基板移載機２を具備する縦型拡散、ＣＶＤ装置等の縦型炉を有する半導体製造装置１に於いて、基板移載機２の向きをデッドスペースが少なくなる方向に傾けて配置する。 - 特許庁

To enhance yield and reliability of a semiconductor device by improving embedment of Cu in a Cu interconnection without sacrifice of the diffusion prevention function of a barrier film in a Cu interconnection having a damascene structure.例文帳に追加

ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。 - 特許庁

This multi-probe having a plurality of projections (probes) formed by crystal growth on a diffusion layer of a semiconductor substrate 1 as a base, is constituted by arranging the probes 2 of various heights.例文帳に追加

半導体基板１の拡散層を下地として結晶成長させた突起（プローブ）を複数有するマルチプローブであって、異なる高さを有するプローブ２が配列されて形成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and a method of manufacturing the same whereby the diffusion openings of a plurality of light- emitting parts are reduced in area and the plurality of light-emitting parts are formed with a high density.例文帳に追加

複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To rapidly perform a reading operation by lowering the resistance of a bit line, and to attain a refinement concerning a nonvolatile semiconductor storage device where an impurity diffusion layer is made to be the bit line.例文帳に追加

不純物拡散層をビットラインとする不揮発性半導体記憶装置において、ビットラインの低抵抗化により読み出し動作の高速化を実現できると共に微細化をも実現できるようにする。 - 特許庁

Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.例文帳に追加

第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁

To provide a composition for sealing a semiconductor, which enables the formation of a thin resin layer, can prevent the diffusion of a metallic component into a porous interlayer insulating layer, and has excellent adhesion to wiring materials.例文帳に追加

薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device has an electrode 53 which is formed on the first semiconductor region 23 existing between the floating diffusion region FD and the element isolation region 28, and to which a necessary bias voltage is applied.例文帳に追加

さらに、フローティングディフージョン領域ＦＤと素子分離領域２８の間に存在する第1の半導体領域２３上に形成され、所要のバイアス電圧が印加される電極５３とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is provided with the gate electrode of low resistance and which has a TAT.DRAM cell where sufficient insulation breakdown voltage is secured between the diffusion layer take-out electrode and the gate electrode.例文帳に追加

低抵抗のゲート電極を備え、かつ拡散層取り出し電極とゲート電極間に十分な絶縁耐圧を確保したＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

To improve the output characteristics of a semiconductor laser and to avoid deterioration of the outgoing end face by restraining diffusion of impurities in a step of forming an embedded regrowth type end face window structure.例文帳に追加

埋め込み再成長型の端面窓構造を形成する工程における不純物の拡散を抑制して、半導体レーザの出力特性の向上、及び出射端面の劣化を回避する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high rigidity nitride semiconductor laser element wherein diffusion of water included in the atmosphere is prevented into an end surface of a resonator and into a coating film formed thereon.例文帳に追加

雰囲気などに含まれる水分が、共振器端面およびその上に形成されたコート膜中に拡散するのを防止した、信頼性、耐久性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

There is provided a bonding wire for a semiconductor element 16, comprising: a wire 20 formed of copper or a copper alloy; and a copper ion diffusion suppression layer containing 1,2,3-Triazole and/or 1,2,4-Triazole configured to coat a surface of the wire.例文帳に追加

銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which suppresses the diffusion of p-type dopant to a light emitting layer (or active layer) with a high luminance and reduces the maintenance requirement of a deposition system.例文帳に追加

発光層（または活性層）へのｐ型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板２上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域１６が形成され、トレンチ素子分離領域１６に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁